MEMS技能是跟着集成电路，尤其是超大规模集成电路开展起来的一门新技能，通过几代科学家的尽力，MEMS现在在不同的职业和不同的范畴相继规模化出产，展示了微机电体系及其微体系的巨大使用远景。
MEMS技能被誉为21世纪具有革命性的高新技能，也被称为颠覆性技能之一。其诞生和开展是“需求牵引”和“技能推进”的归纳成果，更是一部恢宏雄壮的技能演化史，蕴涵了历代科技前驱们的智慧结晶。所以，传感器专家网整理了MEMS技能开展史上的关键时刻。
1947年，美国贝尔试验室创造点接触式双极性晶体管，现代半导体工业自此诞生，信息年代就此敞开。晶体管可以说是20世纪最重要的创造，距今已经有70多年了。
1954年，C.S史密斯发现了硅锗的压阻效应（当遭到应力效果时电阻率发生变化．这种因为外力的效果而使资料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”）。许多MEMS压力传感器利用了这一特性，尔后，压力传感器初步商业化。
1958年9月12日，JackKilby严重地将十伏电压接在了输入端，再将一个示波器连在了输出端，接通的一刹那，示波器上呈现了频率为1.2兆赫兹，振幅为0.2伏的震动波形。现代电子工业的第一个用单一资料制成的集成电路诞生了。一周后，JackKilby用相同的办法成功地做出了一个触发电路。JackKilby的试验告知人们，将各种电子器材集成在一个晶片上是可行的，世界从此进入了集成电路年代。
1959年，美国物理学家理查·费曼宣布名为《底部有满足的空间》的讲演，他对纳米技能提出了预言，且极大地推进了微纳技能（NEMS）的研讨。
1962年，细小器材的前驱——第一个硅微压力传感器面世，创始了MEMS技能的先河。它的特征是用硅膜、压敏电阻和体硅腐蚀。它是MEMS微传感器的起始点，一起也是MEMS体加工（bulkmicromachining）的起始点。
1967年，美国西屋研讨试验室Nathanson等人报导了硅谐振栅晶体管。它的特征是用静电鼓励起栅振荡，它是MEMS履行器的起始点。
1968年，硅谐振栅晶体管（RGT）获得专利，这是最早的微静电履行器，也是最早的外表微加工技能。
1971年，英特尔公司的费金工程师制造出了世界上第一只商品化的CPU微处理器：Intel4004，它被称为“超大规模集成电路”，创始了微型计算机的新年代。
1978年，美国IBM的Bassous等人报导了硅微喷嘴。它是MEMS微结构的起点。
1979年，惠普公司创造了世界第一个MEMS喷墨打印头，MEMS技能初步用于制造喷嘴。
1982年，X光LIGA光刻技能被发布，可开发深邃宽比，高精度的2D、3D微结构件及微体系。
1986年，根据MEMS的原子力显微镜（AFM）技能诞生，极大地促进了外表微纳技能的开展。
1987~1988年间，一系列关于微机械和微动力学的技能会议举行，MEMS一词在这些会议中被广泛选用并逐步成为一个世界性的学术用语。1987年美国伯克利加州大学创造了微马达，引起世界学术界的颤动，人们看到了电路与履行部件集成制造的可能性。1988年美国的一批闻名科学家提出“小机器、大机会”，并呼吁美国注重这一严重范畴的开发。
1992年，MEMS光栅光调制器面世，广泛使用于显现技能，图画印刷，平板印刷和光通讯中。
1993年，多用户同享MEMS工艺（MUMPS）呈现，人们初步研讨MEMS的规范工艺。一起，美国ADI公司选用MEMS技能成功完成微型加速度计的商品化，大批量使用于轿车防撞气囊，标志着MEMS技能工业化的初步。
1994年，博世创造硅深邃宽比加工的深度反应离子刻蚀工艺（DRIE），成为了MEMS的干流工艺。尔后，MEMS技能开展迅速，特别是环绕深槽刻蚀技能开展出多种新式加工工艺。
2000年，MEMS高速开展，光学、声学、生物等范畴呈现了五花八门的微器材，MEMS光学传感器迸发。
尔后，MEMS工艺不断获得发展，商业化浪潮也越发汹涌~
