最常用的电子元器材的辨认(完整篇)
电阻
电阻在电路顶用“R”加数字表明,如:R1表明编号为1的电阻.电阻在电路中的首要效果为
分流、限流、分压、偏置等.
1、参数辨认:电阻的单位为欧姆(Ω),倍率单位有:千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等.换算
办法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧
电阻的参数标示办法有3种,即直标法、色标法和数标法.
a、数标法首要用于贴片等小体积的电路,如:
472 表明 47×100Ω(即4.7K); 104则表明100K
b、色环标示法运用最多,现举例如下:
四色环电阻 五色环电阻(精细电阻)
2、电阻的色标方位和倍率联系如下表所示:
色彩 有用数字 倍率 答应差错(%)
银色 / x0.01 ±10
金色 / x0.1 ±5
黑色 0 +0 /
棕色 1 x10 ±1
赤色 2 x100 ±2
橙色 3 x1000 /
黄色 4 x10000 /
绿色 5 x100000 ±0.5
蓝色 6 x1000000 ±0.2
紫色 7 x10000000 ±0.1
灰色 8 x100000000 /
白色 9 x1000000000 /
电容
1、电容在电路中一般用“C”加数字表明(如C13表明编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中心用绝缘资料离隔而组成的元件.电容的特性 首要是隔直流转沟通.电容容量的巨细便是表明能储存电能的巨细,电容对沟通信号的阻止效果称为容抗,它与沟通信号的频率和电容量有关.容抗XC= 1/2πf c (f表明沟通信号的频率,C表明电容容量) 电话机中常用电容的品种有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等. 字串6
2、辨认办法:电容的辨认办法与电阻的辨认办法根本相同,分直标法、色标法和数标法3种.电容的根本单位用法拉(F)表明,其它单位还有:毫法 (mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF).其间:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直 接标明,如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表明或数字表明字母表明法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表明法:一般用三位数字表明容量巨细,前两位表明有用数字,第三位数字是倍率.如:102表明10×102PF=1000PF 224表明22×104PF=0.22 uF
3、电容容量差错
如:一瓷片电容为104J表明容量为0. 1 uF、差错为±5%.
晶体二极管
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表明,如: D5表明编号为5的二极管.
1、 效果:二极管的首要特性是单导游电性,也便是在正向电压的效果下,导通电阻很小;而在反向电压效果下导通电阻极大或无穷大.正因为二极管具有上述特性,无 绳电话机中常把它用在整流、阻隔、稳压、极性维护、编码操控、调频调制和静噪等电路中.电话机里运用的晶体二极管按效果可分为:整流二极管(如1N4004)、阻隔二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等.
2、辨认办法:二极管的辨认很简略,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多选用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表明P极 (正极)或N极(负极),也有选用符号标志为“P”、“N”来确认二极管极性的.发光二极管的正负极可从引脚长短来辨认,长脚为正,短脚为负. 字串5
3、测验注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此刻测得的阻值才是二极管的正导游通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反.
稳压二极管
稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表明,如:ZD5表明编号为5的稳压管.
1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特色便是击穿后,其两头的电压根本坚持不变.这样,当把稳压管接入电路今后,若因为电源电压发作动摇,或其它原因构成电路中各点电压改动时,负载两头的电压将根本坚持不变.
2、毛病特色:稳压二极管的毛病首要表现在开路、短路和稳压值不稳定.在这3种毛病中,前一种毛病表现出电源电压升高;后2种毛病表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定.
常用稳压二极管的类型及稳压值如下表:
类型 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761
稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V
电感
电感在电路中常用“L”加数字表明,如:L6表明编号为6的 电感.电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕必定的圈数制成.直流可经过线圈,直流电阻便是导线自身的电阻,压降很小;当沟通信号经过线圈时,线圈两头 将会发作自感电动势,自感电动势的方向与外加电压的方向相反,阻止沟通的经过,所以电感的特性是通直流阻沟通,频率越高,线圈阻抗越大.电感在电路中可与 电容组成振动电路.
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电感一般有直标法和色标法,色标法与电阻相似.如:棕、黑、金、金表明1uH(差错5%)的电感.
电感的根本单位为:亨(H) 换算单位有:1H=103mH=106uH.
