相较于传统的照明技能，LED灯具有较高的功率，及更长的运用寿数。因而成为首选的灯泡类型，以期削减室内/外照明的能耗。事实上，关于街灯而言，更高的功率和更长的寿数关于降低本钱是不可或缺的。为LED灯供电而规划的开关电源也有必要具有高功率和耐用性，以保证其具有与LED灯相同长的免维护运用期。在这裡，谐振转化器是最盛行的电源拓扑之一，这是由于相较于从前的电源拓扑，它们的功用带来了更高的电源功率，并可削减EMI。软开关是谐振转化器的一项重要特色。但谐振转化器中运用寄生二极体（body diode）有时会导致体系失效。贮存在寄生二极体中的电荷有必要被彻底铲除，以防止呈现大电流和电压突波，包含拓扑结构中的高dv/dt和高di/dt。因而，功率MOSFET的要害参数如Qrr和反向恢復dv/dt，会直接对谐振转化器的动态功用发生影响。本文将讨论针对LED街灯照明的开关电源之全体解决计划。新的谐振控制器结合新的功率开关，可为LED照明电源供给高效解决计划，一起不会影响转化器的耐用性和本钱功率。
谐振转化器完成高功率
市场上已经有多款DC-DC功率转化拓扑可用来削减功率转化损耗、MOSFET元件应力和射频搅扰（radio frequency interference， RFI），一起完成高功率密度。其间，採用MOSFET的寄生二极体来完成零电压开关（zero voltage switching， ZVS）的谐振转化器，已获业界证实为可到达更高功率的有用元件。特别地，由于次级端没有电感器，LLC谐振转化器可在高输入电压下到达高功率，而且次级整流管上的电压应力较低。此外，即使空载条件下，LLC谐振转化器也能保证零电压开关的作业。ZVS技能可以大幅地削减转化损耗并大幅进步功率。零电压开关也显着地削减了开关杂讯，答应运用小型电磁搅扰滤波器。鉴于这些共同的特性，LLC谐振转化器正成为一种广为业界所採用的拓扑，用于包含LED街灯的很多运用之中。FAN7621S供给了建构牢靠、稳健LLC谐振转化器所需的悉数功用，包含高端闸极驱动电路、准确的电流受控振盪器、频率约束电路、软启动和内建的维护功用，可以简化规划和进步生产力。它所供给的多种维护功用包含了过压和过流维护（OVP/OCP）、反常过流维护（AOCP）和内部过热关断（TSD）功用。
鉴于LED街灯照明的特别运用要求，一切的维护功用可以主动重新启动，高端闸极驱动电路具有共模消噪功用和优秀的抗噪功用，以保证作业时的稳定性。即使运用最新的谐振控制器，在短路输出情况下，转化器的作业点可以移入零电流开关（ZCS）区域。图1所示为作业点的移动情况。在此一情况下，ZVS丢掉而MOSFET上流过极大的电流。ZCS作业的最严峻缺陷是在启动时发僵硬开关，这会导致MOSFET寄生二极体发生反向恢復应力。寄生二极体在很大的dv/dt下关断，因而，在非常大的di/dt下，会发生很大的反向恢復电流突波，这些突波电流的起伏可以超越稳态电流的十倍以上。大电流会带来相当大的损耗添加并使MOSFET发热。然后，MOSFET的dv/dt功用由于结点温度上升而下降，在极点情况下，可能会销毁MOSFET并导致体系失效。
最新的MOSFET技能
典型情况下，MOSFET寄生二极体具有很长的反向恢復时刻和较大的反向恢復电荷。儘管功用欠安，在某些运用如谐振转化器中，寄生二极体仍被当作续流（freewheeling）二极体运用，由于它可以简化电路，不会添加体系本钱。由于越来越多的运用运用实质寄生二极体（intrinsic body diode）来当作体系的要害元件，方便半导体深入分析了MOSFET的失效机制，针对谐振转化器规划了全新且高度优化的功率MOSFET产品，提升了寄生二极体的稳健性并削减了输出电容的储能。如表1所述，相较于其它计划，全新UniFET II MOSFET系列的反向恢復电荷（Qrr）明显地少了50％和88％。 
MOSFET的电容对错线性的而且依赖于漏源电压，由于它的电容实质上是一种结电容。关于软开关运用，MOSFET输出电容可当作谐振元件运用。当MOSFET导通时，贮存在变压器中的磁能转化为电流活动，使得MOSFET的输出电容放电，以便到达ZVS作业的条件。因而，若MOSFET输出电容中储能较少，则为到达软开关而所需的谐振能量也较少，不需要添加循环能量（circulaTIng energy）。相较于导通电阻相同的其它竞争对手的元件，在典型的开关电源大电容电压下，UniFET II MOSFET系列在输出电容中的储能削减约35％。输出电容中贮存能量的特性如图2所示。
