装备背光的一种规范办法是运用两个分立式器材：一个选用DPAK封装的100VMOSFET，以及一个相同选用DPAK封装的100V肖特基二极管。LED背光单元中，肖特基二极管的高漏电流可能会形成一些问题，尤其在较高温度下。某些客户曾遇到量产时肖特基二极管呈现走漏毛病的问题。改进走漏毛病的一种办法是将肖特基二极管的额外电压从100V添加到120V，但体系温度较高时，漏电流仍然是个问题。
飞兆半导体的规划团队开发了一种代替办法，即选用100VBoostPak解决计划。BoostPak系列（图1）在单封装内集成两个器材：一个100VMOSFET和一个150VNP二极管。
图1.BoostPak在单封装内集成100VMOSFET和150VNP二极管
BoostPak系列选用5引脚DPAK单封装。N沟道MOSFET针对最大程度下降导通电阻并坚持超卓的开关功能而规划。NP二极管为超快速整流器，带低正导游通压降，具有超卓的开关功能。比较肖特基二极管，它具有低得多的漏电流，在高温运用中供给更高的体系可靠性。
比较双分立器材解决计划，BoostPak计划的尺度更小，可节约多达20mm2的PCB空间。运用单封装而非两个封装还意味着安装更便利、体系本钱更低。
BoostPak系列供给两种版别，一种额外输出功率为25W，另一种额外值为40W。表1列出详细信息。
表1.BoostPak安装标准
更高温度下的功能更佳
咱们想要知道NP二极管的漏电流到底有多低，因而咱们进行了一些测验。测验成果如图2所示。
图2：二极管漏电流比较
与100V、5A肖特基二极管比较，150V、5ABoostPak系列NP二极管在所有条件下的额外漏电流值低得多，但两者在高温下不同极大。跟着温度上升，肖特基二极管的漏电流以极快的速度添加，而比较之下NP二极管的漏电流仍然较低。
BoostPak系列的NP二极管选用绝佳的生命周期操控工艺制成，以完成极快速的反向恢复时间和合理的正向压降（VF（典型值）：0.9V，条件为IF=5A、TJ=100度）
图3：对反向恢复时间进行比较
