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产品概况
ADN3010-11是一款高速光接收机,选用与硅TIA和LA单片集成的专有大面积锗光电二极管。集成光电二极管省去了二极管与TIA之间的焊线,然后确保功用并改进制作可靠性。 直径为50 μm的光电监测器与单模光纤(SMF)对按时,可完成简略的光耦合规划。 对1310 nm ARC进行优化后,ADN3010-11支撑10Gbase-LR和扩展数据速率达11.3 Gbps的其它使用。
尽管ADN3010-11的作业波长规模为850 nm至1565 nm,但在数据手册中,其中心1310 nm处具有抗反射涂层(ARC),表征数值仅为原波段(O波段)波长(1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm和1330 nm)。
电源监控引脚供给输出电压或电流,与检测到的均匀光电流成份额。
ADN3010-11选用3.3 V单电源供电,典型功耗为102 mW。 在饱满输出下,典型差分起伏为460 mV p-p (10.52 Gbps)。
ADN3010-11供给裸片方式,作业温度规模为−40°C至+85°C扩展工业温度规模。
使用
- 光模块接收机,数据速率最高达11.3 Gbps
- 短程10 Gb SONET、FC、以太网、CPRI、OBSAI和LTE光接收机
- 可用于ROSA、BOSA或MCM封装
优势和特色
- 集成式SiGe PIN光电二极管、跨导放大器(TIA)和限幅放大器(LA)
- 电源监控输出:1.0 A/W(O波段波长)
- 50 μm直径锗光电二极管
- 输入灵敏度
- POMA = −16.5 dBm
- PAVE = −17.3 dBm (ER = 6 dB)
- PRBS31 (10.52 Gbps),BER = 10−12,λ = 1270 nm、1290 nm、1300 nm、1310 nm 和 1330 nm
- 抗反射涂层(ARC)优化至1310 nm
- 3.3 V单电源
- 功耗:102 mW
- 差分输出摆幅:460 mV p-p
- 片内电源监控器功用
- 芯片尺寸:0.835 mm × 0.675 mm
ADN3010-11电路图
ADN3010-11中文PDF下载地址
ADN3010-11下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADN3010-11.pdf