晶体管分类
按半导体资料和极性分类
按晶体管运用的半导体资料可分为硅资料晶体管和锗资料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
按结构及制作工艺分类
晶体管按其结构及制作工艺可分为分散型晶体管、合金型晶体管平和面型晶体管。
按电流容量分类
晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
按作业频率分类
晶体管按作业频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。
按封装结构分类
晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、外表封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。
按功用和用处分类
晶体管按功用和用处可分为低噪声扩大晶体管、中高频扩大晶体管、低频扩大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多品种型。
电力晶体管
电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar JuncTIon Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路杂乱，驱动功率大；GTR和一般双极结型晶体管的作业原理是相同的。
光晶体管
光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器材构成的光电器材。光在这类器材的有源区内被吸收，发生光生载流子，经过内部电扩大组织，发生光电流增益。光晶体管三端作业，故简略完成电控或电同步。光晶体管所用资料一般是砷化镓（CaAs），首要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器材。双极型光晶体管一般增益很高，但速度不太快，关于GaAs-GaAlAs，扩大系数可大于1000，呼应时刻大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光扩大。场效应光晶体管呼应速度快（约为50皮秒），但缺陷是光敏面积小，增益小（扩大系数可大于10），常用作极高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器材，其特色均是速度快（呼应时刻几十皮秒）、适于集成。这类器材可望在光电集成中得到运用。
双极晶体管
双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中运用得十分遍及的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体资料中流过的联系。双极晶体管根据作业电压的极性而可分为NPN型或PNP型。
双极结型晶体管
双极结型晶体管（Bipolar JuncTIon Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是经过必定的工艺将两个PN结结合在一起的器材，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中心）；BJT有扩大效果，重要依托它的发射极电流可以经过基区传输抵达集电区而完成的，为了确保这一传输进程，一方面要满意内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，一起基区厚度要很小，另一方面要满意外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT品种许多，依照频率分，有高频管，低频管，依照功率分，有小、中、大功率管，依照半导体资料分，有硅管和锗管等；其构成的扩大电路方式有：共发射极、共基极和共集电极扩大电路。
场效应晶体管
场效应晶体管（field effect transistor）运用场效应原理作业的晶体管。英文简称FET。场效应便是改动外加笔直于半导体外表上电场的方向或巨细，以操控半导体导电层（沟道）中大都载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其作业电流是由半导体中的大都载流子输运。这类只要一种极性载流子参与导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管比较，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制作工艺简略、温度特性好等特色，广泛运用于各种扩大电路、数字电路和微波电路等。以硅资料为根底的金属?氧化物?半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓资料为根底的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的根底器材。
静电感应晶体管
静电感应晶体管SIT(StaTIc InducTIon Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器材的横向导电结构改为笔直导电结构，即可制成大功率的SIT器材。SIT是一种多子导电的器材，其作业频率与电力MOSFET适当，乃至超越电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，现在已在雷达通讯设备、超声波功率扩大、脉冲功率扩大和高频感应加热等某些专业范畴获得了较多的运用。
可是SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器材，运用不太便利。此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大大都电力电子设备中得到广泛运用。
单电子晶体管
用一个或许少数电子就能记载信号的晶体管。跟着半导体刻蚀技能和工艺的开展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年添加四倍的速度开展，估计单电子晶体管将是终究的方针。现在一般的存储器每个存储元包含了20万个电子，而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少数电子，因而它将大大下降功耗，进步集成电路的集成度。1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在试验上发现了库仑堵塞现象。在调制掺杂异质结界面构成的二维电子气上面，制作一个面积很小的金属电极，使得在二维电子气中构成一个量子点，它只能包容少数的电子，也便是它的电容很小，小于一个？F (10~15法拉)。当外加电压时，假如电压改变引起量子点中电荷改变量不到一个电子的电荷，则将没有电流经过。直到电压增大到能引起一个电子电荷的改变时，才有电流经过。因而电流-电压联系不是一般的直线联系，而是台阶形的。这个试验在历史上第一次完成了用人工操控一个电子的运动，为制作单电子晶体管供给了试验根据。为了进步单电子晶体管的作业温度，有必要使量子点的尺度小于10纳米，现在国际各试验室都在想各种方法处理这个问题。有些试验室声称已制出室温下作业的单电子晶体管，观察到由电子输运构成的台阶型电流——电压曲线，但离有用还有适当的间隔。
绝缘栅双极晶体管
绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）归纳了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的长处，具有杰出的特性，运用范畴很广泛；IGBT也是三端器材：栅极，集电极和发射极。
