高速H桥上管驱动电路
上例计划的速度瓶颈为光耦，假如不采用光耦那么操控信号的频率能够进步许多。经过实验，咱们开发了如下的高速型H桥上管驱动电路。计划如图9所示。
图中上管操控信号高电平为+l2 V，低电平为0 V。操控信号经过电阻电容和二极管电路加到Q1的基极，Q1的集电极输出作为
图9 高速H桥上管驱动电路
Fig．9 High Speed H-bddge Highside Driving
Q2，Q3组成的差动驱动电路操控信号，差动电路的输出作为Ml的驱动信号。Q2，Q3组成的差动驱动电路上端Q2接 +l2 V电源，下端Q3接到Ml的s极。当上管操控信号为低电平时，Q2导通，Q3截止，Ml的G极约为 D+l2 V，使Ml可顺利导通。Ml导通后，其D极和s极之间为通路，简直没有压降，此刻s极也为l，DD，则Ml的G和s之间的压差为l2 V，满意MOS管的导通条件，Ml可维持导通状况。当上管操控信号变为高电平时，Q2截止，Q3导通，使Ml的G和s极之间压差很小，不能满意MOS管的导通条件，则Ml截止。需求指出的是，当Q2导通M1没有导通的瞬间，Ml的G和s间压差为l，DD+l2 V，但由于MOS管的敞开时刻极短(几十US)，Q2导通时，Ml简直一起敞开，使MJ的G和s之问的压差确保为12V(如图10)。
高速H桥上管驱动信号畸变
Fig．10 Signal Transmogrification of High Speed H-bddge
图9所示的上管驱动电路有很强的驱动才能，并具有很高的极限频率，运用这个驱动电路来驱动MOS管，能使MOS管的操控信号在较高的频率(20 k以上)下不失真。
