绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT或IGT）
GTR和MOSFET复合，结合二者的长处，具有好的特性。80年代中期面世以来，逐渐替代了GTR和一部分MOSFET的商场，中小功率电力电子设备的主导器材。
IGBT的结构
IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR。从图中咱们还能够看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管，寄生晶闸管有擎住作用。选用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上战胜寄生晶闸管的擎住作用。IGBT的低掺杂N漂移区较宽，因而能够阻断很高的反向电压。
IGBT的结构、符号及等效电路
IGBT的各种维护规划办法
IGBT（绝缘栅双极性晶体管）是一种用MOS来操控晶体管的新式电力电子器材，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特色，因而广泛运用在变频器的逆变电路中。但因为IGBT的耐过流才干与耐过压才干较差，一旦呈现意外就会使它损坏。为此，有必要但对IGBT进行相关维护 本文从实践运用动身，总结出了过流、过压与过热维护的相关问题和各种维护办法，有用性强，运用作用好。
1、过流维护
生产厂家对IGBT供给的安全作业区有严厉的约束条件，且IGBT接受过电流的时刻仅为几微秒（SCR、GTR等器材接受过流时刻为几十微秒），耐过流量小，因而运用IGBT首要留意的是过流维护。发生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、操控与驱动电路毛病或搅扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等构成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。
对IGBT的过流检测维护分两种状况：
（1）驱动电路中无维护功用。这时在主电路中要设置过流检测器材。关于小容量变频器，一般是把电阻R直接串接在主电路中，如经过电阻两头的电压来反映电流的巨细；关于大中容量变频器，因电流大，需用电流互感器TA（如霍尔传感器等）。电流互感器所接方位：一是像串电阻那样串接在主回路中；二是串接在每个IGBT上。前者只用一个电流互感器检测流过IGBT的总电流，经济简略，但检测精度较差；后者直接反映每个IGBT的电流，丈量精度高，但需6个电流互感器。过电流检测出来的电流信号，经光耦管向操控电路输出封闭信号，然后关断IGBT的触发，完成过流维护。
（2）驱动电路中设有维护功用。如日本英达公司的HR065、富士电机的EXB840～844、三菱公司的M57962L等，是集驱动与维护功用于一体的%&&&&&%（称为混合驱动模块），其电流检测是利用在某一正向栅压Uge下，正导游通管压降Uce（ON）与集电极电流Ie成正比的特性，经过检测Uce（ON）的巨细来判别Ie的巨细，产品的可靠性高。不同类型的混合驱动模块，其输出才干、开关速度与du/dt的接受才干不同，运用时要根据实践状况恰当选用。
因为混合驱动模块自身的过流维护临界电压动作值是固定的（一般为7～10V），因而存在着一个与IGBT合作的问题。一般选用的办法是调整串联在IGBT集电极与驱动模块之间的二极管V的个数，使这些二极管的通态压降之和等于或略大于驱动模块过流维护动作电压与IGBT的通态饱满压降Uce（ON）之差。
上述用改动二极管的个数来调整过流维护动作点的办法，尽管简略有用，但精度不高。这是因为每个二极管的通态压降为固定值，使得驱动模块与IGBT集电极c之间的电压不能接连可调。在实践作业中，改善办法有两种：
