液晶显现器现已成为技术密集，资金密集型高新技术产业，通明导电玻璃则是LCD的三大首要资料之一。液晶显现器之所以能显现特定的图形，便是运用导电玻璃上的通明导电电膜，经蚀刻制成特定形状的电极，上下导电玻璃制成液晶盒后，在这些电极上加恰当电压信号，使具有偶极矩的液晶分子在电场效果下特定的方面摆放，仅而显现出与电极波长相对应的图形。
在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3（ITO）膜的透过率最高和导电功能最好，并且简单在酸液中蚀刻出微细的图形。其透过率已达90%以上，ITO中其透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之份额来操控，一般SnO2：In2O3=1：9。
ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体通明导电膜，一般有两回事个首要的功能指针：电阻率和光透过率。
现在ITO膜层之电阻率一般在5*10-4左右，最好可达5*10-5，已挨近金属的电阻率，在实践应用时，常以方块电阻来表征ITO的导电功能，其透过率则可达90%以上，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与Sn2O3之份额操控，添加氧化锢份额则可进步ITO之透过率，一般Sn2O3： In2O3=1：9，因为氧化锡之厚度超越200Å时，一般通明度已不够好—尽管导电功能很好。
如用是电流平行流经ITO脱层的景象，其间d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在笔直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之电阻率，关于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当L1=L2时，怒火正方形膜层，不管方块巨细怎么，其电阻均为定值P/d，此即方块电阻界说： R□=P/d，式中R□单位为：奥姆/□（Ω/□），由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低，膜厚越大。
现在在高级STN液晶显现屏中所用ITO玻璃，其R□可达10Ω/□左右，膜厚为100-200um，而一般等级低TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□，膜厚为20-30um。
在进行LCD走线规划时，由ITO阻核算方法，可知影响ITO阻值有如下要素：
1、ITO玻璃之方块电阻
要确保走线电阻小，应付让ITO玻璃方块电阻小，因为R□=P/d，则有必要选P小，d恰当大些的资料。
2、L1/L2
L1/L2即走线在平行电流方向与笔直电流方向上的长度比，在R□一守时，要确保走线电阻值小，就要让L1/L2小，当L1一守时，只要增大L2，也说法是在规划时，走线应尽或许加宽;而当L2一守时，L1就要小，即走线宽度一守时，细线应尽或许短。
3、ITO阻值影响
在LCD显现屏规划傍边，不只要考虑走线布对ITO阻值的影响，还要考虑出产工艺对ITO阻值的影响，以便挑选恰当方块电阻的ITO玻璃，以便规划到制造的全面操控，出产高比照的LCD产品，这时高占空比及COG产品无为重要，如ITO膜厚的均匀性，因为ITO的耙材及工艺的为安稳，会使相同长度与宽度的ITO阻值发生改变，如目标值为10Ω时，其R□范围在8-12Ω之间，所以在出产中要运用ITO膜厚均匀的导电玻璃，以削减电阻的改变，其次为ITO玻璃的耐高温时性，酸碱性，因为一般LCD出产工艺中要运用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡，而一般在300°C *30min的环境中，会使R□增大2-3倍，而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min（60°C）下也会增到1。1倍左右，由此可知，在出产工艺中不宜选用高温出产及酸碱的长时清洗，若无法防止，则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时刻。
4、因为在液晶显现器中，ITO方块电阻等效于电路图中的分压电阻，其阻值巨细直接影响电路两头电压的巨细，即方块电阻越大，LCD值电压越大。稀有据标明，ITO之方块电阻由100Ω/□降至60Ω/□。（Cell Gap为6um）左右，Vth值会下降0。03V左右。
