为下降质料本钱，触控面板厂活跃找新资料，盼代替占本钱40%左右的氧化铟锡（ITO）薄膜。在此布景下，金属网格（Metalmesh）、纳米银线（Agnanowire）、碳纳米管（CNT）、石墨烯（Graphene）等代替资料鼓起，遭到各大触控厂商喜爱。
其他，触控面板用氧化铟锡（ITO）薄膜首要资料为铟锡（Indium），全球58%产值会集在我国大陆，因铟锡产值遭约束，导致价格上涨。因国内约束铟锡产值，触控面板厂费尽心思开发代替资料，以确保大规范触控面板的价格竞赛力。
下面将带咱们一起来看看这些代替氧化铟锡（ITO）薄膜的新资料的布局状况。
一、各厂商争相布局Metalmesh金属网格技能
Metal-Mesh是有别于传统的ITO的触控导电层，其特色之一是以Film为根底，现在仅仅触控技能之一，在手机和中规范触控屏中运用比较多。MetalMesh具有以下优势：首要，从工艺制程上来看，资料不会有糟蹋，资料自身本钱也相对更贱价。其次，接触屏方阻低，导电功能更高，反响速度快，用户体会更完美。
2013年开端，触控面板厂抢触控笔记本商机，纷繁开端布局MetalMesh金属网格技能，继大陆触控厂欧菲光、界面在本年底推出MetalMesh触控面板之后，胜华也宣告推MetalMeshOGS面板。
针对轻浮化的趋势，胜华还祭出了GFG可挠式触控面板，估计2014年上半年量产。
尽管NB商场阑珊，不过一年仍有超越2亿台的规划，以10~20%的商场浸透率核算，触控笔记本一年出货量高达2，000~4，000万台，数量适当可观。因为ITO导电度比金属差，在屏幕规范扩大之后，影响到触控灵敏度，因而触控面板厂纷繁投入MetalMesh触控的开发。
胜华表明，本年成功开发MetalMesh技能，运用曩昔TFT面板用的曝光机，把MetalMesh做在OGS单片式触控面板上，不只提升了触控灵敏度，而且因为电阻下降，还可以到达外表悬浮（hovering）的触控作用。包含手机大厂、以及NB厂都很有爱好，现在现已送样给客户验证中，最快2014年上半年可望导入量产。
胜华董事长黄显雄在本年宣告公司正在开发全新的 GFG（GlassFlexibleGlass）触控面板，也便是外层是一面维护玻璃，调配一片超薄的flexibleglass可挠式玻璃。尽管是两片玻璃，可是超薄玻璃厚度仅厚度约0.1~0.2毫米，不只产品轻浮，而且透光度可达9成以上。
胜华表明，GFG触控面板出产比较简单规范化，量产后本钱可以快速下降，现在也正在跟客户推行。
本年各家触控面板大厂都活跃开发MetalMesh触控技能，10月份大陆触控面板厂欧菲光宣告量产MetalMesh触控面板，供货给大陆笔记本大厂。而界面日前宣告全规范MetalMesh触控面板。
界面表明，现在现已有包含手机以及平板电脑客户在接触，12月可以开端小量出货，跟着客户的新产品连续量产，预期2014年第2季就将满载。界面方案在2014年第2季扩产。现在MetalMesh触控面板的产能约5万平方米，下一年下半年还将会扩产，再添加25万平方米。
二、触控巨子宸鸿进攻纳米银
纳米线是一种纳米规范（1纳米=10^-9米）的线。换一种说法，纳米线可以被界说为一种具有在横向上被约束在100纳米以下（纵向没有约束）的一维结构。这种规范上，量子力学效应很重要，因而也被称作“量子线”。依据组成资料的不同，纳米线可分为不同的类型，包含金属纳米线（如：Ni，Pt，Au等），半导体纳米线（如：InP，Si，GaN等）和绝缘体纳米线（如：SiO2，TiO2等）。分子纳米线由重复的分子元组成，可以是有机的（如：DNA）或许是无机的（如：Mo6S9-xIx）。作为纳米技能的一个重要组成部分，纳米线可以被用来制作超小电路。银纳米线除具有银优秀的导电性之外，因为纳米级其他规范效应，还具有优异的透光性、耐曲挠性。因而被视为是最有或许代替传统ITO通明电极的资料，为完成柔性、可弯折LED显现、接触屏等供给了或许，并已有许多的研讨将其运用于薄膜太阳能电池。此外因为银纳米线的大长径比效应，使其在导电胶、导热胶等方面的运用中也具有杰出的优势。
