在本月6日至8日举行的IEDM2010旧金山大会上，Intel与镁光两家公司协作展现了其25nm NAND制程的细节，风趣的是，这种制程居然会是首款将曾被IBM热捧的AirGap(空气隙型介电层)技能商用化的产品。
最初IBM用来解说Airgap的阐明图
有必要首要阐明的是，Intel和镁光此前成立了一家NAND合资公司IM Flash，公司此前现已宣告正式将25nmNAND闪存芯片推出上市，不过此前两边都还没有泄漏这款芯片中使用了AirGap技能制造互联层的介电层。
Chipworks网站的分析师Dick James称：“这是首款商用化的应用了AirGap技能的产品。”包含IBM公司在内，许多公司都从前热捧过这项技能，但该技能在他们的实践产品中均未开花结果。
在一份在IDEM上发布的文件中，Intel和镁光介绍了其64Gb密度的MLC NAND芯片产品，这款产品在芯片字线上的晶体管栅极半节距长度为24.5nm，位线方向上则为28.5nm，晶体管单元的面积为0.0028平方微米。文件中还称：“晶体管选用液浸式193nm光刻技能，合作了高档栅节距减缩技能，很好地操控了图形边际的线性粗糙度和不同光刻目标要害标准的改变率。”
文件中还介绍称：“在25nm标准，5%的要害长度改变率相当于3个晶格方位的长度.因为inhibit操作期间需求阻隔6V左右的电压，因而晶体管功用区的浅槽阻隔结构在深度方向上的标准很难显着减缩，这样产品的浅槽阻隔结构的深宽比将高达7：1。而任何结构标准上的不一致，都会导致晶体管功用区的曲折，举例而言，假如要害标准改变了3nm，那么沟道的错位间隔可会高达10nm。因而，操控晶体管结构标准的稳定性，对确保NAND阵列的杰出功能非常重要。过度减缩字线间隔，会导致字线间电容的添加和晶体管界面电容的添加。”
文件最终部分写道：“要处理这个问题，咱们引入了空气隙技能，这种结构将在字线之间生成;一起位线间咱们也使用了这种技能。”
阐明：Airgap技能即在介电层嵌入空气隙的技能，其本质与Low-K电介质的性质相同，均是企图减小导线间%&&&&&%，进步电路运转速度的技能。
