IBM估计将在下一年运用新创公司Diablo Technologies的技能，为伺服器双列直插式记忆体模组(DIMM)插槽参加 NAND 快闪记忆体(flash)。该公司并计划在 DIMM 埠中选用自行规划的控制器晶片。
此外，IBM并加倍扩增上一年从Texas Memory Systems公司收买而来的 flash 控制器规划团队规划。估计在今年年底前，该团队将为其最佳化的贮存阵列推出增强版控制器，并调配东芝 NAND 晶片一起运用。该公司希望未来版别的控制器能与任何供货商的 flash 晶片调配运用。
IBM由收买Texas Memory组成的最新事业部──IBM Flash System副总裁Michael Kuhn共享了该公司在 flash 事务方面的开发蓝图。
IBM的客户八成都必须「因应各种不同的 flash 布置形式」，Kuhn说。
用处包含刺进于 SATA 的直连式固态硬碟以及硬碟用序列式 SCSI 介面、调配 Fusion-IO 与 LSI 的 PCI Express 插槽，以及现在的 DIMM 。
Kuhn表明：「我想你将会在2014年时看到 flash 在 DIMM 插槽中的使用。下一年咱们将选用 Diablo 控制器以及咱们自行开发的控制器打开一些作业。」
英特尔(Intel)固态硬碟专家Knut Grimsrud则看淡 DIMM插槽使用于快闪记忆体的重要性。他指出，该介面并未能比PCI Express供给更好的速度与推迟特性比，因而为 flash 晶片的存取时间带来一些瓶颈。此外，除非 flash DIMM 持援随机存取，否则在使用上非常有限。
IBM的Texas Memory产品系列则采纳不同的办法，专心于更高的容量与更广泛的系统管理功用──在Fibre Channel 或 Infiniband 贮存网路上的1U机箱上刺进高达20TB的 flash 。Kuhn指出，IBM未来还将供给可刺进于 FCoE 网路的产品系列。
新的3级单元 flash 晶片类型也为 flash 子系统敞开了一些新挑选。Kuhn猜测， IBM Research与其它单位正开发的相变记忆体将在2016年上市。
一起，IBM在 flash 范畴面对的竞赛来自于EMC等现有的大型供货商，以及新创公司，如Violin Memory等。此外，NetApp也估计在下一年推出自家 flash 阵列。
