MRAM技能是以可沉积在规范逻辑制程上的磁性地道结 (MTJ)贮存单元为根底，MTJ中包含了一个保持单一极性方向的固定层，和一个经过地道结与其阻隔的自在层。当自在层被施予和固定层相同方向的极化时，MTJ的地道结便会显现出低电阻特性。而当自在层被施予反方向的极化时，MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改动内存状况，便能快速读取数据。在MRAM存储器中有一个富含创造性的规划，这也是EVERSPIN的专利。
在MRAM的诞生过程中，规划的难点和要害节点，在于一个小电流经过“自在层”，并使之翻转，与固定层的极化方向相反或许相同。可是MRAM操作窗口特别小，即便很小的电流扰动也会形成过错。为此MARM的产品化路途一度堕入低迷。
在2004初一个俄裔的工程师发布他提出的新的MRAM结构和写入办法(TOGGLE MRAM)，人们才从头燃起了对MRAM的期望。SONY 和 MOTORALA 立刻拿出了第一手的试验数据. 试验证明TOGGLE MRAM具有相当大的操作窗口。另一个重大打破是2004年底IBM 和日本一家公司一起宣告拿到了300%的MTJ信号。2004年在业界是十分激动人心的时间，这一系列的打破暗示着MRAM的曙光就在眼前。
现在MRAM有许多优异的目标，可是并非完美。它的存储密度和容量决议了它尚不能更大规模的代替其他存储器产品。可是依据摩尔定律，芯片尺寸会越来越小，这也是为什么许多人都以为DRAM快走到了它生命周期的止境。PCM存储器的存储密度远远高于MRAM和DRAM。在未来的五年里，它将是MRAM有力的竞争对手。MRAM想在未来新存储的国际里称王称霸，仍是需求一番包围的。
