【晶体三极管的结构和符号】
1】晶体管结构
1)发射区： 发射区掺杂浓度很高，用于发射自由电子
2)基区： 基区很薄并且杂质浓度很低，发射区发射分散过来的自由电子一部分将和基区的空穴中和
3)集电区： 面积很大，自由电子通过基区后，多下来的自由电子因为漂移运动将抵达集电区
2】晶体管的符号
【晶体管的电流扩大效果】
1】晶体管内部载流子的运动
1)VCC电压大于VBB，使得发射结正向偏置，集电结反向偏置(上边是集电结)
2)发射结加正向电压，分散运动构成发射极电流IE，留意，发射区杂质浓度高，所以分散出来的自由电子许多
3)分散运动到基区的自由电子与空穴的复合运动构成基极电流IB，因为电源VBB的效果，复合运动连绵不断
4)集电结加反向电压，漂移运动构成集电极电流IC，留意，尽管自由电子量很大，可是因为基区是P型，所以在基区，自由电子仍然是少子
5)其他电流比较小，能够疏忽
2】晶体管的电流分配联系
从图中简单看出以下电流联系
IE = IEN + IEP = ICN + IBN + IEP
IB = IBN + IEP – ICBO
从外部看： IE = IC + IB
3】晶体管的扩大系数
【晶体管的共射特性曲线】
该电路称为根本共射扩大电路
1】输入特性曲线
输入特性曲线描绘：压降UCE必定的情况下，基极电流IB与发射结压降UBE之间的函数联系
1)当UCE = 0 时，相当于集电极和发射极短路，因而，输入特性曲线与PN结伏安特性相相似。
2)由发射区注入基区的非平衡少子(自由电子)有一部分跳过基区和集电结构成集电极电流IC，使得在基区参加复合运动的非平衡少子随
UCE增大而削减，要取得相同的IB,就应该加大UBE，所以UE增大曲线右移
3)当UCE增大到必定值后，集电结的电场现已满足强壮，能够将发射区注入基区的绝大部分非平衡少子搜集到集电区去，因而再增大UCE,
IC也不明显增大了
2】输出特性曲线
输出特性曲线描绘：基极电流IB为一常量时，集电极电流IC与管压降UCE的函数联系
1)当UCE从零逐步增大时，集电结电场随之增强，搜集基区非平衡少子的才能逐步增强，IC增大
2)当UCE增大到必定数值时，集电结电场足以将基区非平衡少子的绝大部分搜集，UCE再增大，IC几许不变
3)截止区：发射结电压小于敞开电压UON,集电结反向偏置即UCE > UBE
4)扩大区：发射结正偏，集电结反偏，即UBE > UON 且 UCE >= UBE
5)饱满区：发射结与集电结都正偏，即UBE > UON,且 UBE > UCE
6)饱满的现象：UBE增大时，IB随之增大，但%&&&&&%增大不多或根本不变
【晶体管的主要参数】
