受单片机本钱约束，用flash的话比方我要对某字节存储，那么就需求把整页都擦除，其他当地的数据要保存就得进行缓存，占用RAM资源较多。而用EEPROM就要便利操作，有能够节省原本就不多的单片机资源。
EEPROM,EPROM,FLASH 都是依据一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。 EPROM 的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister 组成,因为FLOTOX 的特性及两管结构,所以能够单元读/写。技能上,FLASH 是结合EPROM 和EEPROM 技能到达的,许多FLASH 运用雪崩热电子注入办法来编程,擦除和EEPROM 相同用 Fowler-Nordheim tuneling。但首要的不同是,FLASH 对芯片供给大块或整块的擦除,这就 降低了规划的复杂性,它能够不要 EEPROM 单元里那个剩余的Tansister,所以能够做到高集成度,大容量,另FLASH 的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。
其实关于用户来说,EEPROM 和FLASH 的最首要的差异便是
1。EEPROM 能够按“位”擦写,而FLASH 只能一大片一大片的擦。
2。EEPROM 一般容量都不大,假如大的话,EEPROM 相对与FLASH 就没有价格上的优势了。 市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下,而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。
3。读的速度的话,应该不是两者的不同,仅仅（硕士论文）EERPOM 一般用于低端产品,读的速度不需求那么快,真要做的话,其实也是能够做的和FLASH 差不多。
4。因为EEPROM 的存储单元是两个管子而FLASH 是一个(SST 的在外,类似于两管), 所以CYCLING 的话,EEPROM 比FLASH 要好一些,到1000K 次也没有问题的。
总的来说,对与用户来说,EEPROM 和FLASH 没有大的差异,仅仅EEPROM 是低端产品, 容量低,价格廉价,可是安稳性较FLASH 要好一些。 但关于EEPROM 和FLASH 的规划来说,FLASH 则要难的多,不论是从工艺上的仍是从外围 电路规划上来说。
Flash memory 指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,归于EEPROM 的改善产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的巨细不定,不同厂家的产品 有不同的规范), 而EEPROM 则能够一次只擦除一个字节(Byte)。现在“闪存”被广泛用在 PC 机的主板上,用来保存BIOS 程序,便于进行程序的晋级。其别的一大应用领域是用来作 为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的利益,可是将其用来替代RAM 就显 得不适宜,因为RAM 需求能够按字节改写,而Flash ROM 做不到。
ROM 和RAM 指的都是半导体存储器,ROM 是Read Only Memory 的缩写,RAM 是Random Access Memory 的缩写。ROM 在体系中止供电的时分依然能够坚持数据,而RAM 一般都是在掉电之后 就丢掉数据,典型的RAM 便是计算机的内存。
RAM 有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM 速度十分快,是现在读写最快的存储设备了,可是它也十分贵重,所以只在要求很严苛的当地运用,比如CPU 的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM 保存数据的时刻很短,速度 也比SRAM 慢,不过它仍是比任何的ROM 都要快,但从价格上来说DRAM 比较SRAM 要廉价许多, 计算机内存便是DRAM 的。
DRAM 分为许多种,常见的首要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、 SGRAM 以及WRAM 等,这儿介绍其间的一种DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM, 这种改善型的RAM 和SDRAM 是根本相同的,不同之处在于它能够在一个时钟读写两次数据, 这样就使得数据传输速度加倍了。这是现在电脑中用得最多的内存,并且它有着本钱优势, 事实上打败了Intel 的别的一种内存规范-Rambus DRAM。在许多高端的显卡上,也装备了高 速DDR RAM 来进步带宽,这能够大幅度进步3D 加速卡的像素烘托才能。
ROM 也有许多种,PROM 是可编程的ROM,PROM 和EPROM(可擦除可编程ROM)两者差异是, PROM 是一次性的,也便是软件灌入后,就无法修改了,这种是前期的产品,现在现已不行能 运用了,而EPROM 是经过紫外光的照耀擦出原先的程序,是一种通用的存储器。别的一种 EEPROM 是经过电子擦出,价格很高,写入时刻很长,写入很慢。举个比如,手机软件一般放在EEPROM 中,咱们打电话,有些最终拨打的号码,暂时是存在SRAM 中的,不是立刻写入经过记载(通话记载保存在EEPROM 中),因为其时有很重要工作(通话)要做,假如写入,绵长的等候是让用户深恶痛绝的。
FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的利益,不只具有电子可擦出可编程(EEPROM) 的功用,还不会断电丢掉数据一起能够快速读取数据 (NVRAM 的优势),U 盘和MP3 里用的就 是这种存储器。在曩昔的20 年里,嵌入式体系一向运用ROM(EPROM)作为它们的存储设备, 可是近年来 Flash 全面替代了ROM(EPROM)在嵌入式体系中的方位,用作存储Bootloader 以 及操作体系或许程序代码或许直接当硬盘运用(U 盘)。
现在Flash 首要有两种NOR Flash 和NADN Flash。NOR Flash 的读取和咱们常见的SDRAM 的读取是相同,用户能够直接运转装载在NOR FLASH 里边的代码,这样能够削减SRAM 的容量 然后节省了本钱。NAND Flash 没有采纳内存的随机读取技能,它的读取是以一次读取一快的 办法来进行的,一般是一次读取512 个字节(我要论文),选用这种技能的Flash 比较廉价。用户不能直 接运转NAND Flash 上的代码,因而许多运用NAND Flash 的开发板除了运用NAND Flah 以外, 还作上了一块小的NOR Flash 来运转发动代码。
一般小容量的用NOR Flash,因为其读取速度快,多用来存储操作体系等重要信息,而 大容量的用NAND FLASH,最常见的NAND FLASH 应用是嵌入式体系选用的DOC(Disk On Chip) 和咱们一般用的”闪盘”,能够在线擦除。现在市面上的FLASH 首要来自Intel,AMD,Fujitsu 和Toshiba,而出产NAND Flash 的首要厂家有Samsung 和Toshiba。
