绝缘栅场效应管的品种较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但现在运用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表明，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），而且制作工艺比较简单，运用灵敏便利，十分有利于高度集成化。
绝缘栅型场效应管作业原理
绝缘栅场效应管的导电机理是，运用UGS 操控“感应电荷”的多少来改动导电沟道的宽窄，然后操控漏极电流ID。若UGS=0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS=0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。
图二
图2中衬底为P型半导体，在它的上面是一层SiO2薄膜、在SiO2薄膜上盖一层金属铝，如果在金属铝层和半导体之间加电压UGS，则金属铝与半导体之间发生一个垂直于半导体外表的电场，在这一电场效果下，P型硅外表的大都载流子-空穴遭到排挤，使硅片外表发生一层缺少载流子的薄层。一起在电场效果下，P型半导体中的少数载流子-电子被招引到半导体的外表，并被空穴所抓获而构成负离子，组成不行移动的空间电荷层（称耗尽层又名受主离子层）。
UGS愈大，电场排挤硅外表层中的空穴愈多，则耗尽层愈宽，且UGS愈大，电场愈强；当UGS 增大到某一栅源电压值VT（叫临界电压或敞开电压）时，则电场在排挤半导体外表层的大都载流子-空穴构成耗尽层之后，就会招引少数载流子-电子，继而在外表层内构成电子的堆集，然后使本来为空穴占大都的P型半导体外表构成了N型薄层。因为与P型衬底的导电类型相反，故称为反型层。在反型层下才是负离子组成的耗尽层。这一N型电子层，把本来被PN结高阻层离隔的源区和漏区连接起来，构成导电沟道。
用图2所示电路来剖析栅源电压UGS操控导电沟道宽窄，改动漏极电流ID 的联系：当UGS=0时，因没有电场效果，不能构成导电沟道，这时尽管漏源间外接有ED电源，但因为漏源间被P型衬底所离隔，漏源之间存在两个PN结，因而只能流过很小的反向电流，ID ≈0；当UGS》0并逐步增加到VT 时，反型层开端构成，漏源之间被N沟道连成一体。
这时在正的漏源电压UDS效果下；N沟道内的多子（电子）发生漂移运动，从源极流向漏极，构成漏极电流ID。明显，UGS愈高，电场愈强，外表感应出的电子愈多，N型沟道愈宽沟道电阻愈小，ID愈大。
怎么防止绝缘栅型场效应管击穿
因为绝缘栅场效应管的输入阻抗十分高，这本来是它的长处，但在运用上却带来新的问题。因为输入阻抗高，当带电荷物体一旦接近栅极时，在栅极感应出来的电荷就很难经过这个电阻泄放掉，电荷的累积造成了电压的升高，尤其是在极间电容比较小的状况本下，少数的电荷就会发生较高的电压，以致管子还没运用或许在焊接时就现已击穿或许呈现目标下降的现象，特别是MOS管，其绝缘层很薄，更易击穿损坏。为了防止呈现这样的事端，关键在于防止栅极悬空，也就是在栅源南北极之间有必要坚持直流通路。通常是在栅源南北极之直接一个电阻（100K以内），使累积电荷不致过多，或许接一个稳压管，使电压不致超越某一数值。在保存时应使3个电极短路，并放在屏蔽的金属盒内;把管子焊到电路上或取下来时，也应该先将各个电极短路;装置测验时所用的烙铁仪器等要有杰出的接地，最好拔掉电烙铁的电源再进行焊接。