TPK宸鸿与日写协作：进攻纳米银
F-TPK宸鸿与日本写真宣告战略结盟，联手进攻纳米银线（SNW）触控技能，以下降本钱，进军5至6寸的中阶智能机触控商场，一起迎战大陆竞赛对手的价格战，重回曩昔高获利水平。
TPK与Cambrios从前合资树立TPKFilm，专门研制 SNW技能，现在资本额为1500万美元，引进日本写真（日写）后，将增资到2500万美元，TPK加码出资400万美元，日写出资625万美元，TPK、日写及Cambrios三方的股权份额分别为65%、25%及10%。
TPK事长江朝瑞表明，TPK与Cambrios协作开发SNW已逾3年，日写将导入薄膜制程与滚动条式出产技能，两边一起拟定全球SNW的规范与规范，以树立专利门槛，阻挠对手进入。
TPK财政长刘诗亮说，TPKFilm预订第4季打样，下一年第2季量产，2014下半年产能将达200万片，初期主攻智能手机及平板电脑。
纳米银是通明导电资料，可以运用在触控感测导电图型结构的制程中，纳米银触控是现在最新且具本钱竞赛力的触控技能，开发有助简化制程，下降本钱。
法人剖析，宸鸿是全体手机、平板电脑供应链中，仅有主打纳米银触控技能的厂商，纳米银诉求穿透率高级功能优势，但因为纳米银触控技能没有遍及，价格偏高，现在触控设备以中贱价位的智能手机与平板电脑为首要商场，假使技能不成熟、价格贵，恐怕短时间难打入商场。
宸鸿迎战贱价触控竞赛推出贱价纳米银处理方案
宸鸿总经理孙大明表明，上一年遭遇内嵌式（incell）触控面板鼓起的冲击，宸鸿都能方便的处理，本年迎战贱价触控面板竞赛，宸鸿将加强中低端产品布局，并推出贱价的纳米银处理方案，可望顺畅过关。
宸鸿财政长刘诗亮指出，曩昔宸鸿的基因是做高端产品，从技能演进来看，现在来做低规范的产品，具有技能上的优势，宸鸿将开发中低端产品，尽管获利会比较低、毛利下降，但量大时，全体获利也会不错。
本年以来，触控笔电出售未如预期，价格偏高是主因，触控面板厂纷繁开发贱价触控面板，以利抢进触控笔电商场。他说，宸鸿推出单片式触控（OGS）面板，确定笔电商场，除既有的高端产品，也将推出贱价产品。
三、日本开端量产单层碳纳米管（CNT）
碳纳米管作为一维纳米资料，重量轻，六边形结构衔接完美，具有许多反常的力学、电学和化学功能。近些年跟着碳纳米管及纳米资料研讨的深化其宽广的运用远景也不断地展示出来。碳纳米管具有高传热、高导电性优秀、碳纳米管具有杰出的力学功能，CNTs抗拉强度到达50～200GPa，是钢的100倍，密度却只要钢的1/6，至少比惯例石墨纤维高一个数量级；它的弹性模量可达 1TPa，与金刚石的弹性模量适当，约为钢的5倍。碳纳米管是现在可制备出的具有最高比强度的资料。若将以其他工程资料为基体与碳纳米管制成复合资料，可使复合资料体现出杰出的强度、弹性、抗疲劳性及各向同性，给复合资料的功能带来极大的改进。
2014年2月，日本总算开端量产单层碳纳米管（CNT）了。别离技能也获得了巨大开展，往后有望完成曾经无法完成的产品。石墨烯的带隙问题也呈现了处理的期望。
什么样的碳元件能实用化首要取决于CNT和石墨烯等资料的质量及价格。现在，总算能以低本钱收购高质量的CNT和石墨烯了，而且还有期望挑选具有特定带隙的资料。
单层CNT：组成和别离均获得开展
日本从2014年2月开端量产单层碳纳米管（CNT）。单层CNT的量产在全球还比较罕见注1）。假如每克高达10多万日元的单层CNT价格能通过量产下降，运用单层CNT的碳元件就会添加，然后促进单层CNT的价格进一步下降，这样就有望构成良性循环。
除此之外，量产较高质量单层CNT的还有首要推出CNT接触面板的我国富纳源创。2002年开发出了称为“Super-AlignedCNTArray”的CVD法。与SG法类似，不过SG法是2004年开发的。