SRAM 是Static Random www.wylunwen.com Access Memory 的缩写,中文意义为静态随机拜访存储器,它是 一种类型的半导体存储器。”静态”是指只需不掉电,存储在SRAM 中的数据就不会丢掉。这一点与动态RAM(DRAM)不同,DRAM 需求进行周期性的改写操作。 然后,咱们不应将SRAM 与只读存储器(ROM)和Flash Memory 相混杂,因为SRAM 是一种易失性存储器,它只要在电源坚持接连供给的情况下才能够坚持数据。”随机拜访”是指存储器的内容能够以任何次序拜访,而不论前一次拜访的是哪一个方位。
SRAM 中的每一位均存储在四个晶体管傍边,这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。 这个存储单元具有两个安稳状况,一般表明为0 和1。别的还需求两个拜访晶体管用于操控读或写操作过程中存储单元的拜访。因而,一个存储位一般需求六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM 的拜访速度要快于DRAM。
SRAM 比DRAM 拜访速度快的别的一个原因是SRAM （免费论文）能够 一次接纳一切的地址位,而DRAM 则运用行地址和列地址复用的结构。 SRAM 不应该与SDRAM 相混杂,SDRAM 代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM),这与SRAM 是彻底不同的。SRAM 也不应该与PSRAM 相混杂,PSRAM 是一种伪装成SRAM 的DRAM。
从晶体管的类型分,SRAM 能够分为双极性与CMOS 两种。从功用上分,SRAM 能够分为异 步SRAM 和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM 的拜访独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变 化操控。同步SRAM 的一切拜访都在时钟的上升/下降沿发动。地址、数据输入和其它操控信 号均于时钟信号相关。
OM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在体系中止供电的时分依然能够坚持数据，而RAM一般都是在掉电之后就丢掉数据，典型的RAM便是计算机的内存。 RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度十分快，是现在读写最快的存储设备了，可是它也十分贵重，所以只在要求很严苛的当地运用，比如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保存数据的时刻很短，速度也比SRAM慢，不过它仍是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM比较SRAM要廉价许多，计算机内存便是DRAM的。 DRAM分为许多种，常见的首要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这儿介绍其间的一种DDR RAM。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改善型的RAM和SDRAM是根本相同的，不同之处在于它能够在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是现在电脑中用得最多的内存，并且它有着本钱优势，事实上打败了Intel的别的一种内存规范－Rambus DRAM。在许多高端的显卡上，也装备了高速DDR RAM来进步带宽，这能够大幅度进步3D加速卡的像素烘托才能。 ROM也有许多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程ROM）两者差异是，PROM是一次性的，也便是软件灌入后，就无法修改了，这种是前期的产品，现在现已不行能运用了，而EPROM是经过紫外光的照耀擦出原先的程序，是一种通用的存储器。别的一种EEPROM是经过电子擦出，价格很高，写入时刻很长，写入很慢。举个比如，手机软件一般放在EEPROM中，咱们打电话，有些最终拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是立刻写入经过记载（通话记载保存在EEPROM中），因为其时有很重要工作（通话）要做，假如写入，绵长的等候是让用户深恶痛绝的。
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的利益，不只具有电子可擦出可编程（EEPROM）的功用，还不会断电丢掉数据一起能够快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的便是这种存储器。在曩昔的20年里，嵌入式体系一向运用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，可是近年来Flash全面替代了ROM（EPROM）在嵌入式体系中的方位，用作存储Bootloader以及操作体系或许程序代码或许直接当硬盘运用（U盘）。现在Flash首要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和咱们常见的SDRAM的读取是相同，用户能够直接运转装载在NOR FLASH里边的代码，这样能够削减SRAM的容量然后节省了本钱。NAND Flash没有采纳内存的随机读取技能，它的读取是以一次读取一快的办法来进行的，一般是一次读取512个字节，选用这种技能的Flash比较廉价。用户不能直接运转NAND Flash上的代码，因而许多运用NAND Flash的开发板除了运用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运转发动代码。 一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作体系等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式体系选用的DOC（Disk On Chip）和咱们一般用的“闪盘”，能够在线擦除。现在市面上的FLASH 首要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而出产NAND Flash的首要厂家有Samsung和Toshiba。
