据韩媒BusinessKorea报导，IBM 和三星在电机电子工程师学会（IEEE）发布研讨论文声称，两家公司携手研制的STT-MRAM 的生产技能，成功完成10 奈秒（nanosecond）的传输速度和超省电架构，理论上体现逾越DRAM。韩国半导体业者指出，16纳米将是DRAM微缩制程的最终极限，包含FRAM在内的多种次世代存储（其它包含MRAM）备受等待。（本文引证自“本站网”报导，有删省）
什么是FRAM
FRAM（铁电随机存取存储器）选用铁电质膜用作电容器来存储数据，具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特色，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防篡改方面具有优势。
存储器分类中的FRAM
铁电存储器作业原理
当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它经过一个能量壁垒，然后引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子坚持不动，存储器的状况也得以保存。
PZT晶体结构和FRAM作业原理
上图表解说了PZT晶体结构，这种结构一般用作典型的铁电质资料。在点阵中具有锆和钛，作为两个稳定点。它们能够依据外部电场在两个点之间移动。一旦方位设定，即便在呈现电场，它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极组织了一个电容器。那么，电容器划分了底部电极电压和极化，逾越了磁滞回线。数据以“1”或“0”的方式存储。
比较之下，铁电电容的漏电流没有EEPROM、FLASH之类的传统非易失性存储器那么重要，由于FeRAM的信息存储是由极化来完成的，而不是自由电子。
与传统存储器比较，FRAM具有下列优势
· 非易失性
– 即便没有上电，也能够保存所存储的信息。
– 与SRAM比较，无需后备电池（环保产品）
· 更高速度写入
– 像SRAM相同，可掩盖写入不要求改写指令
– 关于擦/写操作，无等待时刻
写入循环时刻 =读取循环时刻
写入时刻： E2PROM的1/30，000
· 具有更高的读写耐久性
– 保证最大1012次循环（100万亿循环）/位的耐久力
耐久性：超越100万次的 E2PROM
· 具有更低的功耗
– 不要求选用充电泵电路
功耗：低于1/400的E2PROM
与其它存储器产品比较，FRAM的特性
*1） T=晶体管。 C=%&&&&&%器
*2） 256Kb独立的FRAM存储器的技能标准
*3） 读写操作的总循环
