5、承继以上条件，将开槽改为在参阅平面GND2上，参阅平面GND1坚持完好，其三维几何图形如图11:
图14 参阅GND2 平面开槽的三维几何图形
进行剖析核算。成果如下为：
图15 S 参数
如图8 能够查出：T1 的S11 为0.33514,S21 为0.90913;T2 的S11 为0.048959,S21 为0.90467.
与图比较T1 的S11 为0.36357,S21 为0.79713;T2 的S11 为0.382,S21 为0.78853.GND2开槽比GND1 开槽对信号质量影响要小。因为GND2 与SIG 的介质较厚，相对的电场能量更多的会集在GND1.
图16 参阅平面GND2 开槽——S 参数曲线图
对图10 和图16 进行插入损耗的S 参数和回波损耗的S 参数比较如图17.
图17 参阅平面GND1 开槽与参阅平面GND2 开槽S 参数比较图
如图17 所示：因为GND2 与SIG 的介质较厚，相对的电场能量更多的会集在GND1,所以在GND2 开槽对信号的质量影响要比在GND1 开槽小的多。
在奇模和耦模的方法下S 参数的比较。信号回路的电场能量首要会集在接近的参阅平面上。在此之比较SDD21 和SCC21,即只比较奇模和偶模的插入损耗。在这将开槽平面GND1与开槽平面GND2 进行SDD21和SCC21 的S 参数曲线进行比较。如图18 所示：
图18 开槽平面GND1 与开槽平面GND2 奇模和耦模的S 参数比较图
如图18所示：开槽对奇模影响小，对耦模影响大;对附近的参阅平面开槽对信号质量的影响要比相对远的的参阅平面开槽要小。
然后进行铜箔参阅平面的场界说。
铜箔参阅平面GND1 Polt fields 为Mag_E,成果如图19 所示：
图19 GND2 平面开槽状况下GND1 的电场散布图
铜箔参阅平面GND2 Polt fields 为Mag_E,成果如图20所示：
图20 参阅平面GND2 开槽状况下GND2 的电场散布图
将图6、图7和图19、20比较，在GND2开槽后，平面GND1和平面GND2的电场能量散布均有较大的不同。电场能量不再彻底会集在信号下方而是在整个平面上凹凸不同的电场能量都，可是GND1参阅平面的电场散布改变较小，电场能量散布仍是首要会集了信号的正下方。比较较而言GND2参阅平面的电场能量散布改变较大。当信号线回来与回流途径平面间的间隔大于等于两信号线边际间隔时，回流途径平面内的电场能量彼此堆叠，回流途径平面的存在对信号线。此刻，关于差分信号来说，首要以GND1做为回流途径。
6、承继以上条件，在参阅平面GND1和GND2均开槽的三维几何图形如图21.
图21 参阅平面GND1 和参阅平面GND2 均开槽的三维几何图形
进行剖析核算。成果如下图22、23:
图22 参阅平面GND1 和GND2 均开槽–S 参数曲线图
图23 S 参数
如图22能够查出：T1 的S11 为0.53287,S21 为0.6064;T2 的S11 为0.59312,S21 为0.56752.
S11>-3dB,S21>-20dB.在这种状况下信号质量严峻劣化，底子不能确保信号的正常传输。
对图10、图16 和图23进行参阅平面GND1 开槽、参阅平面GND2 开槽与参阅平面GND1和GND2 均开槽插入损耗的S 参数比较图，如图24:
图24 三种参阅平面开槽状况的S 参数比较图
对三种参阅平面开槽方法的SDD21 和SCC21 的S 参数曲线进行比较。如图25所示：
图25 三种参阅平面开槽方法的奇模和耦模的S 参数比较
如图26 和图27,三种参阅平面开槽方法对信号传输质量带来的影响有较大的差异。GND2参阅平面开槽对信号传输质量影响最小;其次是GND1 参阅平面开槽;对信号传输质量影响最大的是GND1 和GND2 两个参阅平面据开槽的状况。前两种状况是否能满意信号质量，还要看开槽的巨细和信号的波长。因为时刻有限在这里不做研讨，在后期会持续讨论。
然后进行铜箔参阅平面的场界说。
铜箔参阅平面GND1 Polt fields 为Mag_E,成果如图26 所示：
图26 两个参阅平面均开槽状况下GND1 的电场散布图