选用两种办法的工厂连续投入工作
现在，量产高质量单层CNT的技能首要可分为两种。日本最近工作的量产工厂也选用了隶属于这两种分类的技能。首要，2014年2月开端量产的是称为eDIPS（增强直喷热解组成）法的技能（图1）。
该技能由日本工业技能归纳研讨所开发。名城大学树立的危险企业——名城纳米碳公司建设了选用该技能的量产工厂，于2014年2月投入运用。“选用eDIPS法一小时可组成一克单层CNT。包含精粹进程的成品率在内，与咱们此前运用的电弧放电法比较，具有100倍的量产性”（名城纳米碳公司代表董事桥本刚）。
另一种量产技能称为超速成长（SG）法，也是由工业技能归纳研讨所开发的。SG法现已发动了长12m的大型验证工厂。不过，往后才要开端大规划量产。日本瑞翁（Zeon）正考虑2015年发动年产10吨规划的工厂。
依据碳元件的品种区别运用
这两种量产技能相互之间不存在竞赛。因为可组成的单层CNT的类型不同。因而，都是依据用处区别运用组成法。
首要，eDIPS法是化学气相法（CVD）的一种，从反响炉上投入碳源和作为催化剂的金属微颗粒物，在气相中成长CNT。既不运用基板也不运用固定催化剂的载体。无需清洁车间，能在大气压下制作。
运用这种办法组成的单层CNT结晶缺点少，纯度高达90～95％，远远高于本来的组成办法。CNT的直径比较细，只要1n～2nm。
该办法的最大特色是，“通过操控反响条件，可在约10％的范围内制作所需的直径”（工业技能归纳研讨所纳米管运用研讨中心流动气相成长CNT小组研讨组长斋藤毅）。
单层CNT的结晶缺点罕见助于载流子搬迁率、发光功率和机械强度等都完成高水平。直径可选意味着假如单层CNT是半导体型，可以挑选带隙规范。因而，运用eDIPS法组成的单层CNT合适用作半导体资料。
可以悉数别离的技能露脸
最近开发出了根本不运用电力就能别离手性各异的单层CNT的办法。那便是“柱别离法”，该办法是工业技能归纳研讨所纳米系统研讨部分首席研讨员片浦弘道的研讨小组开发的。据片浦介绍，“量产时的本钱可降至密度梯度超离心别离法的1/100”。
该办法是向加入了医疗范畴用于蛋白质别离等的多孔质凝胶的柱体，浇注含手性各异的单层CNT的溶液。这样一来，溶液中最简单与凝胶吸附的CNT就留在了凝胶中，而其他成分被排出。
然后，让排出的溶液再次通过凝胶，剩下的CNT中最简单吸附凝胶的CNT又留在凝胶中，其他被排出。
通过重复这个进程，单层CNT根本可以依据手性的不同悉数别离。其他最近，即便手性相同，还可以依据右旋仍是左旋等差异进行别离。
现在的课题是，凝胶价格十分高。不过，“凝胶的质料比较廉价，因而量产的话就能下降单价”（片浦）。
“玉石稠浊”的状况将完毕
许多CNT碳元件的研讨人员都对柱别离法体现出了激烈的爱好。这是因为，曾经一向运用半导体型与金属型混合这种“玉石稠浊”的资料制作元件，而现在忽然可以运用具有特定带隙的CNT了。有望完成功能十分高或许全新的元件。
趁便一提，关于半导体型和金属型的别离，NEC等也开发出了只运用很少电力的技能（图2（d））。特色是，CNT分散剂选用不会对晶体管等形成影响的非离子性外表活性剂；而且直径稍大、带隙较小的单层CNT可以别离成半导体型和金属型。
四、石墨烯制法新打破：将得到广泛运用
石墨烯是世界上最薄、导热性最高、导电性最好、柔软并通明、化学安稳性最强、最坚韧的资料将在手机显现屏、电池、传感器、元器材等方面给手机工业带来革命性运用。
