一、氧化铟锡(ITO)基板前处理
1、ITO外表平坦度：ITO现在已广泛应用在商业化的显示器面板制作，其具有高透射率、低电阻率及高功函数等长处。一般来说，运用射频溅镀法(RF sputtering)所制作的ITO，易受工艺操控要素不良而导致外表不平坦，从而发生外表的顶级物质或突起物。别的高温锻烧及再结晶的进程亦会发生外表约10 ~ 30nm的突起层。这些不平坦层的细粒之间所构成的途径会供给空穴直接射向阴极的时机，而这些扑朔迷离的途径会使漏电流添加。一般有三个办法能够处理这外表层的影响?U一是添加空穴注入层及空穴传输层的厚度以下降漏电流，此办法多用于PLED及空穴层较厚的OLED(~200nm)。二是将ITO玻璃再处理，使外表润滑。三是运用其它镀膜办法使外表平坦度更好。
2、ITO功函数的添加：当空穴由ITO注入HIL时，过大的位能差会发生萧基能障，使得空穴不易注入，因而怎么下降ITO / HIL接口的位能差则成为ITO前处理的要点。一般咱们运用O2-Plasma办法添加ITO中氧原子的饱和度，以到达添加功函数之意图。ITO经O2-Plasma处理后功函数可由原先之4.8eV提升至5.2eV，与HIL的功函数已十分挨近。
参加辅佐电极，因为OLED为电流驱动组件，当外部线路过长或过细时，于外部电路将会形成严峻之电压梯度，使真实落于OLED组件之电压下降，导致面板发光强度削减。因为ITO电阻过大(10 ohm / square)，易形成不必要之外部功率耗费，添加一辅佐电极以下降电压梯度成了添加发光功率、削减驱动电压的快捷办法。铬(Cr：Chromium)金属是最常被用作辅佐电极的资料，它具有对环境因子稳定性佳及对蚀刻液有较大的挑选性等长处。可是它的电阻值在膜层为100nm时为2 ohm / square，在某些应用时仍属过大，因而在相同厚度时具有较低电阻值的铝(Al：Aluminum)金属(0.2 ohm / square)则成为辅佐电极另一较佳挑选。可是，铝金属的高活性也使其有信任性方面之问题因而，多叠层之辅佐金属则被提出，如：Cr / Al / Cr或Mo / Al / Mo，可是此类工艺添加复杂度及本钱，故辅佐电极资料的挑选成为OLED工艺中的要点之一。
二、封装
1、吸水资料：一般OLED的生命周期易受周围水气与氧气所影响而下降。水气来历首要分为两种：一是经由外在环境浸透进入组件内，另一种是在OLED工艺中被每一层物质所吸收的水气。为了削减水气进入组件或扫除由工艺中所吸附的水气，一般最常运用的物质为吸水材(Desiccant)。Desiccant能够运用化学吸附或物理吸附的办法捕捉自在移动的水分子，以到达去除组件内水气的意图。
2、工艺及设备开发：封装工艺之流程如图四所示，为了将Desiccant置于盖板及顺畅将盖板与基板黏合，需在真空环境或将腔体充入不生动气体下进行，例如氮气。值得注意的是，怎么让盖板与基板这两部分工艺联接更有功率、削减封装工艺本钱以及削减封装时刻以达最佳量产速率，已俨然成为封装工艺及设备技能发展的3大首要方针。
三、阴极工艺
在高解析的OLED面板中，将纤细的阴极与阴极之间阻隔，一般所用的办法为蘑菇构型法(Mushroom structure approach)，此工艺相似印刷技能的负光阻显影技能。在负光阻显影进程中，许多工艺上的变异因子会影响阴极的质量及良率。例如，体电阻、介电常数、高分辨率、高Tg、低临界维度(CD)的丢失以及与ITO或其它有机层恰当的黏着接口等。
