磁自旋(magnetic spin)奇特的当地在于，它不会替代原子，能让硬盘上壁垒式的磁畴(walled domains)在1与0之间切换，又没有终究会让快闪位元单元耗费的疲倦机制(fatigue mechanisms)。现在的固态非挥发性存储器如快闪存储器、铁电存储器(FRAM)，乃至是实验性的电阻式存储器(resistive RAM)，寿数都有极限;IBM宣称，该公司所研制的赛道(racetrack)存储器，调集了固态存储器以及硬盘机存取机制的长处。
赛道存储器的要害优势，在于不会移动原子──这是为何快闪存储器、铁电存储器乃至电阻式存储器会耗费，由于它们打乱了物质的状况。IBM旗下Almaden研讨中心院士Stuart Parkin表明：在赛道存储器中，原子不会被移动，咱们所做的是滚动自旋(rotating the spin)，并不会形成交互作用或是导致任何疲倦与耐久性问题;咱们可以无限次地读取、写入或抹除赛道存储器。
所谓的赛道之原理，是在绝缘基板上制造一个奈米线循环(nanowire loop);沿着该赛道，包含一个教授(imparting)磁自旋的写入头，一个读出自旋状况的读取头，以及将位元沿着赛道转化至下一值(next value)的脉冲产生器。实际上，每个赛道就象是硬盘机上的单一磁道──除了不以旋转磁碟的方法来读取下一值，磁畴之间的壁垒也转变成盘绕着该关闭回路，以呼应电流脉冲。
透过一款精心打造的仪器，现在IBM现已能详细描述磁畴壁可以盘绕磁道的切当机制，并搜集终究能让IBM将赛道存储器商业化的参数材料。在该公司研讨团队惊人的发现中，虽然赛道上并没有原子盘绕，盘绕着该赛道的磁畴壁仍具有惯性与动能──就像它们是有质量的。咱们现在愈加了解电子 (electrons)是怎么传递动能给磁畴壁。Parkin表明。
IBM所研制的赛道存储器，将磁畴壁沿着一条奈米线移动，就像它们绕着奈米线赛道竞速
假如赛道上显示出真实的无质量运动(mass-less motion)，将意味着磁畴壁盘绕着该赛道的近瞬移动(nearly instantaneous movement)是对电流脉冲的回应。但研讨人员反而在脉冲开端时发现了一个显着的推迟(数奈秒)，在脉冲中止时又有一个同等级的微米(micron) 级显着过冲(overshoot);幸亏这两种效应相互抵销了。
咱们发现，磁畴壁在电流脉冲开端时会花一些时刻开端移动，但那些时刻又会在电流脉冲结束时，被带着它们中止移动的间隔所互补──所以它们移动的总间隔是相同的。Parkin表明：要将磁畴壁沿着赛道移动一段特定间隔，咱们要做的就只有供给一道长度与该间隔成正比的电流脉冲。
接下来，该研讨团队将企图在单晶片上建置一个整合读取/写入与转化电路的完好水平式赛道，如此将到达密度是现在快闪存储器10倍的存储器芯片。一旦这种水平式技能成功，研讨团队将进一步在芯片上以10微米的厚度笔直摆放微缩的赛道;这种笔直式的赛道存储器密度可望再扩大100倍，使这种固态存储器容量能与硬盘机比美。