变容二极管
变容二极管是依据一般二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的改动而改动这一
原理专门规划出来的一种特别二极管.
变容二极管在无绳电话机中首要用在手机或座机的高频调制电路上,完成低频信号调制到高
频信号上,并发射出去.在作业状况,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管
的内部结电容容量随调制电压的改动而改动.
变容二极管发作毛病,首要表现为漏电或功能变差:
(1)发作漏电现象时,高频调制电路将不作业或调制功能变差.
(2)变容功能变差时,高频调制电路的作业不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对
方接纳后发作失真.
呈现上述情况之一时,就应该替换同类型的变容二极管.
晶体三极管
晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表明,如:Q17表明编号为17的三极管.
1、特色:晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结,而且具有扩大才干的特别器材.它分NPN型和PNP型两品种型,这两品种型的三极管从工 作特性上可相互补偿,所谓OTL电路中的对管便是由PNP型和NPN型配对运用.电话机中常用的PNP型三极管有:A92、9012、9015等类型; NPN型三极管有:A42、9014、9018、9013等类型. 字串2
2、晶体三极管首要用于扩大电路中起扩大效果,在常见电路中有三种接法.为了便于比较,将晶体管三种接法电路所具有的特色列于下表,供我们参阅.
称号 输入阻抗 输出阻抗 电压扩大倍数 电流扩大倍数
共发射极电路 中(几百欧~几千欧) 中(几千欧~几十千欧) 大 大(几十)
共集电极电路(射极输出器) 大(几十千欧以上) 小(几欧~几十欧) 小(小于1并接近于1)大(几十)
共基极电路 小(几欧~几十欧) 大(几十千欧~几百千欧) 大 小(小于1并接近于1)
功率扩大倍数 频率特性 运用
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大(约30~40分贝) 高频差 多级扩大器中心级,低频扩大
小(约10分贝) 好 输入级、输出级或作阻抗匹配用
中(约15~20分贝) 好 高频或宽频带电路及恒流源电路
场效应晶体管扩大器
1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等长处,因而也被广泛运用于各种电子设备中.特别用场效管做整个电子设备的输入级,可以取得一般晶体管很难到达的功能.
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2、场效应管分红结型和绝缘栅型两大类,其操控原理都是相同的.如图1-1-1是两种类型的表明符号:
3、场效应管与晶体管的比较:
(1)场效应管是电压操控元件,而晶体管是电流操控元件.在只答应从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又答应从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.
(2)场效应管是运用大都载流子导电,所以称之为单极型器材,而晶体管是即有大都载流子,也运用少量载流子导电.被称之为双极型器材.
(3)有些场效应管的源极和漏极可以交换运用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下作业,而且它的制造工艺可以很方便地把许多场效应管集成在一块硅片上,因而场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的运用.
最常用的电子元件类型
整流二极管:
1N4001~1N4007 50V~1000~/1.0A 1N5391~1N5399 50V~1000V/1.5A 1N5400~1N5408 50V~1000V/3.0A
开关二极管:
1N4148 1N4150 1N4448
肖特基二极管:
1N5817~1N5819 20V~40V/1.0A 1N5820~1N5822 20V~40V/3.0A 1N60 1N60P小电流低压降
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光电耦合器:
4N35 4N36 4N37
晶体三极管:
PNP:8050 9015 A92
NPN:9012 9013 9014 9015 9018
D/A转化器:
AD7520 AD7521 AF7530 AD7521
8位:DAC0830 DAC0832 (D/A )12位:AD7541 (D/A)
8位:ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838(A/D)
跨导运算变压器:
CA3080 CA3080A OTA
BiMOS运算变压器:
CA3140 CA3140A
DB3 双向触发二极管
快康复二极管:
FR101~FR107 50V~1000/1.0A
三位半A/D转化器:
ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117
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载波稳零运算扩大器:
