双向可控硅触发电路图大全（六款双向可控硅触发电路）

　　双向可控硅触发电路图一：

　　为了进步功率，使触发脉冲与沟通电压同步，要求每隔半个沟通电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V，脉冲宽度应大于20us.图中BT为变压器，TPL521-2为光电耦合器，起阻隔效果。当正弦沟通电压挨近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，发生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51的外部中止0的输入引脚，以引起中止。在中止服务子程序中运用定时器累计移相时刻，然后宣布双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压输出波形如图2所示。

　　双向可控硅触发电路图二：

　　电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也归于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR而且起到阻隔的效果，R6为触发限流电阻，R7为BCR门极电阻，避免误触发，进步抗干扰才能。当单片机80C51的P1.0引脚输出负脉冲信号时T2导通，MOC3061导通，触发BCR导通，接通沟通负载。别的，若双向可控硅接理性沟通负载时，因为电源电压超前负载电流一个相位角，因而，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上理性负载自感电动势el效果，使得双向可控硅接受的电压值远远超越电源电压。尽管双向可控硅反导游通，但简单击穿，故有必要使双向可控硅能接受这种反向电压。一般在双向可控硅南北极间并联一个RC阻容吸收电路，完成双向可控硅过电压维护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。

　　双向可控硅触发电路图三：