（1）改动二极管的类型与个数相结合。例如，IGBT的通态饱满压降为2.65V，驱动模块过流维护临界动作电压值为7.84V时，那么整个二极管上的通态压降之和应为7.84-2.65=5.19V，此刻选用7个硅二极管与1个锗二极管串联，其通态压降之和为0.7&TImes;7+0.3&TImes;1=5.20V（硅管视为0.7V，锗管视为0.3V），则能较好地完成合作（2）二极管与电阻相结合。因为二极管通态压降的差异性，上述改善办法很难准确设定IGBT过流维护的临界动作电压值 假如用电阻替代1～2个二极管，则可做到准确合作。
别的，因为同一桥臂上的两个IGBT的操控信号堆叠或开关器材自身延时过长等原因，使上下两个IGBT直通，桥臂短路，此刻电流的上升率和浪涌冲击电流都很大，极易损坏IGBT 为此，还能够设置桥臂互锁维护。图顶用两个与门对同一桥臂上的两个IGBT的驱动信号进行互锁，使每个IGBT的作业状况都互为另一个IGBT驱动信号可否经过的约束条件，只要在一个IGBT被承认关断后，另一个IGBT才干导通，这样严厉避免了臂桥短路引起过流状况的呈现。
2、过压维护
IGBT在由导通状况关断时，电流Ic忽然变小，因为电路中的杂散电感与负载电感的作用，将在IGBT的c、e两头发生很高的浪涌尖峰电压uce=L dic/dt，加之IGBT的耐过压才干较差，这样就会使IGBT击穿，因而，其过压维护也是十分重要的。过压维护能够从以下几个方面进行：
（1）尽可能削减电路中的杂散电感。作为模块规划制造者来说，要优化模块内部结构（如选用分层电路、缩小有用回路面积等），削减寄生电感；作为运用者来说，要优化主电路结构（选用分层布线、尽量缩短联接线等），削减杂散电感。别的，在整个线路上多加一些低阻低感的退耦电容，进一步削减线路电感。所有这些，关于直接削减IGBT的关断过电压均有较好的作用。
（2）选用吸收回路。吸收回路的作用是；当IGBT关断时，吸收电感中开释的能量，以下降关断过电压。常用的吸收回路有两种，如图4所示。其间（a）图为充放电吸收回路，（b）图为钳位式吸收回路。关于电路中元件的选用，在实践作业中，电容c选用高频低感圈绕聚乙烯或聚丙烯电容，也可选用陶瓷电容，容量为2 F左右。%&&&&&%量选得大一些，对浪涌尖峰电压的按捺好一些，但过大会遭到放电时刻的约束。电阻R选用氧化膜无感电阻，其阻值确实定要满意放电时刻显着小于主电路开关周期的要求，可按R≤T/6C核算，T为主电路的开关周期。二极管V应选用正向过渡电压低、逆向康复时刻短的软特性缓冲二极管。
（3）恰当增大栅极电阻Rg。实践证明，Rg增大，使IGBT的开关速度减慢，能显着削减开关过电压尖峰，但相应的增加了开关损耗，使IGBT发热增多，要合作进行过热维护。Rg阻值的挑选原则是：在开关损耗不太大的状况下，尽可能选用较大的电阻，实践作业中按Rg=3000/Ic 选取。
除了上述削减c、e之间的过电压之外，为避免栅极电荷堆集、栅源电压呈现尖峰损坏IGBT，可在g、e之间设置一些维护元件，电路如图5所示。电阻R的作用是使栅极堆集电荷泄放，其阻值可取4.7kΩ；两个反向串联的稳压二极管V1、V2。是为了避免栅源电压尖峰损坏IGBT。
3、过热维护
IGBT 的损耗功率首要包含开关损耗和导通损耗，前者随开关频率的增高而增大，占整个损耗的首要部分；后者是IGBT操控的均匀电流与电源电压的乘积。因为IGBT是大功率半导体器材，损耗功率使其发热较多（尤其是Rg挑选偏大时），加之IGBT的结温不能超过125℃，不宜长时间作业在较高温度下，因而要采纳恰当的散热办法进行过热维护。
散热一般是选用散热器（包含一般散热器与热管散热器），并可进行逼迫风冷。散热器的结构规划应满意：Tj=P△（Rjc+Rcs+Rsa）《Tjm 式中Tj－IGBT的作业结温
P△－损耗功率
Rjc－结－壳热阻vkZ电子资料网
Rcs－壳－散热器热阻
Rsa－散热器－环境热阻
Tjm－IGBT的最高结温
在实践作业中，咱们选用一般散热器与逼迫风冷相结合的办法，并在散热器上装置温度开关。当温度到达75℃～80℃时，经过SG3525的封闭信号中止PMW 发送操控信号，然后使驱动器封闭IGBT的开关输出，并予以关断维护。