ICL7650
CMOS电源电压变换器:
ICL7660/MAX1044
单片函数发作器:
ICL8038
通用计数器:
ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz
带BCD输出10MZ通用计数器:
ICM7226A ICM7226B
单/双通用守时器:
ICM7555 ICM7555
DTMF 收发器:
ISO2-CMOS MT8880C
JFET输入运算扩大器:
LF351
FJET输入宽带高速双运算扩大器:
LF353
三端可调电源:
LM117 LM317A LM317
低功耗四运算扩大器:
LM124 LM124 LM324 LM2920
三端可调负电压调整器:
LM137 LM337
低功耗四电压比较器:
LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302
可关断开关电源:
LM1575-3.3、LM2575-3.3、LM2575HV-3.3、LM1575- 5.0、LM2575-5.0、LM2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、 LM2575HV-12、LM1575-15, LM2575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJ LM2576-3.3、LM2576HV-3.3、LM2576-5.0、LM2576HV- 5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM2576-15、LM2576HV-15、 LM2576-ADJ
低功耗双运算扩大器:
LM158 LM258 LM358 LM2904
低功耗双电压比较器:
LM193 LM293 LM393 LM2903
通用运算扩大器:
LM201 LM301 LM741
精细电压 频率转化器:
LM231A LM231 LM331A LM331
微功耗基准电压二极管:
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LM285 LM358
精细运算扩大器:
LM308A
低压音频小功率扩大器:
LM386
带温度稳定器精细电压基准电路:
LM299 LM399 LM3999
可调电压基准电路:
LM431
锁相环音频译码器:
LM657 LM657C
双低噪声音频功率扩大器:
LM831 LM833
双守时LED电子钟电路:
LM8365
单片函数发作器;
MAX038 0.1~20MZ
5V电源多通道RS232驱动器/接纳器:
MAX232
七路达林顿驱动器:
MC1413 MC1416
编码器/译码器:
MC145026 MC145027 MC145028
MC145023-5/8 RS232驱动器:
MC145403 MC145404 MC145405 MC145408
RS232驱动器/接纳器:
MC145406 MC145407
四施密特可控线路驱动器:
MC1489 MC1489A SN55189 SN55189A SN75189 SN75189A
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低功率调频发射体系:
MC2833
低功率调频窄频带接纳器:
MC3362
双运算扩大器:
MC4558
MC7800系列 1.0A三规矩电压稳压器:
MC7805(5.0V)、LM340-5(5.0V)、MC7806(6.0V)、MC7808 (8.0V)、MC7809(9.0V)、MC7812(12V)、LM340-12(12V)、 MC7815(15V)、LM340-15(15V)、MC7818(18V)、MC7824 (24V)
MC78L00系列 0.5A三规矩电压稳压器:
MC78M05(5.0V)、MC78M06(6.0V)、MC78M08(8.0V)、MC78M09 (9.0V)、MC78M12(12V)、MC78M15(15V)、MC78M18(18V)、 MC78M20(20V)、MC78M24(24V)
MC78T00系列 3.0A正电压稳压器:
MC78T05(5.0V)、MC78T08(8.0V)、MC78T12(12V)、MC78T15 (15V)
MC7900系列 1.0三端负电压稳压器:
MC7905(5.0V)、MC7905.2(5.2V)、MC7906(6.0V)、MC7908 (8.0V)、MC7912(12V)、MC7915(15V)、MC7918(18V)、 MC7924(24V)
MC79L00系列 0.1A 三端负电压稳压器:
MC79L05(5.0V)、MC79L12(12V)、MC79L15(15V)、MC79L18 (18V)、MC79L24(24V)
MC79M00系列 0.5A 三端负电压稳压器:
MC79M05(5.0V)、MC79M08(8.0V)、MC79M12(12V)、MC79M15 (15V)
Microchip PIC 系列单片机RS232通讯运用:
3.579545MHZ–60HZ 17级分频振动器:
MM5369
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双向可控硅输出光电耦合器:
MOC3009 MOC3012 (250V) MOC3020 MOC3023 (400V)
DTMF双音频接纳器:
MT8870C MT8870C-1
DTMF 收发器:
