全球商场研究机构TrendForce旗下记忆体贮存工作处DRAMeXchange的数据标明，东芝2014年会计年度第二季(7月~9月)的NAND Flash营运体现最亮眼，位出货量季生长25%以上，营收较上季度生长23.7%。
东芝电子(我国)有限公司董事长兼总经理田中基仁在日前的2014年高交会电子展上也泄漏，2014年东芝在我国的闪存生意非常好。东芝在高交会电子展上展现的存储技能和产品也是很有重量的，从MLC、MMC到SLC，都能够看到最新的产品，而且东芝的技能意向，也在引领未来闪存的开展趋势。
NAND集成趋势不可挡
移动设备用存储产品引导着NAND的开展趋势，而更高程度的集成势不可挡。东芝上半年现已发布了15nm 128Gb的MLC产品，集成度进一步前进。该产品能够向客户级SSD、企业级SSD以及消费类产品等广泛的运用供给支撑。东芝的超高功用UFS v2.0的存储器样品也已推出，持续引领存储技能潮流。
对移动设备中运用的规范存储器产品MMC(多媒体卡)，东芝的e·MMCTM具有以下特色：
l 制程工艺现已推动至19nm的第二代制程A19nm，契合e·MMCTM v5.0规范，完结高功用小型化。
l e·MMCTM Supreme和Premium两种产品线满意多种多样的商场需求。
l 2014年将产品工艺推动到15nm，兼容e·MMCTM v5.x规范。在此工艺下，产品尺度能够比19nm工艺下的封装缩小26%，而读写速度别离前进8%和20%。
l 超高功用UFS v2.0的存储器样品抢先商场。
除了在移动设备、数字电视、数字摄像、工业中的广泛运用，东芝还把e·MMCTM产品扩展到了轿车中。在车载信息文娱体系中，东芝导航卡彻底具有与规范SD存储卡相同的功用特性，如“块办理”、ECC纠错以及损耗均衡等。
除了MLC和MMC产品，东芝还首先供给24nm工艺的SLC NAND和BENAND产品，在该工艺下，可靠性和本钱优势前进，用户能够下降BOM本钱并取得可持续的长时间支撑。
引领下一代UFS产品商场
凭仗技能实力，东芝走在下一代UFS商场的前沿。
闪存的速度非常快，台式电脑和笔记本电脑上最新的闪存存储设备运用恰当的接口后读写速度能够到达每秒约500MB。为了前进智能手机、平板电脑、电子书阅读器等移动设备的读取和写入速度，2013年电子设备工程联合委员会(Joint Electron Device Engineering Council，简称JEDEC)发布了第二代通用闪存存储规范UFS 2.0，该规范下的闪存读写速度能够高达每秒1400MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不只比较e·MMCTM有巨大的优势，它乃至能够让电脑上运用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌，因此，业界以为该规范会在2015年成为移动设备的干流规范。
东芝展现了超高功用UFS v2.0的存储器样品，新的产品能够完结读写速度上的大幅前进，接连读取速度能够到达650MB/s，接连写入速度能够到达180MB/s。看来东芝现已为未来发力预备好了。
走向3D结构的闪存
近些年，闪存速度/容量的前进及本钱的下降首要依托制作工艺的前进。但费事的是，跟着工艺的前进，关于存储芯片来说，发生了更为要命的问题：工艺越先进闪存芯片功用反而越差。由于在相同的空间内要针对更多单元做充放电的动作，电荷搅扰很严重，完结数据读写的延时就变大，数据处理时的错误率也在上升。
田中基仁表明，2014年东芝现已开端量产15nm工艺NAND闪存。但在前进闪存的功用和下降本钱上，15nm现已是极限。下一代存储技能将会向3D架构开展。在3D年代，闪存的架构就显得分外重要。现在，东芝除了正在持续开发根据起浮栅架构的先进制程工艺外，一起也在经过研制3D结构的存储单元(BiCS)，进一步加快芯片的大容量化。
