一家股东包含半导体设备大厂使用资料(Applied Materials)的新创存储器公司Adesto Technologies，正准备推出首款导电桥接随机存取存储器(conductive-bridging RAM， CBRAM )。 CBRAM 是一种低耗电、与CMOS兼容的存储器，可客制化使用在广泛的离散式或嵌入式商场，该公司计划最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 样品。
在近来于美国举办的非挥发性存储器研讨会(Non Volatile Memory Conference)上，Adesto表明其 CBRAM 是以可编程金属化单元(programmable metallization cell，PMC)技能为根底，选用130奈米制程。该公司开发此种存储器技能已有好一段时刻，是由美国亚利桑那州立大学(Arizona State University)独立而出的Axon Technologies公司，获得PMC技能授权。
CBRAM 与FRAM、MRAM、相改变存储器(PCM)、RRAM等新一代存储器，都是有时机替代传统快闪存储器的接班技能。Adesto资深事务开发总监Ed McKernan表明，CBRAM可以被客制化以替代 EEPROM 、快闪存储器等等;他着重，新的CBRAM在外观与功能上与现在的EEPROM相似，但尺度较小、也更具本钱优势。
Adesto正在开发的1Mbit元件，是选用规范130奈米制程，在后段制程(back-end-of-the-line process)将整合铜资料;这意味着该技能具有需求在后段制程参加两个非要害光罩过程(non-critical mask steps)的可编程元素。
而该元件的回忆保存周期，据说在摄氏70度以内可达10年，其运作电压仅有1V;且由于选用130奈米制程，最大写入电压小于1.6V，编程电流小于60uA，每单元编程时刻小于5us、抹除时刻小于10us。
Adesto 在简报中介绍，其CBRAM 元件是使用了一种阳离子固态电解质(cation-based solid electrolyte)技能，也是Axon所授权之PMC技能的要害之一。依据Axom公司网站的介绍，该界说存储器功能的机制，是其专利技能，选用一种非晶薄膜(amorphous film)以及两个金属触点(contact)。
据Axom的资料，该技能是使用了某些非晶资料不为人知的一个特性，也便是能兼并(incorporate)数量相对较多的金属，并做为固态电极;在恰当的偏压(bias)条件下，电极中的金属离子会削减，并在资猜中构成导电通道，而该流程也能容易反转，从头构成绝缘非晶层。
在2001与2004年，美光(Micron)和英飞凌(Infineon Technologies)亦曾连续与Axon签定PMC技能的非独家授权协议，但都没有实践使用效果。建立仅三年的Adesto则是仅有专心于使用该技能的公司，计划推出相关产品与供给授权事务;现在该公司好像有晶圆代工同伴，但不肯泄漏同伴称号。