MT8888C
单时基电路:
NE555 NE555Y SA555 SE555
双时基电路:
NE556 SA556 SE556
音频紧缩扩展器:
NE570 NE571 SA571
低电压飘移运算扩大器:
OP07 OP77
低噪音精细运算扩大器:
OP27
低噪音高精细运算扩大器:
OP37
精细低电压微功耗运算扩大器:
OP90
高效光电耦合器:
PC817 PC827 PC837 PC847
无线遥控发射编码器芯片:
PT2262
无线遥控接纳解码器芯片:
PT2272
脉宽市制PWM:
SG2524 SG3524
电力线调制解诘器电路:
ST7537
音频功率扩大器:
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TDA1521/TDA1521Q 2×12W Hi-Fi
TDA2030 14W Hi-fi
TDA2616/TDA2616Q 2×12W Hi-Fi
FM 单片调频接纳电路:
TDA7000T TDA7010T
FM MTS 单片调节器频接纳电路:
TDA7021T
低电压锁相环立体解码器:
TDA7040T
低电压单/双声道功率扩大器:
TDA7050
低功耗JFET输入运算扩大器:
TL062 TL064
低噪声JFET输入运算扩大器:
TL071 TL072 TL074
JFET输入宽带高速运算扩大器:
TL081 TL082 TL084
脉宽调制PWM:
TL494
精细开关形式脉宽调制操控:
TL594
光电耦合器:
TLP521-1/TLP521-2/TLP521-4
PWM Switch:
TOP100/TOP101/TOP102/TOP103/TOP104 TOP200/TOP201/TOP202/TOP203/TOP204/TOP214 TOP209/TOP210
线性八外围驱动器阵列:
ULN2803 ULN2804
(八路NPN达林顿衔接晶体管阵系列特别适用于低逻辑电平数字电路(比如TTL, CMOS或PMOS/NMOS)和较高的电流/电压要求之间的接口,广泛运用于计算机,工业用和消费类产品中的灯、继电器、打印锤或其它相似负载中.一切器材具有集电极开路输出和续流箝位二极管,用于按捺跃变.ULN2803的规划与规范TTL系列兼容,而ULN2804 最适于6至15伏高电平CMOS或PMOS.
二级管的分类及特性
一、依据结构分类
半导体二极管首要是依托PN结而作业的.与PN结不可分割的点触摸型和肖特基型,也被列入一般的二极管的规模内.包含这两种类型在内,依据PN结结构面的特色,把晶体二极管分类如下:
1、点触摸型二极管
点触摸型二极管是在锗或硅资料的单晶片上压触一根金属针后,再经过电流法而构成的.因而,其PN结的静电容量小,适用于高频电路.可是,与面结型相比较,点触摸型二极管正向特性和反向特性都差,因而,不能运用于大电流和整流.因为结构简略,所以价格便宜.关于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用处而言,它是运用规模较广的类型.
2、键型二极管
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而构成的.其特性介于点触摸型二极管和合金型二极管之间.与点触摸型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有添加,但正向特性特别优秀.多作开关用,有时也被运用于检波和电源整流(不大于50mA).在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型.
3、合金型二极管
在N型锗或硅的单晶片上,经过合金铟、铝等金属的办法制造PN结而构成的.正向电压降小,适于大电流整流.因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流. 字串9
4、分散型二极管
在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片外表的一部变成P型,以此法PN结.因PN结正向电压降小,适用于大电流整流.最近,运用大电流整流器的干流已由硅合金型搬运到硅分散型.
5、台面型二极管
PN结的制造办法虽然与分散型相同,可是,只保存PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉.其剩下的部分便呈现出台面形,因而得名.初期出产的台面型,是对半导体资料运用分散法而制成的.因而,又把这种台面型称为分散台面型.关于这一类型来说,好像大电流整流用的产品类型很少,而小电流开关用的产品类型却许多.
6、平面型二极管
在半导体单晶片(首要地是N型硅单晶片)上,分散P型杂质,运用硅片外表氧化膜的屏蔽效果,在N型硅单晶片上仅挑选性地分散一部分而构成的PN结.因而,不需求为调整PN结面积的药品腐蚀效果.因为半导体外表被制造得平坦,故而得名.而且,PN结合的外表,因被氧化膜掩盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型.开始,关于被运用的半导体资料是选用外延法构成的,故又把平面型称为外延平面型.对平面型二极管而言,好像运用于大电流整流用的类型很少,而作小电流开关用的类型则许多.
7、合金分散型二极管
它是合金型的一种.合金资料是简单被分散的资料.把难以制造的资料经过奇妙地掺配杂质,就能与合金一同过分散,以便在现已构成的PN结中取得杂质的恰当的浓度散布.此法适用于制造高灵敏度的变容二极管.
