问题1：最近，咱们公司的技能专家在调试中发现，MOSFET驱动电压过高，会导致电路过载时，MOSFET中电流过大，所以把下降了驱动电压到6.5V，之前咱们都是在12V左右。这种做法感觉和您在文章里第四部份好像很类似，这样做可行么?
问题剖析：
体系短路的时分，功率MOSFET相当于作业在扩大的线性区，下降驱动电压，能够下降跨导约束的最大电流，然后下降体系的短路电流，从短路维护的视点而言，的确有必定的作用。然后，下降驱动电压，正常作业时分，RDSON会增大，体系功率会下降，MOSFET的温度会升高，关于器材和体系的可靠性会发生问题。短路维护最好经过优化短路维护电路的规划、减小维护的延时来调理，不主张用下降驱动电压办法来调理负载。
如果是CPU操控的体系，能够经过电流检测，当体系电流大于某个设定的异常值后，动态的减小驱动电压，然后减小短路电流的冲击，这种办法是可行的。当体系的负载康复到正常水平后，驱动电压回到正常的电压值，进步体系正常稳态作业的功率，额定的价值便是要添加一个动态调理驱动电压的电路。
问题2：重复看了回忆了一下文章《了解功率MOSFET的电流》，其间关于图片中，可变电阻区，扩大区(饱满区)的区分有些不太了解。首要，图中可变电阻区的电流ID与VDS成安稳线性关系，感觉Rdson应该是安稳且极小的吧。其次，在恒流区，ID被VGS约束，此刻，VDS急剧升高，Rdson急速升高，此刻的MOSFET从跨导的界说来说，由于ID不再添加，因而被界说为饱满区，但为什么又叫做扩大区呢?
问题剖析：
(1)可变电阻区标明MOSFET在必定的VGS电压下沟道现已彻底导通，此刻MOSFET的导通压降VDS由流过的电流ID与导通电阻的乘积来确认。为什么这个区被界说为可变电阻区呢?
功率MOSFET数据表中界说的导通电阻都有必定的条件，特别是VGS，当VGS不一同，沟道的饱满程度不同，因而不同的VGS对应的导通电阻并不相同。从漏极导通特性的曲线能够看到：在这个区域，不同的VGS的曲线密布地排在一同，当VGS改变的时分，电流坚持不变，对应的VDS压降(电流和导通电阻的乘积)也跟随着改变，也便是导通电阻在改变，可变电阻区由此而得名。
在可变电阻区，不同的VGS的曲线密布地排在一同，VGS改变的时分，导通压降改变十分小，这也进一步标明：沟道的饱满程度改变十分小，即便如此，由于导通电阻自身十分小，因而沟道的饱满程度改变发生沟道电阻改变，关于整个导通电阻的占比的影响大，特别是VGS相差比较大的时分，关于导通电阻的影响十分显着，如下图所示。
(2)恒流区被称为饱满区、线性区，当VGS必定的时分，沟道对应着必定的饱满程度，也对应着跨导约束的最大电流。恒流区也被称为扩大区，由于MOSFET也能够作为信号扩大元件，能够作业在和三极管相类似的扩大状况，MOSFET的恒流区就相当于三极管的扩大区。别的恒流区还能够称为线性区，这些称号仅仅界说的视点不同，叫法不同。
问题3：什么是功率MOSFET的扩大区，可否介绍一下?
问题回复：
MOSFET线性作业区和三极管扩大区作业原理相同，如IB=1mA，电流扩大倍数为100，%&&&&&%=100mA。关于MOSFET，VTH=3V，VGS=4V，跨导为20，那么ID=20A，这是安稳的扩大区，LDO、信号扩大器、功放和恒流源(前期轿车的雨刷、门窗等电机操控电路)等运用，运用MOSFET作为调整管，MOSFET就作业于安稳扩大区。
开关电源等现代的高频电力电子体系，MOSFET作业于开关状况，相当于在截止区和导变电阻区(彻底导通)快速的切换，可是，在切换进程有必要跨过扩大区，这样电流、电压有交织，所以就发生了开关损耗，因而MOSFET在开关进程中，跨过扩大区是发生开关损耗最根本原因。有些运用如热插拨、负载开关等，经过人为地添加扩大区时刻来操控回路浪涌电流，以后会专门介绍。
问题4：PWM芯片的供电电压为5V，去驱动通用驱动电压的功率MOSFET，有什么问题?
问题剖析：
查看数据表中不同的VGS的导通电阻，发现对应的导通电阻变大，因而功率MOSFET的损耗将添加，温度升高，一同体系的功率下降。极点状况下在低温的时分，一些VTH偏上限的器材或许不能正常注册。
