太阳能电池的原理是什么？

上述方法实践耗费的硅资料更多。为了节约资料，现在制备多晶硅薄膜电池多选用化学气相堆积法，包含低压化学气相堆积（LPCVD）和等离子增强化学气相堆积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射堆积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。

    化学气相堆积首要是以SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiCl₄或SiH₄,为反响气体,在必定的维护气氛下反响生成硅原子并堆积在加热的衬底上，衬底资料一般选用Si、SiO₂、Si₃N₄等。但研讨发现，在非硅衬底上很难构成较大的晶粒，而且简单在晶粒间构成空地。处理这一问题方法是先用 LPCVD在衬底上堆积一层较薄的非晶硅层，再将这层非晶硅层退火，得到较大的晶粒，然后再在这层籽晶上堆积厚的多晶硅薄膜，因而，再结晶技能无疑是很重要的一个环节，现在选用的技能首要有固相结晶法和中区熔再结晶法。多晶硅薄膜电池除选用了再结晶工艺外，别的选用了简直一切制备单晶硅太阳能电池的技能，这样制得的太阳能电池转化功率明显提高。