大多数商用雷达体系，特别是高档驾驶员辅佐体系 (ADAS) 中的雷达体系，均根据锗硅(SiGe)技能。现在的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达体系。尽管根据SiGe技能的77GHz轿车雷达体系满意自适应巡航操控时的高速度要求，但它们体积过大、过于粗笨，占用了很多电路板空间。
跟着车辆中雷达传感器
数量的不断攀升，现在车辆中至少有10个雷达传感器(前置、后置和车角)，空间上的约束就要求每个传感器有必要体积更小、功耗更低，而且性价比更高。某些正处于开发阶段的现有雷达体系将促进发射器、接收器、时钟和基带功用集成在一个单芯片内，而这将把前端芯片的数量从4个削减到1个，不过这只适用于雷达前端。
经过充分利用互补金属氧化物半导体(CMOS)技能，并将嵌入式微操控器 (MCU)和数字信号处理(DSP)以及智能雷达前端集成在内，TI现已将集成度提升至新高度。前端具有处理功用将尽或许下降雷达体系尺度、功率、外形尺度和本钱，然后进一步完成车辆内多个雷达体系的装置。
图1：由CMOS完成的单芯片集成
CMOS技能的传统优势包含更高的晶体管密度和更低功率。CMOS内的数字缩放下降了功率，缩小了尺度，而且提高了每个节点的功用。在数字晶体管改善的推进下，CMOS的速度不断提高，现已足以满意79GHz ADAS使用的需要了。
79GHz波段供给4GHz带宽，这对更高规模的分辨率至关重要。未来的雷达体系还将需要对短距离的支撑，将更佳的角分辨率转化为雷达体系内的更多天线。选用CMOS技能的TI传感器可以支撑此项扩展才能，完成高容量的大批量出产。
CMOS技能进一步提高了TI在模仿组件中嵌入数字功用的才能，然后完成了在雷达体系布置方面的全新体系配置和拓扑。例如，TI单芯片毫米波(mmWave)传感器内的嵌入式MCU可完成射频(RF)和模仿子体系的半自主操控。TI的CMOS传感器为模仿组件供给数字辅佐，以便适应环境和出产过程中的改变，一起坚持灵敏性和稳健耐用性，数字辅佐可以灵敏生成调频信号并能完成实时高档自监控。
一个雷达体系的动态规模取决于接收器噪底，以及在保险杠反射所导致的自搅扰下的耐受才能。而这在很大程度上取决于架构和体系才能，这样就使一个CMOS体系——具有更宽的中频(IF)带宽、更多信道和准确的低噪声线性闭环调频信号生成——关于特定的雷达使用具有超卓的体系级功用。
CMOS技能改变了毫米波传感器的规划，并嵌入更高的智能化和功用性。CMOS技能现已使TI可以供给高功用、低功率毫米波传感器产品组合，涵盖了从高功用雷达前端到单芯片雷达的整个规模。
其它资源
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