STM32读维护功用和铲除读维护功用设置

1、STM32对内部Flash的维护措施

一切STM32的芯片都供给对Flash的维护，避免对Flash的不合法拜访 – 写维护和读维护。
1)、读维护即我们一般说的“加密”，是作用于整个Flash存储区域。一旦设置了Flash的读维护，内置的Flash存储区只能经过程序的正常履行才干读出，而不能经过下述任何一种办法读出：
经过调试器(JTAG或SWD)；
从RAM中发动并履行的程序；
2)、写维护是以四页(1KB/页) Flash存储区为单位供给写维护，对被维护的页施行编程或擦除操作将不被履行，一起发生操作过错标志。
读与写设置的作用见下表：
读维护写维护对Flash的操作功用
有用 有用 CPU只能读，制止调试和不合法拜访。
有用 无效 CPU能够读写，制止调试和不合法拜访，页0~3为写维护。
无效 有用 CPU可读，答应调试和不合法拜访。
无效 无效 CPU能够读写，答应调试和不合法拜访。
2、当Flash读维护收效时，CPU履行程序能够读受维护的Flash区，但存在两个例外情况：
1)、调试履行程序时；
2)、从RAM发动并履行程序时
STM32还供给了一个特别的维护，即对Flash存储区施加读维护后，即便没有启用写维护，Flash的第 0 ～ 3 页也将处于写维护状况，这是为了避免修正复位或中断向量而跳转到RAM区履行不合法程序代码。
3、Flash维护相关函数
FLASH_Unlock();//Flash解锁
FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);//Flash读维护制止
FLASH_ReadOutProtection(ENABLE);//Flash读维护答应

4、stm32置读维护跟清读维护操作

功用：读维护设置后将不能读出flash的内容；当免除读维护的时分stm32会主动擦出整篇flash；
读维护设置：在程序的最初参加“读维护”代码，即完成了读维护功用；（每次程序运转先开维护）
免除读维护：免除读维护能够设置在按键里边，便利完成解锁，也不可不设按键在RAM中履行程序再铲除读维护；
(1)设置读维护：

intmain(void)
{
….

if(FLASH_GetReadOutProtectionStatus()!=SET)
{
//FLASH_Unlock();不解锁FALSH也可设置读维护？？？
FLASH_ReadOutProtection(ENABLE);
}
……
while(1)
{
…..
}
}

这个写到程序傍边并履行往后，运用j-link就不能‘读出’程序了，便是‘读维护’了！没有运用此程序能够读出下载到芯片中的程序，可是假如运用了此程序就无法读出程序了。可是也无法再次烧写新的程序到芯片中了（要测验请稳重！！！！！！）

能够在主程序傍边设置一按键专门铲除“读维护”，一旦按下按键则铲除“读维护”时芯片能够从头被烧写。

(2)免除读维护：在程序中的某个操作中（如按键等）参加如下代码，履行后
代码自己杀死了自己!
if(FLASH_GetReadOutProtectionStatus()!=RESET)
{
FLASH_Unlock();
FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);
}
这些函数在stm32f10x_flash里边,留意：调用上面这个库的时分需在#include“stm32f10x_flash.h”前加#define_FLASH_PROG；不然报（没有界说）错。

假如你没有做按键铲除读维护这一步还有办法二弥补：专门写一个铲除“读维护”程序，运用RAM中运转程序的办法，运转此程序解锁“读维护”，履行后，FLASH会主动悉数擦除。代码如下：
intmain(void)
{
Chinp_Init();
FLASH_Unlock();
FLASH_ReadOutProtection(DISABLE);
}

※关于在RAM中运转程序，阐明如下：
(1)我运用IAR+J-Link，不必把Boot0和boot1脚设置成从RAM发动也可在RAM中调试（我是设置成从FLASH发动）。
(2)在IAR环境中设置Link文件为lnkarm_ram.xcl
(3)Debuger选项Downloadtab中勾悉数去掉。
按上面设置完成后，按Debug按钮，履行上面程序，读维护可免除。

发动”J-FlashARM”东西，Target->unsercurechip就免除了芯片的读维护。Target->unsercurechip后一定要上电复位，体系不复位是不可的。