试验意图：打破4KB的Steppingstone存储空间约束，读取NandFlash中4KB后的代码完成“点灯大法”，借此把握NandFlash的操作。
试验环境及阐明：恒颐S3C2410开发板H2410。H2410中心板的NandFlash选用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，该NandFlash容量为64MB。
试验思路：开发板上电发动后，主动将NandFlash开端的4K数据仿制到SRAM中，然后跳转到0地址开端履行。然后初始化存储操控器SDRAM，调用NandFlash读函数操作把4KB后的点灯代码仿制到SDRAM中，跳到点灯代码的进口点完成点灯操作。
常识把握：NandFlash内部结构、指令字及存储操控器
一、NandFlash内部结构
不同开发板运用的NandFlash的类型或许不相同，本文只是以K9F1208U0M为例做个简略介绍。引脚描绘如下所示：
'700')this.width='700';if(this.offsetHeight>'700')this.height='700';" src="http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_af4843899d603e0.jpg" onclick="if(this.width>=700) window.open('http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_af4843899d603e0.jpg');" border="0">
NandFlash存储单元结构图如下所示：
'700')this.width='700';if(this.offsetHeight>'700')this.height='700';" src="http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_b53cf1b5e09813b.jpg" onclick="if(this.width>=700) window.open('http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_b53cf1b5e09813b.jpg');" border="0" width="700">
Device、 Block和Page之间的联络—1 Device = 4,096 Blocks = 4096*32 Pages = 128K Pages;1 Block = 32 Page;1 Page = 528 Byte = 512 Byte + 16 Byte。其间1 Page中包括有数据寄存器512 Byte和16 Byte的备用位用于ECC校验存储。所以有528 columns * 128K rows(Pages)。1 Page中的512 Byte的数据寄存器又分为两个部分1st 256 Bytes和 2nd 256 Bytes。用于数据存储的单元有 512 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 64 MB，用于ECC校验单元有16 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 2MB 。
二、NandFlash指令字
操作NandFlash时，先传输指令，然后传输地址，最终进行数据的读/写。K9F1208U0M的指令字如下所示：
'700')this.width='700';if(this.offsetHeight>'700')this.height='700';" src="http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_9f90461920e6b01.jpg" onclick="if(this.width>=700) window.open('http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_9f90461920e6b01.jpg');" border="0" width="700">
由于寻址需求26bit的地址，该26bit地址经过四个周期发送到NandFlash，如下图所示：
'700')this.width='700';if(this.offsetHeight>'700')this.height='700';" src="http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_e8c052eed36f8b9.jpg" onclick="if(this.width>=700) window.open('http://www.arm79.com/attachment/Mon_1005/73_67_e8c052eed36f8b9.jpg');" border="0">
Read 1操作：该操作是对512 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 64 M的数据寄存器进行寻址。第一个周期发送A7~A0的8bit Column地址，8bit的寻址规模是0~255，只能对1st 256 Bytes部分进行寻址。00h指令是1st 256 Bytes部分寻址。当发送01h指令时，A8将会被置1，此刻寻址规模变成了256~511了，所以01h指令是对2nd 256 Bytes部分进行寻址。(*留意：A8在发送00h指令后被清0，在发送01h指令后被置1，并且在发送01h对2nd寻址结束后，A8会主动清0，指 针会主动地指向1st);第二个周期的A9~A13的5bit是对Page进行寻址(由于1 Block = 32 Pages，5bit的寻址规模是0~31，能够对1 Block里边的一切Page进行寻址)。A14~A25的12bit则是对Block进行寻址，12bit的寻址规模是0~4095，对整个 Device的4096个Blocks进行寻址。Read 2操作：该操作是对16 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks =2MB的备用位(ECC)进行寻址。50h指令为Read2操作，对1 Page里边的后16 Byte寻址。这样，经过四个周期的发送即可对整个Device的一切存储单元进行寻址。
三、NandFlash存储操控器
S3C2410 为简化对NandFlash的操作，供给了一组NandFlash操控器来完成对K9F1208U0M指令字的操作，主要有装备寄存器NFCONF、操控 寄存器NFCONT、指令寄存器NFCMD、地址寄存器NFADDR、数据寄存器NFDATA和状况寄存器NFSTAT。
★NFCONF被用来使 能/制止NandFlash操控器、使能/制止操控引脚信号nFCE、初始化ECC、设置NandFlash的时序参数。TACLS、TWRPH0、 TWRPH1—这三个参数操控着NandFlash信号线CLE/ALE与写操控信号new的时序联络。依据NandFlash的Datasheet 中对其最小读/写/操控时刻的要求，联络HCLK实践取值一般为100MHz，能够设这三个参数分别为1：3：1个HCLK即可(形似ViVi中是 1：3：1)，这样能够满意其时序要求。
★NandFlash状况寄存器NFSTAT。只用到最低位[0]，0：busy;1：ready。
