IGBT，中文姓名为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器材，既有MOSFET器材驱动功率小和开关速度快的特色(操控和呼应)，又有双极型器材饱满压下降而容量大的特色(功率级较为经用)，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常作业于几十kHz频率范围内。
抱负等效电路与实践等效电路如图所示：
IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不必考虑，要点考虑动态特性(开关特性)。
动态特性的简易进程可从下面的表格和图形中获取：
IGBT的注册进程
IGBT 在注册进程中，分为几段时刻
1.与MOSFET相似的注册进程，也是分为三段的充电时刻
2.只是在漏源DS电压下降进程后期，PNP晶体管由放大区至饱满进程中添加了一段延迟时刻。
在上面的表格中，界说了了：注册时刻Ton，上升时刻Tr和Tr.i
除了这两个时刻以外，还有一个时刻为注册延迟时刻td.on:td.on=Ton-Tr.i
IGBT在关断进程
IGBT在关断进程中，漏极电流的波形变为两段。
榜首段是依照MOS管关断的特性的
第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管上存储的电荷难以敏捷开释，形成漏极电流较长的尾部时刻。
在上面的表格中，界说了了：关断时刻Toff，下降时刻Tf和Tf.i
除了表格中以外，还界说
trv为DS端电压的上升时刻和关断延迟时刻td(off)。
漏极电流的下降时刻Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而总的关断时刻能够称为toff=td(off)+trv十t(f)，td(off)+trv之和又称为存储时刻。
从下面图中可看出具体的栅极电流和栅极电压，CE电流和CE电压的联系：
从别的一张图中细看MOS管与IGBT管栅极特性或许更有一个清楚的概念：
敞开进程
关断进程
测验去核算IGBT的敞开进程，主要是时刻和门电阻的散热状况。
C.GE 栅极-发射极电容
C.CE 集电极-发射极电容
C.GC 门级-集电极电容(米勒电容)
Cies = CGE + CGC 输入电容
Cres = CGC 反向电容
Coes = CGC + CCE 输出电容
依据充电的具体进程，能够下图所示的进程进行剖析
对应的电流可简单用下图所示：
第1阶段：栅级电流对电容CGE进行充电，栅射电压VGE上升到敞开阈值电压VGE(th)。这个进程电流很大，乃至能够到达几安培的瞬态电流。在这个阶段，集电极是没有电流的，极电压也没有改变，这段时刻也便是死区时刻，因为只对GE电容充电，相对来说这是比较简单核算的，因为咱们选用电压源供电，这段曲线确实是一阶指数曲线。
第2阶段：栅极电流对Cge和Cgc电容充电，IGBT的开端敞开的进程了，集电极电流开端添加，到达最大负载电流电流IC，因为存在二极管的反向恢复电流，因而这个进程与MOS管的进程略有不同，一起栅极电压也到达了米勒渠道电压。
第3阶段：栅极电流对Cge和Cgc电容充电，这个时分VGE是彻底不变的，值得咱们留意的是Vce的改变非常快。
第4阶段：栅极电流对Cge和Cgc电容充电，跟着Vce缓慢改变成稳态电压，米勒电容也跟着电压的减小而增大。Vge依旧维持在米勒渠道上。
第5阶段：这个时分栅极电流持续对Cge充电，Vge电压开端上升，整个IGBT彻底翻开。
我的一个搭档在做这个将整个进程等效为一阶进程。
假如以这个电路作为驱动电路的话：
驱动的等效电路能够表明为：
运用RC的充放电曲线可得出时刻和电阻的功率。
这么算的话，就等于用指数曲线，替代了整个上升进程，结果与等效的进程仍是有些距离的。
不过因为C.GE，C.CE，C.GC是改变的，并且电容两头的电压时刻在改变，咱们无法彻底整理出一条思路来。
许多供货商都是引荐运用Qg来做运算，核算方法也能够整理出来，仅有的改变在于Qg是在必定条件下测定的，咱们并不知道这种做法的容差是多少。
我觉得这种做法的最大的问题是把整个Tsw悉数作为充放电的时刻，对此仍是略有些疑问的。
