BJT共射级电路扩大器是比较常用的一种扩大电路，不同于前面的共基级扩大器单一的电路方式，共射级扩大器的规划比较灵敏，历史上人们从前规划出过许多各式各样的共射级扩大器。最常用的是以下三种方式的共射扩大电路（见下图3-06.01）。一般只需把握了这三种电路的共通剖析办法，那今后再遇到其他比较偏门的共射电路时，咱们也能够依照咱们已把握的共通办法，剖分出其根本电路特性。
图 3-6.01
1. 固定偏置
固定偏置（fixed-bias configuration）是最简略的共射扩大电路结构，咱们现以npn型晶体管为例对齐进行直流剖析。
（1） 输入静态作业点
咱们将固定偏置的共射扩大电路重画于下，在直流剖析（静态剖析）时，可将动态输入电压vi视为0。
图 3-6.02
关于输入端回路，BJT的发射结正偏，咱们选用简化剖析模型，假定VBE固定为0.7V。因而在输入回路可得：
上式的IB即为输入端的静态作业电流，在上式中咱们能够取适宜得RB，而得到一个比较合理得IB值（一般为几个微安级）。
（2） 输出静态作业点
输出静态作业点，即为求VCE和IC，咱们将输出回路的电压电流联系画于下图：
图 3-6.03
当BJT作业于正常的扩大区时：
上两式中的VCE和IC即为输出的静态作业点。
（3） 饱满条件
在共射电路中的饱满条件与共基电路稍有不同，在共基电路中，VCE《0会进入饱满，而在共射电路中，只需VCE《VCEsat（一般咱们常近似取为0.3V），晶体管就会进入饱满。因而，咱们能够算出此刻的集电极饱满电流ICsat，
当共射电路的进入饱满时，输入端IB的持续增大不会使输出电流IC持续增大，尽管不会像共基电路那样损坏晶体管，但会使基极电流IB与射极电流IC之间的扩大倍数小于本来的β参数。
（4） 固定偏置的缺陷
固定偏置的长处是：结构简略、概念明晰。可是咱们一般很少将固定偏置电路直接应用于实践规划，原因在于固定偏置电路有一个丧命的缺陷：便是作业点不稳。
前面从前说过，由于半导体器材加工工艺的约束，一般参数都会违背规范值，比方对某个BJT来说，扩大系数β在50~200规模内都算正常，整整差了4倍。那么依据上式：
相同的电路，输出静态电流IC就会差整整4倍，输出静态电压VCE也会有较大规模的改变，由此带来的电路功耗、扩大倍数等一系列功能也会跟着改变，这样不安稳的功能是无法在实践产品中运用的。
2. 改进的固定偏置
（1） 负反应的效果
在固定偏置的发射极添加一个射极电阻RE，能够大大进步电路的安稳性，如下图所示，这种方式的电路也能够称为射极偏置（emitter-bias ConfiguraTIon）：
图 3-6.04
这种规划称为“负反应”规划，负反应规划是一个很巨大的论题，这儿你能够先简略将其了解为：负反应结构的电路自身有一种安稳效果，当某种非正常要素（比方β值偏移，温度影响等等）导致电路作业点偏移时，负反应结构会迫使电路作业点回向正常值方向移动，然后减小偏移值，进步安稳性。
咱们这儿先大略定性地看一下射极电阻RE对进步电路安稳性的效果：
（1）当扩大系数β增大导致IC增大时，流过RE的电流IE也会增大，由此会导致E点的的电压VE升高。
（2）当VE升高，由于VBE坚持固定值0.7V不变，因而成果导致B点电压VB升高。
（3）VB升高，但VCC不变，由此导致RB两头的压降减小，然后导致输入电流IB减小。
（4）IB的减小终究会导致IC的减小，按捺了前面因β增大导致IC增大的效应，因而进步了电路的安稳性。
当然，假如你若要深究的话，又会发现：IC的减小会导致IE的减小，再导致VE的减小和VB的减小，然后又使得IB增大……那么，终究哪个对终究成果的影响力更大些？这个就需要下面的定量剖析了。
（2） 静态作业点剖析
图 3-6.05
● 先看输入回路：
输入回路的联系式为：
解得：
● 再看输出回路：
● 关于简化运算的阐明：
这儿你或许还有一点小疑问，为什么在输入回路中，不把（1+β）简化成≈β，不去掉那个1？而在输出回路中，却做了IE≈IC¬的简化，去掉了那个1呢。其实理由很简略：输入回路的核算式中，即使藏着那个1，核算起来也不费事，所以就放着了。而在输出回路的核算式中，藏着那个1算起来略微有点费事了，所以就把它给去掉了。
听着是不是很随意呢？其实这便是工程中模仿电路的魅惑点地点。由于实践的模仿电路要面对许多的不确定参数的影响（比方，惯例运用的电阻都是5%的差错等级的；BJT等半导体器材的参数乃至会有50%以上的差错；受温度影响，许多参数也会偏）。你辛辛苦苦算出来的准确解，仅一个5%的电阻阻值差错就能够把成果给带偏。所以，太准确的核算有时并不是很必要，许多核算都能够作简化。那么，终究对哪些部分能够做简化，哪些部分不作简化呢？这个在很大程度上取决于规划者自己的经历（或者说直觉）。
所以，有时你能够看到在一些不同的模电教材上，关于相同方式的电路，不同的作者会给出略微有点不同的公式，这个是由于他们各自取的简化点不同。可是，剖析原理必定都是相同的，并且他们的成果也都是可用的。这个跟着你自己经历的添加，就会了解他们各自的做法了。
事例3-6-1： 鄙人图中，核算当β=50和β=200时的IB， IC， VCE，并进行比较。
解： （1）当β=50时：
IC1和IC2只相差2.5倍，阐明反应电阻RE的确改进了电路的安稳性。
别的，当β=200时，VCE2仅比饱满阈值VCESat （0.7V）大一点点，已处于扩大区的边际，还能够牵强作业。若是没有反应电阻RE，BJT会早早地就进入饱满区，而不能起正常扩大效果了。
（3） 饱满条件
当VCE《VCESat时，晶体管进入饱满区。因而，咱们能够算出此刻的集电极饱满电流ICsat，
当IC》ICsat时，晶体管进入饱满。
