CMOS集成电路的功能及特色有哪些?
CMOS集成电路功耗低
CMOS集成电路选用场效应管,且都是互补结构,作业时两个串联的场效应管总是处于一个管导通,另一个管截止的状况,电路静态功耗理论上为零。实际上,由于存在漏电流,CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW,动态功耗（在1MHz作业频率时）也仅为几mW。
CMOS集成电路作业电压规模宽
CMOS集成电路供电简略,供电电源体积小,根本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路,可在3~18V电压下正常作业。
CMOS集成电路逻辑摆幅大
CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”别离接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。当VDD=15V,VSS=0V时,输出逻辑摆幅近似15V。因此,CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中目标是较高的。
CMOS集成电路抗干扰才能强
CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%,确保值为电源电压的30%。跟着电源电压的添加,噪声容限电压的绝对值将成份额添加。关于VDD=15V的供电电压（当VSS=0V时）,电路将有7V左右的噪声容限。
CMOS集成电路输入阻抗高
CMOS集成电路的输入端一般都是由维护二极管和串联电阻构成的维护网络,故比一般场效应管的输入电阻稍小,但在正常作业电压规模内,这些维护二极管均处于反向偏置状况,直流输入阻抗取决于这些二极管的走漏电流,通常情况下,等效输入阻抗高达103~1011Ω,因此CMOS集成电路几乎不耗费驱动电路的功率。
CMOS集成电路温度安稳功能好
由于CMOS集成电路的功耗很低,内部发热量少,并且,CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性,在温度环境发生变化时,某些参数能起到主动补偿效果,因此CMOS集成电路的温度特性非常好。一般陶瓷金属封装的电路,作业温度为-55 ~ +125℃;塑料封装的电路作业温度规模为-45 ~ +85℃。
CMOS集成电路扇出才能强
扇出才能是用电路输出端所能带动的输入端数来表明的。由于CMOS集成电路的输入阻抗极高,因此电路的输出才能受输入电容的约束,可是,当CMOS集成电路用来驱动同类型,如不考虑速度,一般能够驱动50个以上的输入端。
CMOS集成电路抗辐射才能强
CMOS集成电路中的根本器材是MOS晶体管,归于大都载流子导电器材。各种射线、辐射对其导电功能的影响都有限,因此特别适用于制造航天及核实验设备。
CMOS集成电路可控性好
CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间能够操控,其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的125%~140%。
CMOS集成电路接口便利
由于CMOS集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大,所以易于被其他电路所驱动,也简单驱动其他类型的电路或器材。