Flash和EEPROM的差异 大约翻译 The primary difference between EEPROM and FLASH is the removal of the ability to erase at the byte level. EEPROM和FLASH的首要差异是以字节为单位擦除内存的才能。 FLASH erases in much larger chunks of memory commonly referred to as sectors. Depending on the array size and the technology chosen, the sector size can vary significantly and therefore there is not a standard erase sector size across the industry and even within a product family. FLASH一般是依照扇区来擦除整块的数据。依据不同的工艺和技能的挑选，扇区的巨细不同很大，因而扇区的巨细是没有规范的，每个厂家乃至每个系列产品的扇区巨细都不见得相同。 The main point to remember is that the array is erased in large pieces as opposed to byte erase found in full featured EEPROM. 首要需求记住的是：EEPROM是依照字节擦除的，而FLASH是依照块擦除的。 Almost all commercially available FLASH memories utilized Fowler-Nordheim tunneling for the erase operation. 简直一切的商业用FLASH都用一种叫（Fowler-Nordheim tunneling）的技能进行擦除操作。 The second major difference relates to programming and the programming size but here again there is not a clear standard across the industry. 第二个首要的差异在于编程，但一起和擦除相同的是，针对不同的厂家，编程的块巨细也是不同的。 Some FLASH memories will do away with byte programming all together and will program in large sections referred to as pages. 一些FLASH内存废除了字节编程，只能依照块的巨细进行编程写入。 Other FLASH memories still retain the ability to program in byte wide increments. The choice in programming width is mostly determined by the throughput of erasing the memory and completely reprogramming the array. 另一些FLASH内存还保存着字节编程的才能，这些才能取决于。。。（一些不重要的信息）。 There is also some diversity among FLASH memory products with respect to the programming method. 别的还有一些FLASH的差异，即写入的办法。 For example, some FLASH products use CHE and others use Fowler-Nordheim tunneling. As has been previously described in the EPROM and EEPROM overviews, each method has pros and cons, and it is these limitations that drive the programming size of the array. 例如，一些FLASH用CHE办法，另一些用（Fowler-Nordheim tunneling）办法。正如在EPROM和EEPROM中描绘的，每种办法都有优缺点，这些优缺点约束了编程块的巨细。 Remember from the discussion of EPROM that CHE requires a relatively high current, especially when compared to Fowler-Nordheim tunneling. 记住，EPROM中运用CHE需求高电流，尤其是和Fowler-Nordheim tunneling比较较的时分。 However, Fowler-Nordheim tunneling requires more time to program a memory location than does CHE. Therefore, to compensate for the longer time required per programming location using Fowler-Nordheim tunneling, the programming size is larger than that used with CHE. 可是，Fowler-Nordheim tunneling需求很多的时刻写入内存。比较后能够得到，…（不重要） CHE cannot scale with respect to program size because of the high current required per
bit to activate the mechanism. Although there are certainly power supplies that can supply many amps of current to a VPP pin on the part, there is an issue with power distribution within the chip itself. In general, this limits the programming size when using CHE to 8 to 16 bits. CHE不能扩展扇区，他需求给每一个比特写入时供给电流。因而，在固定能量供给的时分，因为VPP电流的约束，只能约束到8到16个比特。 or: 1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，契合I2C通讯协议。而FLASH需求占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需求一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗操控），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也便是四个。并行的需求8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。 2、从功用方面比较，EEPROM能够单字节读写，FLASH部分芯片只能以块办法擦除(整片擦除),部分芯片能够单字节写入(编程),一般需求选用块写入办法；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。但比单片机片内RAM的读写还要慢。 3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。
