STM32F103VC在RAM中调试办法

最近开端学习STM32，芯片STMF103VCT6 编译东西 keil 4.14（评价板）。起初是改写买板子送的例程，下载程序到FLASH,看看现象。虽然FLASH能够下载万次，但看到人家说这样简单损害FLASH。datasheet中提到STM32有三种发动方法，能够在芯片上的SRAM中调试程序。但搞来搞去一直不能理解。

今日我总算搞成了，我以GPIO跑马灯的程序来测验的。首先把程序下载到FLASH，然后改动发动方法。把本来的GPIO跑马灯程序少做修正，在SRAM中调试。最终又把发动方法改回到从FLASH发动，看到板子上的现象和本来下载到FLASH的相同。阐明我在SRAM中调试成功了。

下面来说说我是怎样装备的，当然这其间也参阅了网上收集的许多内容，在这感谢互联网。

STMF103VCT6有内部48K 的SRAM。SRAM的开始地址为0x20000000 到 0x2000c000 。在keil工程选项中设置如下图：

在上面这个图片中留意 IROM1 和 IRAM1 后边的地址就按图中的填写就行，这儿我把SRAM均分两份，一份为虚拟FLASH,一份为SRAM。一起别忘了，前面的复选框打勾。

关于输出的list 和obj 文件放在哪里，信任许多人都会，在就不糟蹋我们的时刻了。接着在debug中做如下设置如图。

仿真器就挑选你自己的就行了，下面有两个复选框必定要选上，Load Application at Startup 和 Run to main（）。别的下面还要增加一个文件RAM.ini 在这我给出源码：

SP = _RDWORD(0x20000000);// Setup Stack Pointer
PC = _RDWORD(0x20000004);// Setup Program Counter
_WDWORD(0xE000ED08, 0x20000000);// Setup Vector Table Offset Register

把这个文件增加到你工程的根目录下，以便利查找。

接着在Utilities中Setting选项中挑选你的芯片，并更改RAM 和 FLASH 的地址。

再者便是编写你的主程序，编译 调试了。可是记住一点，必定不关键FLASH下的Download 。

最终别忘了，改动发动方法。

到此为止，设置现已完结。

把程序的CODE 区界说到0x20000000 为开始,巨细为 0xa000,也便是40K 了,然后RAM 区则界说到0x2000a000为开始,巨细为0x2000,即8K

STM32f103VC的RAM开始地址为0x20000000，48k，flash的开始地址为0x4002 2000，256k