NandFlash 存储操控器依据OM[1:0]位的取值能够作业在①主动发动形式—OM[1:0]=00时，复位之后，NandFlash的最早4KB的代码被仿制到 Steppingstone中即内部4KB的SRAM。Steppingstone被映射为Bank0(nGS0)，且CPU在此4KB内部SRAM中开 始履行发动代码;②NandFlash形式。
示例代码解析：
★head.S头文件来设置SDRAM，设置SDRAM，将第二部分代码仿制到SDRAM，然后跳到SDRAM持续履行。
.equ MEM_CTL_BASE, 0x48000000
.text
.global _start
_start:
bl disable_watch_dog @关门喂狗
bl mem_control_setup @设置存储操控器
ldr sp, =4096 @设置栈指针，以下C函数调用前需求设好栈
bl nand_init @初始化NandFlash
@将NandFlash中地址4096开端的1024字节代码(led.c编译得到)仿制到SDRAM中
ldr r0, =0x30000000 @方针地址=0x30000000，SDRAM开端地址
mov r1, #4096 @源地址=4096，衔接的时分led代码在4096开端处
mov r2, #1024 @仿制长度=1024，关于本试验的led满足
bl nand_read @调用C函数nand_read
ldr lr, =halt_loop @设置回来地址
ldr sp, =0x34000000 @从头设置栈
ldr pc, =main @运用向pc赋值的办法进行跳转到点灯代码
halt_loop:
b halt_loop
★nand.c文件完成NandFlash的初始化和数据读取
#define BUSY 1
typedef unsigned long S3C2410_REG32; //形似此处界说为unsigned int反汇编成果相同的，也没问题。猜或许是ARM指令直接按32位存储了吧，知道的能够和我说一下!
/* NandFlash结构体 */
typedef struct {
S3C2410_REG32 NFCONF;
……
S3C2410_REG32 NFECC;
}S3C2410_NAND;
static S3C2410_NAND * s3c2410nand = (S3C2410_NAND *)0x4e000000;
/* 供外部调用的函数声明 */
void nand_init(void);
void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size);
/* S3C2410的NandFlash处理函数声明 */
static void s3c2410_nand_reset(void);
……
static unsigned char s3c2410_read_data();
/* S3C2410的NandFlash操作函数完成 */
/* 复位 */
static void s3c2410_nand_reset(void)
{
s3c2410_nand_select_chip();
s3c2410_write_cmd(0xff); //发指令字0xFF完成复位操作复位
s3c2410_wait_idle();
s3c2410_nand_deselect_chip();
}
/* 等候NandFlash安排妥当 */
static void s3c2410_wait_idle(void)
{
int i;
volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFSTAT;
while(!(*p & BUSY))
for(i=0; i<10; i++);
}
/* 宣布片选信号 */
static void s3c2410_nand_select_chip(void)
{
int i;
s3c2410nand->NFCONF &= ~(1<<11); //对NFCONF的11位写0，激活NandFlash
for(i=0; i<10; i++);
}
/* 撤销片选信号 */
static void s3c2410_nand_deselect_chip(void)
{
s3c2410nand->NFCONF |= (1<<11); //对NFCONF的11位写1，使NandFlash不活动
}
/* 宣布指令 */
static void s3c2410_write_cmd(int cmd)
{
volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFCMD;
*p = cmd;
}
/* 宣布地址 */
static void s3c2410_write_addr(unsigned int addr)
{
int i;
volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFADDR;
*p = addr & 0xff;
for(i=0; i<10; i++);
*p = (addr >> 9) & 0xff;
for(i=0; i<10; i++);
*p = (addr >> 17) & 0xff;
for(i=0; i<10; i++);
*p = (addr >> 25) & 0xff;
for(i=0; i<10; i++);
}
/* 读取数据 */
static unsigned char s3c2410_read_data(void)
{
volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFDATA;
return *p;
}
//设置TACLS、TWRPH0、TWRPH1三者的值，形似ViVi等代码中TWRPH0设为3，不知这样的优点，知道的能够告诉我!
#define TACLS 0
#define TWRPH0 2
#define TWRPH1 0
/* 初始化NandFlash */
void nand_init(void)
{
/* 使能NandFlash操控器, 初始化ECC, 制止片选, 设置时序 */
s3c2410nand->NFCONF = (1<<15)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);
/* 复位s3c2410 NandFlash */
s3c2410_nand_reset();
}
#define NAND_SECTOR_SIZE 512
#define NAND_BLOCK_MASK (NAND_SECTOR_SIZE – 1)
/* 读函数 */
void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)
{
int i, j;
if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {
return ; /* 地址或长度不对齐 */
}
/* 选中芯片 */
s3c2410_nand_select_chip();
for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {
/* 宣布READ0指令 */
s3c2410_write_cmd(0);
/* 写地址*/
s3c2410_write_addr(i);
/*等候*/
s3c2410_wait_idle();
for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {
*buf = s3c2410_read_data();
buf++;
}
}
/* 撤销片选信号 */
s3c2410_nand_deselect_chip();
return ;
};
