功率MOSFET的理性负载关断进程和注册进程相同，有4个阶段，可是时间常数不相同。驱动回路的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻，RDown为驱动电路的下拉电阻，关断时栅极总的等效串联栅极电阻RGoff=RDown+RG1+RG2。
(3)形式M3：t7-t8
从t7时间开端，ID电流从最大值减小，VDS电压坚持电源电压VDD不变，当VGS电压减小到VGS(th)时，ID电流也减小到约为0时，这个阶段完毕。
VGS电压的改变公式和形式1相同，仅仅开始电压和完毕电压不相同。
(4)形式M4：t8-t9
这个阶段为ID电流为0，VDS电压坚持电源电压VDD不变，当VGS电压减小到0时，这个阶段完毕，VGS电压的改变公式和形式1相同。
在关断进程中，t6~t7和t7~t8二个阶段电流和电压发生堆叠交越区，因而发生开关损耗。
关断损耗可以用下面公式核算：
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