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ADG509F双电源模仿开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

ADG509F相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,ADG509F供应信息可在查IC网搜索

ADG509F相关信息来自ADI官网,详细参数以官网发布为准,ADG509F供给信息可在查IC网查找相关供给商。

产品概况

ADG508F和ADG509F均为CMOS模仿多路复用器;ADG508F内置8个单通道,ADG509F内置4个差分通道。这些多路复用器均可供给毛病维护。这些器材选用串联n沟道、p沟道和n沟道MOSFET结构,发作过压或失电时,器材与信号源均会遭到维护。该多路复用器能够接受-40 V至+55 V的接连过压输入。在断电毛病条件下,多路复用器输入(或输出)表现为开路,走漏电流只要几nA。这样,不光能够维护多路复用器及其所驱动的电路,并且能够维护驱动多路复用器的传感器或信号源。

ADG508F依据3位二进制地址线A0、A1和A2所确认的地址,将8路输入之一切换至公共输出。ADG509F依据2位二进制地址线A0和A1所确认的地址,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。各器材均供给EN输入,用来使能或禁用器材。禁用时,一切通道均关断。

产品特征

  1. 毛病维护功用。ADG508F/ADG509F能够接受-40 V至+55 V的接连过压输入。当因为电源封闭而导致毛病发作,一切通道都将封闭,走漏电流只要几nA。
  2. 存在毛病时,敞开通道饱满。
  3. 低导通电阻 RON
  4. 快速开关时间。
  5. 先开后合式开关。确保先开后合式开关动作,然后维护输入信号不受瞬时短路影响。
  6. 沟道阻隔可防止闩锁。电介质沟道将P沟道与N沟道MOSFET分隔,避免了闩锁现象。

使用

  • 现有多路复用器使用(包含毛病维护和无毛病维护)
  • 要求多路复用器功用的新规划

优势和特色

  • 电源封闭时一切开关断开
  • 假如发作过压,敞开通道的模仿输出将箝位在电源电压范围内。
  • 防闩锁结构
  • 低导通电阻:270Ω(典型值)

ADG509F电路图

ADG509F

ADG509F中文PDF下载地址

ADG509F下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG508F_509F.pdf

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