磁敏传感器作业原理
磁敏传感器，望文生义便是感知磁性物体的存在或许磁性强度（在有用范围内）这些磁性资料除永磁体外，还包含顺磁资料（铁、钴、 镍及其它们的合金）当然也可包含感知通电（直、交）线包或导线周围的磁场。
一， 传统的磁检测中首要被选用的是电感线圈为灵敏元件。特色正是无须在线圈中通电，一般仅对运动中的永磁体或电流载体起灵敏效果。后来开展为用线圈组成振荡槽路的。 如探雷器， 金属异物探测器，测磁通的磁通计等。 （磁通门，振荡样品磁强计）。
二， 霍尔传感器
霍尔传感器是根据霍尔效应制成的器材。
霍尔效应：通电的载体在遭到垂直于载体平面的外磁场效果时，则载流子遭到洛伦兹力的效果， 并有向两头集合的倾向，因为自由电子的集合（一边多一边必定少）然后构成电势差， 在经过特别工艺制备的半导体资料这种效应更为明显。然后构成了霍尔元件。前期的霍尔效应的资料Insb（锑化铟）。为增强对磁场的灵敏度，在资料方面半导 体IIIV 元素族都有所使用。近年来，除Insb之外，有硅衬底的，也有砷化镓的。霍尔器材因为其作业机理的原因都制满足桥路器材，其内阻大约都在 150Ω~500Ω之间。对线性传感器作业电流大约在2~10mA左右，一般选用恒流供电法。
Insb与硅衬底霍尔器材典型作业电流为10mA。而砷化镓典型作业电流为2 mA。作为低弱磁场丈量，咱们期望传感器本身所需的作业电流越低越好。（因为电源周围即有磁场，就不同程度引入差错。别的，现在的传感器对温度很灵敏，通 的电流大了，有一个本身加热问题。（温升）就构成传感器的零漂。这些方面在外附补偿电路外，在资料方面也在不断的进行改进。
霍尔传感器主要有两大类，一类为开关型器材，一类为线性霍尔器材，从结构方式（种类）及用量、产值前者大于后者。霍尔器材的响应速度大约在1us 量级。
三，磁阻传感器
磁阻传感器，磁敏二极管等是继霍尔传感器后派生出的另一种磁敏传感器。选用的半导体资料于霍尔大体 相同。但这种传感器对磁场的效果机理不同，传感器内载流子运动方向与被检磁场在一平面内。（趁便提示一点，霍尔效应于磁阻效应是并存的。在制作霍尔器材时 应尽力削减磁阻效应的影响，而制作磁阻器材时尽力防止霍尔效应（在计算公式中，互为非线性项）。在磁阻器材使用中，温度漂移的操控也是主要矛盾，在器材制 备方面，磁阻器材因为与霍尔不同，因此，前期的产品为单只磁敏电阻。因为温度漂移大，现在多制成单臂（两只磁敏电阻串联）主要是为补偿温度漂移。现在也有 全桥产品，但用法（意图）与霍尔器材略有差异。据报道磁阻器材的响应速度同霍尔1uS量级。
磁阻传感器因为作业机理不同于霍尔，因此供电也不同，而是选用恒压源（但也需求必定的电流）供电。当后续电路不同对供电电源的稳定性及内部噪声要求凹凸有所不同。
磁敏传感器开展特色
1. 集成电路技能的使用。 将硅集成电路技能使用于磁敏传感器， 制成集成磁敏传感器。
2.InSb 薄膜技能的开发成功，使得霍尔器材产能剧增，本钱大幅度下降。
3.强磁体合金薄膜得到广泛使用。各种磁阻器材呈现，使用领域广泛。
4.巨磁电阻多层薄膜的研讨与开发。新器材的高灵敏度，高稳定性，引起研发高密度 记载磁盘读出面的科技人员的极大重视。
5.非晶合金资料的使用。与根底器材配套使用，大大改进了磁传感器功能。
6.Ⅲ—V 族半导体异质结构资料的开发和使用。经过外延技能，构成异质结构，进步 磁敏器材的功能.
