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产品概况
ADG1221/ADG1222/ADG1223均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器材，内置四个选用iCMOS（工业CMOS）工艺规划的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制作工艺，集高电压CMOS与双极性技能于一体。使用这种工艺，能够开发作业电压达33 V的各种高功能模仿IC，并完成以往的高压器材所无法完成的尺度。与选用传统CMOS工艺的模仿IC不同，iCMOS器材不光能够接受高电源电压，一起还能提高功能、大幅下降功耗并减小封装尺度。
这些开关具有超低电容和极低的电荷注入特性，因而是要求低突波和快速树立时刻的数据收集与采样坚持使用的抱负解决方案。图2显现，在器材的整个信号规模内电荷注入极小。
ADG1221/ADG1222/ADG1223均内置两个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1221与ADG1222的仅有不同是数字操控逻辑相反。ADG1221开关的接通条件是相关操控输入为逻辑1，而ADG1222则要求逻辑0。ADG1223有一个开关的数字操控逻辑与ADG1221类似，但另一个开关的操控逻辑则相反。ADG1223为先开后合式开关，合适多路复用器使用。当接通时，各开关在两个方向的导电功能相同，输入信号规模可扩展至电源电压规模。在断开条件下，等于电源电压的信号电平被阻挠。
使用
优势和特色
- 电荷注入：小于0.5 pC（整个信号规模内）
- 关断电容：2 pF
- 关断走漏：20 pA
- 电源电压规模：33 V
- 导通电阻：120 Ω
ADG1223电路图
ADG1223中文PDF下载地址
ADG1223下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG1221_1222_1223.pdf
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