跟着功率电子和半导体技能的快速前进，各类电力电子使用都开端要求用专门、专业的半导体开关器材，以完成本钱和功能的共赢。与传统的非穿通(NPT) IGBT比较，场截止(FS) IGBT进一步降低了饱满压降和开关损耗。此外，经过运用阳极短路(SA)技能在IGBT裸片上集成反向并联二极管这项相对较新的技能，使得FS IGBT十分合适软开关功率转化类使用。
场截止阳极短路沟道IGBT与NPT IGBT的比照
尽管NPT(非穿通)IGBT经过削减关断过渡期间少量载流子注入量并进步复合率而进步了开关速度，但由于VCE(sat)较高而不合适某些大功率使用，由于其n-衬底有必要轻度掺杂，结果在关断状况期间需求较厚的衬底来保持电场，如图1(a)所示。-n-衬底的厚度是决议IGBT中饱满压降的主要因素。
传统NPT IGBT的“n-”漂移层和“p+”集电极之间的“n”型掺杂场截止层(如图1(b)所示)明显进步了IGBT的功能。这便是场截止IGBT的概念。在FS IGBT中，电场在场截止层内急剧削弱，而在“n-”漂移层中则为逐步削弱。因而，“n-”漂移层的厚度和饱满压降得到了明显改进。沟道栅极结构也改进了饱满压降。此外，FS IGBT的场截止层在关断瞬间可加快多数载流子复合，因而其尾电流远远小于NPT或PT IGBT.由此降低了开关损耗和关断能量Eoff。
图1: NPT IGBT(左)和场截止IGBT(右)
一起，呈现了一个新的概念–阳极短路IGBT(SA IGBT)：它答应将体二极管以MOSFET的方法内嵌到IGBT中。图2显现场截止沟道阳极短路(FS T SA)IGBT概念的根本结构，其间，“n+”集电极与场截止层相邻，作为PN二极管的阴极，而“p+”集电极层作为FS T IGBT的共集电极。
图2: FS SA T IGBT的截面图
图3: 典型输出特性比照
