改善型双电源光电耦合上管驱动电路
在上述双电源光电耦合上管驱动电路计划中，运用光耦的输出直接驱动MOS管，这样会使输出波形严峻变形，尤其是波形的下降沿比较缓慢，这主要是由MOS管的G极和s极之间的电容引起的。输出波形为高电平时，给G和s之间的电容充电，使波形上升略缓慢；输出波形变低时，G和s之间的电容经过Rl放电，使MOS管的G极电位下降缓慢，导致了波形下降沿剧烈变形。鉴于MOS管G极和s极之间存在的电容是无法消除的，在学习了单片机口线上拉驱动电路的基础上，咱们改善了上述的驱动计划，改善型计划如图6所示。
图6 改善型双电源光电耦合上管驱动电路
Fig．6 Advanced H-bridge with Double Power Supplies and Optoisolator
在改善计划中，光耦的输出驱动Ql，Q2组成的差动电路，再由差动电路输出驱动MOS管。因为三极管的极间%&&&&&%很小，光耦的输出波形变形就很小；而且差动管的驱动才能很强，驱动MOS管时能够使信号变形很小。
这种驱动电路依然运用了光耦作为两路电源体系的阻隔接口，因为光耦的耦合速度受到限制不可能很快，因而这种计划在PWM频率较高时，波形也会产生部分变形。频率越高变形越多，如图7为PWM频率10 k时的波形失真，图8为PWM频率20 k时的波形失真。由图8能够发现，即便在20 k频率时，输出波形比较输入波形也只产生了很小失真，因而这种计划在EPS上管驱动中彻底适用。
图8 改善型驱动电路的信号畸变(频率20 k)
