1 导言
高温测试仪首要用于加热进程中的温度盯梢丈量和数据搜集,经过对测试数据进行体系剖析,研讨炉内的温度散布和温差改变规则,剖析影响加热质量的首要因素,对加热炉加热进程和加热准则进行优化,进步加热质量,下降燃料耗费。
而在一些搜集存储数据的体系，体系的电压或许改变不定或许忽然断电，FM20L08便是针对这些体系可以用来直接替换异步静态存储器（SRAM）而规划的存储器，也是Ramtron现有的最大容量的铁电存储器（FRAM），可以进行无限次的读写操作. 运用FM20L08可以极大的节省电路板空间。运用FM20L08存储器的温度测试仪，兼具大容量数据存储、抗冲击、抗搅扰、数据断电不丢掉、实时搜集速度高的特色[1]。
2 铁电存储器( FRAM)与FM20L08
2.1 铁电存储器介绍
FRAM是Ramtron公司近年推出的一款掉电不蒸发存储器，它结合了高性能和低功耗操作，能在没有电源的情况下保存数据。FRAM存储器技能的核心技能是铁电晶体资料。这一特别资料使得铁电存储产品一起具有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。铁电晶体资料的作业原理是：当把电场加到铁电晶体资料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，抵达安稳状况。晶阵中的每个自在起浮的中心原子只要两个安稳状况。一个用来回忆逻辑中的０，另一个回忆１。中心原子能在常温、没有电场的情况下逗留在此状况达一百年以上。铁电存储器不需要守时改写，能在断电情况下保存数据。因为在整个物理进程中没有任何原子磕碰， FRAM具有高速读写、超低功耗和无限次写入等超级特性[2]。
2.2 FM20L08特色与引脚功用
FM20L08是Ramtron公司近年推出的一款存储容量为128×8bits FRAM，其读写操作与规范 SRAM 相同。首要特色如下：3.3V单电源供电；并行接口；供给SOIC和DIP两种封装；功耗低，静态电流小于10μA，读写电流小于15mA；非蒸发性，掉电后数据能保存10年；拜访进入时刻为 60 ns。高速的页模式操作总线速度最高可到达 33MHz，4 字节脉冲；写操作无延时，读写无限次；可满意工业温度 (-40℃ 到 +85℃)。
FM20L08的引脚摆放如图1所示。各引脚功用如下：
/CE2：片选端；
：写使能端；
：输出使能端口；
A0～A16：地址端；
DQ0～DQ7 :数据端；
VDD：电源；
VSS：接地端。
图1 FM20L08引脚图
图2 温度记录仪原理框图
3 温度记录仪体系硬件组成
选用内含多路开关、A/D转化器、电压参阅源的16位单片机CPU构成16通道低功耗温度记录仪[2]。RC组成的滤波电路滤掉热电偶信号中的搅扰信号，经八选一多路开关输入至运算扩大器扩大到恰当电平，再输入至CPU 进行A/ D 采样，经数值转化和线性化后存贮至FRAM存贮器中。在整个丈量完毕后，由通讯接口与PC 机相连，将数据传送给PC 机做进一步的剖析和处理。电源部分则由低功耗低压差稳压电路和滤波电路组成，体系供给3.3 V 的作业电源。温度记录仪各零部件均选用工业级，使作业温度在- 45～85 ℃之间正常运转。图2为温度记录仪原理框图。
FM20L08FRAM与一般的SRAM在运用进程中有所不同。FM20L08在 为低电平CE2为高电平时被选中，每一次拜访都有必要保证 的由高向低的跃变。因为铁电存储器运用的技能比较特别，在操作进程中有预充电进程。预充电操作是为新拜访回忆体的一个内部条件，一切回忆体周期包含回忆体拜访和预充电，预充电是由 引脚为高电平开端，它有必要坚持高电平至少为一特定的最小时刻。
4 温度记录仪体系软件规划
程序分为主程序、数据搜集程序、USB通讯程序[3]。作业进程为: 记录仪首要加电压, 经过外部信号进行中止, 使单片机进入数据搜集的子程序并循环，到达守时时刻后, 中止搜集,退出子程序, 进入主循环, 等候串口信号外部触发, 然后进入数据传输子程序, 将数据经过串口送入PC 机，图3为温度记录仪程序流程图。
图3 温度记录仪程序流程图
5 抗搅扰办法
5.1 硬件抗搅扰
为避免记录仪在收回并从头上电今后, AD的误操作将存储器中的数据冲掉,应考虑从硬件规划上扫除这种或许性, 最底子的办法是从硬件上断开与搜集模块的衔接。
