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铜铟镓硒薄膜太阳能电池技能剖析

本站为您提供的铜铟镓硒薄膜太阳能电池技术分析,铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点,光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首,接近晶体硅太阳电池,而成本则是晶体硅电池的三分之一,被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。

铜铟镓硒太阳能电池板

学术界和工业界普遍认为太阳能电池的开展现已进入了第三代。榜首代为单晶硅、多晶硅太阳能电池,第二代为硅基、非晶硅等太阳能薄膜电池,第三代太阳能电池便是多结太阳能电池。

铜铟镓硒太阳能电池板的使用

铜铟镓硒薄膜太阳电池具有出产本钱低、污染小、不阑珊、弱光功能好等特色,光电转化功率居各种薄膜太阳能电池之首,挨近晶体硅太阳电池,而本钱则是晶体硅电池的三分之一,被国际上称为“下一年代十分有出路的新式薄膜太阳电池”。此外,该电池具有柔软、均匀的黑色外观,是对外观有较高要求场所的抱负挑选,如大型修建物的玻璃幕墙等,在现代化高层修建等范畴有很大商场。

铜铟镓硒电站的建造现已到达兆瓦级水平,据瑞士的SolarMax光伏并网逆变器公司供给的资料,2008年9月在西班牙建成了的3.24兆瓦铜铟镓硒电站,并成功运转。这必将加快CIGS的商业使用。

选用CIGS吸收层的光伏模组能够高效的将光能直接转化为电能。在光伏技能范畴具有重要的位置,现在小面积电池的研制功率世界纪录到达21.7%,组件功率到达16.5%。根据现在小电池的研究发展,未来小组件的功率可到达21%,全面积组件有望到达18%的功率。低本钱CIGS光伏模组能够使度电本钱低于€0.05/kWh,并为下降CO2排放量做出重要贡献。

铜铟镓硒薄膜太阳能电池技能剖析

产品和技能展望

CIGS模组产品和规划的多样性为未来光伏动力的开展供给了多种或许。CIGS玻璃-玻璃产品可使用于光伏电站、房顶、修建外表。现在,柔性轻质CIGS模组的产品均匀开口功率已超越16%,跟着此类产品到达更高的功率,将敞开新的规划化使用和商场。

从长时刻开展来看,以CIGS作为底电池,与适宜的宽带隙吸收层资料结合,构成叠层电池,可使太阳能电池功率超越30%。由此可见,CIGS电池不仅是一种高竞争力的光伏技能,它还具有进一步开发使用的潜力。

CIGS模组的首要优势:高发电量和优异的野外功能

因CIGS模组具有较低温度系数、杰出的光谱呼应以及较好的弱光功能,使其具有较高的发电性量,因此在大多数的气候条件下具有较低的度电本钱(LCoE)。此外,薄膜组件规划根据集成的内联技能,能够从实质上下降其对暗影的敏感性。低温度系数、高的暗影遮挡容忍度、较好的弱光功能,也是BIPV使用中的要害需求。

可继续开展:能耗低、能量归还时刻短、资料耗费少

根据薄膜太阳能电池的实质特性-较短的能量归还时刻和最少的高纯度资料的使用-薄膜太阳能电池的发电本钱可低于传统动力方法。若核算碳脚印,薄膜太阳能电池具有明显的优势,是一种真实的可继续开展动力。此外,在光伏组件到达寿数期后,其完好收回使用在技能上是彻底可行的,未来可根据需求进行开发使用。根据以上原因,CIGS技能在光伏规划化使用方面是一种最具可继续性的解决方案。

可信赖的产品可靠性

根据刚性玻璃衬底的双玻铜铟镓硒组件,电池单元的电学互联由激光划刻构成一体化集成的串联结构,较之传统的串焊互联

方法具有更杰出的可靠性。如今,大出产铜铟镓硒组件的可靠性已被很多的加快老化试验及长时刻的实地测验数据证明,并具有独立测验组织的认证。

吉瓦级的规划化出产能力

当时最大的铜铟镓硒产能从百兆瓦到一吉瓦每年,存在于德国与日本。这些出产基地都以90%以上的工业价值链良率进行运营。现在全世界铜铟镓硒的总产能达2GW/年。尽管铜铟镓硒膜层的制备工艺在不同公司有所区别,但都表现出杰出的产品功能。这表明铜铟镓硒光伏组件制作业已到达榜首阶段的工业成熟度。即便使用了地壳稀缺元素铟,每年100GW的产能也不会对供应链形成应战。这是因为技能的前进减少了铟的用量及铟元素的收回。技能研制的继续发展,在未来十年会开掘铜铟镓硒本钱下降的更大潜力。

铜铟镓硒薄膜太阳能电池技能剖析

出产本钱

今日铜铟镓硒光伏组件的出产本钱简直与晶硅太阳能组件适当,这仍是在铜铟镓硒的出产规划及累计产出比晶硅太阳能工业小数倍的情况下比较。从2008到2014年,铜铟镓硒组件的全球出货量为3GW。这表明铜铟镓硒光伏工业处于工业认知曲线的开始端,好像平板显现及玻璃镀膜等相近似薄膜工业所阅历的进程。大面积均匀镀膜、加快的工艺流程与更强壮的铜铟镓硒镀膜设备相结合使150MW产能的制作本钱有潜力到达0.4美元每峰瓦。值得指出的是,铜铟镓硒组件出产的设备出资包含从玻璃衬底输入到制品组件输出的完好的工业链。

根据铜铟镓硒组件今日已到达的成果,咱们能够看到未来本钱下降的巨大潜力。要害在于将试验室的小面积高光电转化功率搬运使用于大出产。下一阶段本钱继续下降的影响要素包含:组件功率的提高由14%到18%,规划效应带动的资料本钱(BOM)下降,研制带动的本钱下降(超薄吸收层,使用较低纯度的原资料),设备出资的下降,下一代设备带动的出产能力的改进(产能,良率及设备稼动率),出产能耗的下降及优化的基础设施。归纳一切本钱下降的要素,在吉瓦(GW)级规划,铜铟镓硒出产本钱会完成25%至40%的进一步下降。

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