半导体三极管也称为晶体三极管，能够说它是电子电路中最重要的器材。它最首要的功用是电流扩大和开关效果。三极管望文生义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表明）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表明）和发射极（用字母e表明）。因为不同的组合方法，构成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
三极管的品种许多，而且不同类型各有不同的用处。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。
三极管的扩大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub通过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的大都载流子（自由电子）不断地跳过发射结进入基区，构成发射极电流Ie。一起基区大都载流子也向发射区分散，但因为大都载流子浓度远低于发射区载流子浓度，能够不考虑这个电流，因而能够以为发射结首要是电子流。
2、基区中电子的分散与复合
电子进入基区后，先在接近发射结的邻近密布，逐渐构成电子浓度差，在浓度差的效果下，促进电子流在基区中向集电结分散，被集电结电场拉入集电区构成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，分散的电子流与复合电子流之份额决议了三极管的扩大才能。
3、集电区搜集电子
因为集电结外加反向电压很大，这个反向电压发生的电场力将阻挠集电区电子向基区分散，一起将分散到集电结邻近的电子拉入集电区然后构成集电极主电流Icn。别的集电区的少量载流子（空穴）也会发生漂移运动，流向基区构成反向饱和电流，用Icbo来表明，其数值很小，但对温度却反常灵敏。
当温度升高时三极管的VBE会减小
1、因为资料的特性和制作工艺的差异，半导体三极管的直流扩大系数β并不是一条直线，也就是说，跟着基极电流的改变，β也有少量改变，尤其在Ib较小时，β也较小，因而，设置三极管的作业点时一般都安排在β曲线的较平整的区域，这样的区域就是说明书中供给β的直流测验参数。
2、在Ib不变的情况下，Ube会跟着环境温度的改变而改变，往常说的硅资料三极管的Ube为0.6~0.7V左右，这是室温在25°C时的测验值。经测验，硅三极管发射结正向压降的改变量是每添加一度，Ube就改变 -2.5mV/°C，也就是说，跟着温度的添加，Ube就线性减小。
温度对三极管参数的影响
简直一切的三极管参数都与温度有关，因而不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。
（1）对β的影响：
三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。
（2）对反向饱和电流ICEO的影响：
ICEO是由少量载流子漂移运动构成的，它与环境温度联系很大，ICEO随温度上升会急剧添加。温度上升10℃，ICEO将添加一倍。因为硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。
（3）对发射结电压ube的影响：
和二极管的正向特性相同，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。
综上所述，跟着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管扩大效果晦气，运用中应采纳相应的办法（如加装散热片等）战胜温度的影响。
