不同于联发科、博通(Broadcom)等处理器大厂自行开发产品的形式，高通(Qualcomm)则与独立型无线充电芯片商如IDT和安森美(On Semiconductor)打开协作，一起规划多模无线充电接收器(Rx)与传送器(Tx)芯片，以加快拱大无线充电商场大饼。
高通产品办理资深总监Mark Hunsicker表明，该公司已先后与IDT、安森美达成协议，将一起开发第一代和第二代整合磁感应(Magnetic Induction)和磁共振(Magnetic Resonance)技能的多模无线充电Tx和Rx芯片，而最终的芯片一切权将归高通一切。
Hunsicker指出，高通将以上述芯片为根底，开宣布完好的Rx和Tx参阅规划并提交给无线电力联盟(A4WP)进行认证，再提供给授权厂商，以满意很多品牌客户对多模无线充电计划的需求。
高通一起布局多模无线充电的Rx和Tx，首要意图是建置完好的体系，让无线充电在智能手机、平板设备等产品皆可顺利运作，且符合法规要求，并加快商场遍及。至今，高通已有两款Tx产品经过A4WP认证。
Hunsicker以为，多模计划存在的时刻应该会历经两代智能手机，以每一代智能手机的产品生命周期约18～24个月推估，两代时刻约达48个月，这段时刻终端顾客会运用双模无线充电形式的产品;而在过渡期之后，援助单模磁共振的智能手机数量将会大增。
也因而，Hunsicker着重，该公司针对无线充电商场首要仍最重视磁共振标实姆⒄梗事实上，现阶段已有不少源始设备制造商(OEM)在开发援助单模A4WP磁共振无线充电技能的智能手机。
