跟着电子技术的飞速发展， 存储器的种类日益繁复，每一种存储器都有其独有的操作时序，为了进步存储器芯片的测验功率，一种多功用存储器芯片的测验体系应运而生。本文提出了一种多功用存储器芯片的测验体系硬件规划与完结，对各种数据位宽的多种存储器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)进行了具体的结口电路规划(怎么挂载到NIOSII的总线上)，终究处理了不同数据位宽的多种存储器的同渠道测验处理方案，并具体地规划了各结口的硬件完结办法。
导言
跟着电子技术的飞速发展，存储器类芯片的种类越来越多，其操作方法彻底不一样，因而要测验其间一类存储器类芯片就会有一种专用的存储器芯片测验仪。本文规划的多种存储器芯片测验体系是可以对SRAM、Nand FLASH、Nor FLASH、MRAM、EEPROM等多种存储器芯片进行功用测验，并且每一类又可兼容8位、16位、32位、40位等不同宽度的数据总线，假如针对每一种产品都单独规划一个测验渠道，其测验操作的杂乱程度是可想而知的。为到达简化测验过程、减小测验的杂乱度、进步测验功率、下降测验本钱，特规划一种多功用的存储器类芯片测验体系，完结在同一渠道下完结一切上述存储器芯片的方便快捷地测验。
规划原理
此规划方案依据上述各种存储器单独的读写时序拜访特性，经过FPGA的灵敏编程特性，适当地调整NIOSII的外部总线时序，终究完结根据NIOSII的外部总线拜访各种存储器读写时序的准确操作。如图2-1。经过FPGA自定义一个可以挂载一切存储器芯片的总线接口-ABUS，如表1。并且在同一个接口上可以自动识别各种接入的被测验存储器芯片，它们经过类别输入信号(CLAS)来区别,每一种存储器芯片对应一种共同的操作时序。下面是几种存储器芯片的接口衔接方法及信号描绘。其它的存储器芯片都可以用相似的接法挂载到ABUS总线上，终究完结测验。
图 2‑1 NIOSII的总线挂载各类存储器芯片衔接示意图
表1：ABUS接口信号阐明表
40位NAND FLASH衔接规划
如图2-2所示，40位NAND FLASH与NIOSII 经过ABUS(FPGA)桥接,把外部总线的时序彻底转换成NAND FLASH的操作时序。40位NAND FLASH芯片品由五个独立的8位NAND FLASH芯片拼接构成。5个8位器材的外部IO口拼接成40位的外部IO口，而各自的控制线(NCLE，NALE，NRE，NWE)衔接在一起构成一组控制线(NCLE，NALE，NRE，NWE)，片选彼此独立引出成NCS0-NCS9,忙信号独立引出为R/B0-R/B9。
如表2，胪陈了40位NAND FLASH与ABUS的衔接联系。
图 2‑2 ABUS与40位NAND FLASH接口图
表2，40位NAND FLASH接口衔接表
40位SRAM与NIOSII衔接
40位SRM模块与NIOSII经过ABUS衔接，完结正确的时序读写操作。测验时，一次只测验8位，分5次完结一切空间的测验。如图2-4。表4是具体的信号衔接阐明。
图 2‑4 ABUS与40位SRAM衔接
表4，40位SRAM接口衔接表