它是一个只要原子厚的碳片，它类似于铅笔芯的资料─石墨，一起它也是地球上已知的最薄、但却比钢还要巩固200倍的新式资料。石墨烯不只是已知资猜中最薄的一种，还十分结实坚固；作为单质，它在室温下传递电子的速度比已知导体都快。石墨烯具有与铜适当的导电功率，又有优于其他资料的导热功能。石墨烯现在是世上最薄却也是最坚固的纳米资料，它几乎是彻底通明的，只吸收 2.3%的光；导热系数高达5300W/m？K，高于碳纳米管和金刚石，常温下其电子搬迁率比纳米碳管或硅晶体高，而电阻率比铜或银更低，为现在世上电阻率最小的资料榜首：石墨烯是迄今为止世界上强度最大的资料，据测算假如用石墨烯制成厚度适当于一般食物塑料包装袋厚度的薄膜（厚度约100纳米），那么它将能接受大约两吨重物品的压力，而不至于开裂；第二：石墨烯是世界上导电性最好的资料。因为石墨烯实质上是一种通明、杰出的导体，也合适用来制作通明触控屏幕、光板、乃至是太阳能电池。
而本年，两位俄裔英籍科学家将石墨烯成功从石墨中别离。假如说20世纪是硅的世纪，奇特的石墨烯则是21世纪新资料的宠儿。
上一年，来自国外的部分研讨机构发现，石墨烯这种资料具有难以置信的光吸收才能，而且还能把吸收的光波敏捷转化为波长更短、频率更高的激光，继续时间为几飞秒。科学家们表明，运用这个新发现，未来他们可以发明更耐高温的激光发射兵器（石墨烯超耐高温）。当然，这个发现现在仅存在于试验室，假如科学家们树立出实体模型，将可以添加激光发射器的运用寿命和发射功率。
不只是在国外，我国在开展石墨烯激光器的道路上相同获得令人瞩目的开展。
日前，泰州巨纳新动力有限公司研制的商用石墨烯飞秒光纤激光器（Fiphene）面世，这也是全球首台商用石墨烯飞秒光纤激光器。一起，该激光器还发明了脉冲宽度最短（105fs）和峰值功率最高（70kW）两项石墨烯飞秒光纤激光器世界纪录。
该产品被命名为Fiphene，取Fiber（光纤）和Graphene（石墨烯）两个词的组合。泰州巨纳新动力有限公司方案以Fiphene为渠道，推出更多石墨烯光纤激光器产品，将石墨烯的运用开展向前推动。
飞秒光纤激光器的运用范畴十分宽广，包含激光成像、全息光谱及超快光子学等科研运用，以及激光资料精密加工、激光医疗（如眼科手术）、激光雷达等范畴。传统的飞秒光纤激光器中心器材——半导体饱满吸收镜（SESAM）选用半导体成长工艺制备，本钱很高，且技能由国外独占。
在飞秒光纤激光器范畴，石墨烯被认为是代替SESAM的最佳资料。 2010年诺贝尔物理学奖获得者撰文猜测石墨烯飞秒光纤激光器有望在2018年左右工业化。要完成真实的工业化，需求处理高质量石墨烯制备、大规划低本钱石墨烯搬运、石墨烯与光场强相互作用、石墨烯饱满吸收体封装以及激光功率安稳操控等一系列关键技能。泰州巨纳新动力有限公司通过多年继续研讨，成功霸占了这些关键技能，首要完成了石墨烯飞秒光纤激光器的产品化，首要功能指标均高于同类产品，具有很高的性价比和很强的商场竞赛才能。
近来，一支由法、美、德三国研讨机构和大学组成的世界研讨团队运用新办法组成了高质量石墨烯纳米带，并成功在室温下验证了其特别的导电功能。这种纳米带为新式电子设备的研制创始了新的开展空间。
石墨烯是一种由单层碳原子组成的资料，具有很多极为特别的物理特性，室温下电子在石墨烯资猜中的移动速度是硅导体的200倍。此前的研讨现已证明，碳纳米管（由石墨烯弯曲而成的圆筒结构）具有极好的导电功能，但是结构较为杂乱的碳纳米管难以安装在电子芯片内部。因而，科研人员将研讨转向石墨烯的其他一种方式——扁平的石墨烯纳米带。
该研讨团队规划出一套奇妙的办法，成功制备出宽度仅为40纳米的高质量石墨烯纳米带。此前的石墨烯纳米带边际较为粗糙，这严重影响了其导电性，是阻止石墨烯纳米带电子传输的一大妨碍。为处理这一问题，研讨人员在碳化硅晶体上切割出边际规整的带状凹槽，并直接在这些凹槽上制备石墨烯纳米带。在测验新制备纳米带导电性的试验中，常温下的电子搬迁率超越了100万cm2/Vs（每单位电场下电子的搬迁速率），是运用于核算机内存的硅半导体的1000倍（一般低于1700cm2/Vs）。
此外，新的制备办法适用于大批量规划出产，并可以确保石墨烯纳米带的结构质量，这使得石墨烯在电子范畴的广泛运用成为或许。
