肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是运用P型半导体与N型半导体触摸构成PN结原理制作的，而是运用金属与半导体触摸构成的金属－半导体结原理制作的。因而，SBD也称为金属－半导体（触摸）二极管或外表势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管是近年来面世的低功耗、大电流、超高速半导体器材。其反向康复时刻极短（能够小到几纳秒），正导游通压降仅0.4V左右，而整流电流却可到达几千毫安。这些优秀特性是快康复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多选用封装方式。
肖特基二极管原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，运用二者触摸面上构成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器材。因为N型半导体中存在着许多的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中分散。明显，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的分散运动。跟着电子不断从B分散到A，B外表电子浓度外表逐渐降轻工业部，外表电中性被损坏，于是就构成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场效果之下，A中的电子也会发作从A→B的漂移运动，然后消弱了因为分散运动而构成的电场。当建立起必定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子分散运动到达相对的平衡，便构成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面构成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极（阻档层）金属材料是钼。二氧化硅（SiO2）用来消除边际区域的电场，进步管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边构成N+阴极层，其效果是减小阴极的触摸电阻。经过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间构成适宜的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B别离接电源的正、负极，此时局垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时，势垒宽度就添加。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的差异，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，选用硅平面工艺制作的铝硅肖特基二极管也已面世，这不仅可节约贵金属，大幅度下降成本，还改进了参数的一致性。
肖特基整流管仅用一种载流子（电子）运送电荷，在势垒外侧无过剩少量载流子的堆集，因而，不存在电荷贮存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改进。其反向康复时刻已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因而适宜在低压、大电流情况下作业。运用其低压降这特色，能进步低压、大电流整流（或续流）电路的功率。
肖特基二极管效果
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器材。最明显的特色为反向康复时刻极短（能够小到几纳秒），正导游通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、维护二极管，也有用在微波通讯等电路中作整流二极管、小信号检波二极管运用。在通讯电源、变频器等中比较常见。
一个典型的运用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里边, 经过在 BJT 上衔接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状况时其实处于很挨近截止状况，然后进步晶体管的开关速度。这种办法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中运用的技能。
肖特基（Schottky）二极管的最大特色是正向压降 VF 比较小。在相同电流的情况下，它的正向压降要小许多。别的它的康复时刻短。它也有一些缺陷：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。
肖特基二极管一般用在电源次级输出整流上面。
效果仍是整流，其优势是正向压下降，反向康复时刻快，所以全体损耗会比其他的二极管低许多。
B5819W为集电极电流1A 基极电压40V的贴片肖特基管，1N5819为参数相同的插件式肖特基管，两个管仅仅封装不同。简略来说便是一个是贴片的 一个是插接件式的。
SBD具有开关频率高和正向压下降等长处，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于约束了其运用规模。像在开关电源（SMPS）和功率因数校对（PFC）电路中功率开关器材的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路顶用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只要运用快速康复外延二极管（FRED）和超快速康复二极管（UFRD）。现在UFRD的反向康复时刻Trr也在20ns以上，底子不能满意像空间站等范畴用1MHz～3MHz的SMPS需求。即使是硬开关为100kHz的SMPS，因为UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，然后使SMPS体积和分量添加，不符合小型化和轻浮化的开展趋势。因而，开展100V以上的高压SBD，一直是人们研讨的课题和重视的热门。
SBD的首要长处包含两个方面：
1）因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正导游通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2）因为SBD是一种大都载流子导电器材，不存在少量载流子寿数和反向康复问题。SBD的反向康复时刻仅仅肖特基势垒电容的充、放电时刻，彻底不同于PN结二极管的反向康复时刻。因为SBD的反向康复电荷十分少，故开关速度十分快，开关损耗也特别小，特别适合于高频运用。
可是，因为SBD的反向势垒较薄，而且在其外表极易发作击穿，所以反向击穿电压比较低。因为SBD比PN结二极管更简单受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