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8、外延型二极管
用外延面长的进程制造PN结而构成的二极管.制造时需求十分高明的技能.因能随意地操控杂质的不同浓度的散布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管.
9、肖特基二极管
根本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的触摸面上,用已构成的肖特基来阻挠反向电压.肖特基与PN结的整流效果原理有根本性的差异.其耐压程度只要40V左右.其专长是:开关速度十分快:反向康复时刻trr特别地短.因而,能制造开关二极和低压大电流整流二极管.
二、依据用处分类
1、检波用二极管
就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的巨细(100mA)作为界限一般把输出电流小于100mA的叫检波.锗资料点触摸型、作业频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波功率高,频率特性好,为2AP型.相似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还可以用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路.也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件.
2、整流用二极管
就原理而言,从输入沟通中得到输出的直流是整流.以整流电流的巨细(100mA)作为界限一般把输出电流大于100mA的叫整流.面结型,作业频率小于KHz,最高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档.分类如下:①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆作业频率近100KHz的2CLG型. 字串7
3、限幅用二极管
大大都二极管能作为限幅运用.也有象维护外表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管.为了使这些二极管具有特别强的约束尖利振幅的效果,一般运用硅资料制造的二极管.也有这样的组件出售:依据约束电压需求,把若干个必要的整流二极管串联起来构成一个全体.
4、调制用二极管
一般指的是环形调制专用的二极管.便是正向特性一致性好的四个二极管的组合件.即便其它变容二极管也有调制用处,但它们一般是直接作为调频用.
5、混频用二极管
运用二极管混频方法时,在500~10,000Hz的频率规模内,多选用肖特基型和点触摸型二极管.
6、扩大用二极管
用二极管扩大,大致有依托地道二极管和体效应二极管那样的负阻性器材的扩大,以及用变容二极管的参量扩大.因而,扩大用二极管一般是指地道二极管、体效应二极管和变容二极管.
7、开关用二极管
有在小电流下(10mA程度)运用的逻辑运算和在数百毫安下运用的磁芯鼓励用开关二极管.小电流的开关二极管一般有点触摸型和键型等二极管,也有在高温下还或许作业的硅分散型、台面型平和面型二极管.开关二极管的专长是开关速度快.而肖特基型二极管的开关时刻特短,因而是抱负的开关二极管.2AK型点触摸为中速开关电路用;2CK型平面触摸为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、功率高.
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8、变容二极管
用于自动频率操控(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管.日本厂商方面也有其它许多叫法.经过施加反向电压, 使其PN结的静电容量发作改动.因而,被运用于自动频率操控、扫描振动、调频和调谐等用处.一般,虽然是选用硅的分散型二极管,可是也可选用合金分散型、外延结合型、两层分散型等特别制造的二极管,因为这些二极管关于电压而言,其静电容量的改动率特别大.结电容随反向电压VR改动,替代可变电容,用作调谐回路、振动电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转化和调谐电路,多以硅资料制造.
9、频率倍增用二极管
对二极管的频率倍增效果而言,有依托变容二极管的频率倍增和依托阶跃(即剧变)二极管的频率倍增.频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率操控用的变容二极管的作业原理相同,但电抗器的结构却能接受大功率.阶跃二极管又被称为阶跃康复二极管,从导通切换到封闭时的反向康复时刻trr短,因而,其专长是急速地变成封闭的搬运时刻显著地短.假如对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(搬运时刻)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能发作许多高频谐波.
10、稳压二极管
是替代稳压电子二极管的产品.被制造成为硅的分散型或合金型.是反向击穿特性曲线急骤改动的二极管.作为操控电压和规范电压运用而制造的.二极管作业时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分红许多等级.在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品.作业在反向击穿状况,硅资料制造,动态电阻RZ很小,一般为2CW型;将两个互补二极管反向串接以削减温度系数则为2DW型.
