因为地道二极管的脉冲电路，结构简略，改变速度快，功耗小，因而在高速脉冲技能中得到广泛的运用，可以用地道二极管构成双稳电路，单稳电路，多谐振荡电路，以及用作整形和分频电路等。
一、地道二极管的伏安特性及其参数
地道二极管的伏安特性[见图一（a）]是一条S型特性曲线。曲线中最大电流点P，称为峰点；最小电流点V，称为谷点，地道二极管的主要参数：
（1）峰点电压Up，约几十毫伏，谷点电压Uv，约几百毫伏
（2）峰点电流Ipi，约几毫安，谷点电流Iv约几百微安
（3）峰谷电流比，约为5-6，越大越好
（4）谷点电容Cv，几微法至几十微法，越小越好，国产2BS4A：Up=80毫伏，Ip=4毫安，峰谷电流比≥5，Cv=10～15微法，Uv=280毫伏。
图一、地道二极管的伏安特性
图一（b）是常用的地道二极管脉冲电路，若选取R、E的不同数值，可作三种具有代表性的直流负载线：
负载线Ⅰ图一（a)与伏安特性交于低压正阻区a点，它是安稳点，用于构成单稳电路。
负载线Ⅱ与伏安特性相交于负阻区的b点，它是不安稳点，用于构成多谐振荡电路。
负载线Ⅲ与伏安特性交于C、D、E三点，C、E为安稳点，D为不安稳点，用于构成双稳电路，因而，选取不同的静态作业点负载线，就可取得不同类型的脉冲电路。
二、地道二极管单稳态电路
图2、地道二极管单稳态电路
图2（a）是单稳态是路，若调理电位器R1，使由R1//R2及R2E/（R1+R2）作出的负载线I处于低压正阻区内，其静态作业点Q是安稳点（图2（b），这时若无触发脉冲效果，电路处于安稳状况。但在触发脉冲us效果下，负载线从I移至II，因为地道不能停留在负阻区，及电感不允许电流骤变，所以当电流I增至峰点电流时，就发作如下的恒流跃变：
各点改变的电压组成的输出波形如图2（C）所示，脉冲宽度为：
ts=（L/RΣ）In[(ET-IvRΣ)/(ET-IpRΣ)](适用于作业在特性曲线低压段）
式中：RΣ=RT+R1//R2，RT=Up/Ip
ET=E[R2/(R1+R2)
L≈UFts/2(Ip-Iv)
脉冲前沿：tr≈Cs[(Uv-UA)/Iv]
Cs为地道二极管的结电容和分布电容
三、地道二极管多谐振荡电路
图三、地道二极管谐振荡器
图三（a）为自激多谐振荡电路。静态作业点Q置于负阻区（见图3（b））。当接通电源后，电流I从零开端增至峰点电流，Ipo但因为静态点不稳点，加上电感不允许电流骤变，所以电流增至Ip后，循环往复地进行，然后产生了快速的矩形脉冲[见图3（C）]。其参数如下：
脉冲宽度：T1≈（L/RΣ）In[(UF-ET+IpRΣ1)/(Uv-ET+IvRΣ1)]
脉冲距离：T2≈(L/RΣ2)In[(ET-IvRΣ2)/ET-IpRΣ2)]
式中：RΣ1=R1//R2+（UF-Uv)/(Ip-Iv)
RΣ2=R1//R2+(Up/Ip),ET=E[R2/(R1+R2)]
四、地道二极管双稳态电路
图4（a）为双稳态电路，它有两个安稳的静态点Q1及Q3和一个不安稳点Q2（见图4（b））。当接通电源后，电流增至IQ1就安稳下来。设触发脉冲U2通过Rs及C1效果于地道二极管。若起伏足够大，就能把负载线推至P点外[虚线①，又因为电感存在，从P点恒流跃变至F点，再从F→Q3（当正尖脉冲消失后，负载线回至实线方位）接着，负尖脉冲又把负载线推至左面（虚线②），开端恒流跃变：即从V→M→Q1。跟着正、负尖脉冲的替换效果，产生了周期的矩形波（见图4（C）
图4、地道二极管双稳态电路
五、地道二极管与晶体管的组合运用
国产的地道二极管全都是锗资料做成的，其峰值电压约为0.25伏左右，若这种锗的遂道二极管要与硅晶体管并联运用时，则遂道二极管BG2要串接反向二极管BG1（同了图5（a），反向二极管是一种变种的地道二极管，其峰点电流特别小，正向特性与一般二极管相似，但反向电压效果时，电流急剧添加，温度特性非常安稳。
图5、地道二极管整形电路
从图5（b)可见，反向二极管与地道二极管串接后，其组合特性：在电压较低时由反向二极管决议：在电压较高时，与硅晶体管的正向特性相似，两者之间又存在负阻区，若按图5（b）设置静态点Q1，当A为低平电平常，B为高电平（0.8伏），BG3导通，集电极电压Uc3=3伏。BG4的射极输出端Uo为零伏低电平，当A点为负电平Um时，负载线向左搬运，很快地进入另一安稳点Q3。UQ3低于BG3的载止电压，故BG3载止，输出，输出Uo为高电平，约18伏左右。一旦当A点回到零平常，负载线回到右边，作业点从Q3→P→F→Q1点，输出Uo又敏捷回到零电平，因为地道二极管的改变速度特别快，所以输出脉冲的前后沿很陡。晶体管示波器常用地道二极管]作整形电路。
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