江崎二极管
它是以地道效应电流为首要电流重量的晶体二极管。其基底资料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。地道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所发作。发作地道效应具有如下三个条件：①费米能级坐落导带和满带内；②空间电荷层宽度有必要很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器材。其首要参数有峰谷电流比（IP／PV），其间，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。江崎二极管能够被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其作业频率可达毫米波段），也能够被应用于高速开关电路中。