11、PIN型二极管(PIN Diode)
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)结构的晶体二极管.PIN中的I是”本征”含义的英文略语.当其作业频率超越100MHz时,因为少量载流子的存贮效应和”本征”层中的渡越时刻效应,其二极管失掉整流效果而变成阻抗元件,而且,其阻抗值随偏置电压而改动.在零偏置或直流反向偏置时,”本征”区的阻抗很高;在直流正向偏置时,因为载流子注入”本征”区,而使”本征”区呈现出低阻抗状况.因而,可以把PIN二极管作为可变阻抗元件运用.它常被运用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中. 字串2
12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)
它是在外加电压效果下可以发作高频振动的晶体管.发作高频振动的作业原理是栾的:运用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需求必定的时刻,所以其电流滞后于电压,呈现延迟时刻,若适当地操控渡越时刻,那么,在电流和电压联系上就会呈现负阻效应,然后发作高频振动.它常被运用于微波范畴的振动电路中.
13、江崎二极管 (Tunnel Diode)
它是以地道效应电流为首要电流重量的晶体二极管.其基底资料是砷化镓和锗.其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的).地道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所发作.发作地道效应具有如下三个条件:①费米能级坐落导带和满带内;②空间电荷层宽度有必要很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的或许性.江崎二极管为双端子有源器材.其首要参数有峰谷电流比(IP/PV),其间,下标”P”代表”峰”;而下标”V”代表”谷”.江崎二极管可以被运用于低噪声高频扩大器及高频振动器中(其作业频率可达毫米波段),也可以被运用于高速开关电路中.
14、快速关断(阶跃康复)二极管 (Step Recovary Diode)
它也是一种具有PN结的二极管.其结构上的特色是:在PN结鸿沟处具有峻峭的杂质散布区,然后构成”自助电场”.因为PN结在正向偏压下,以少量载流子导电,并在PN结邻近具有电荷存贮效应,使其反向电流需求阅历一个”存贮时刻”后才干降至最小值(反向饱和电流值).阶跃康复二极管的”自助电场”缩短了存贮时刻,使反向电流快速截止,并发作丰厚的谐波重量.运用这些谐波重量可规划出梳状频谱发作电路.快速关断(阶跃康复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中.
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15、肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode)
它是具有肖特基特性的”金属半导体结”的二极管.其正向开始电压较低.其金属层除资料外,还可以选用金、钼、镍、钛等资料.其半导体资料选用硅或砷化镓,多为N型半导体.这种器材是由大都载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少量载流子导电的PN结大得多.因为肖特基二极管中少量载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时刻常数约束,因而,它是高频和快速开关的抱负器材.其作业频率可达100GHz.而且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制造太阳能电池或发光二极管.
16、阻尼二极管
具有较高的反向作业电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流二极管,用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用.
17、瞬变电压按捺二极管
TVP管,对电路进行快速过压维护,分双极型和单极型两种,按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V~200V)分类.
18、双基极二极管(单结晶体管)
两个基极,一个发射极的三端负阻器材,用于张驰振动电路,守时电压读出电路中,它具有频率易调、温度稳定性好等长处.
19、发光二极管
用磷化镓、磷砷化镓资料制成,体积小,正向驱动发光.作业电压低,作业电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光.
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三、依据特性分类
点触摸型二极管,按正向和反向特性分类如下.
1、一般用点触摸型二极管
这种二极管正如标题所说的那样,一般被运用于检波和整流电路中,是正向和反向特性既不特别好,也不特别坏的中心产品.如:SD34、SD46、1N34A等等归于这一类.
2、高反向耐压点触摸型二极管
是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品.运用于高压电路的检波和整流.这种类型的二极管一般正向特性不太好或一般.在点触摸型锗二极管中,有SD38、1N38A、OA81等等.这种锗资料二极管,其耐压受到约束.要求更高时有硅合金和分散型.
3、高反向电阻点触摸型二极管
正向电压特性和一般用二极管相同.虽然其反方向耐压也是特别地高,但反向电流小,因而其专长是反向电阻高.运用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中,就锗资料高反向电阻型二极管而言,SD54、1N54A等等归于这类二极管.
4、高传导点触摸型二极管
它与高反向电阻型相反.其反向特性虽然很差,但使正向电阻变得满足小.对高传导点触摸型二极管而言,有SD56、1N56A等等.对高传导键型二极管而言,可以得到更优秀的特性.这类二极管,在负荷电阻特别低的情况下,整流功率较高.
