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提高能效,让整个国际浅笑

摘要:面对越来越严格的能效等级,电源产品面临着全新的技术需求挑战,未来几年,电源半导体企业需要满足更为严格的电源设计需求。

  摘要:面临越来越严厉的能效等级,电源产品面临着全新的技能需求应战,未来几年,电源半导体企业需求满意更为严厉的电源规划需求。

  我们都在谈绿色低碳,谈节能减排,谈维护环境,在清洁动力与可再生动力价格依然居高不下,以及其运用总是受各种限制的前提下,最直接的完成节能降耗又不影响顾客用户体会的方法仍是进步电源的动力转化功率。

  从输电网络的交流电,到用电终端的各种直流驱动设备作业,跟着消费电子产品逐步代替工业产品成为动力消耗的主力,进步消费电子的动力转化功率,以此尽可能下降不必要的动力转化功率,是最直接有用,也是最简略的节能降耗的方法。

  政府一向是推进电源功率要求的规矩制定者,金牌电源由美国80PLUS政府机构界说和认证,只要到达该认正标准的才干在美国出售。其间金牌的标准要求PFC+PWM的功率>90%,银牌要求>88%,铜牌要>85%,而至少>80%才干算合格的电源。现在更新的电源标准现已出台,分别是>92%的白金牌电源和更为严苛的>94%的钛金牌电源标准。

  白金牌电源标准的要求详细包含:AC-DC 从PFC到DC输出转化功率到达92%;待机功耗低于0.15W;高的功率密度,小的体积(300W/立方英寸);以及高的可靠性,均匀无故障作业时间〉5000小时。钛金牌电源详细要求是:AC-DC从PFC到DC输出转化功率到达94%; 待机功耗低于50mW, 即低于0.05W;更高的功率密度,更小的体积;更高的可靠性,均匀无故障作业时间要到达一万小时。

  从节约动力及环境维护的要求,有必要规划、制作最高功率的开关电源变换器。关于AC-DC,其功率要到达金牌标准,就有必要到达90%以上。关于DC-DC,其功率要到达金牌标准,就有必要到达95%以上。而绿色电源的界说,空载功率损耗<0.3W,电磁搅扰EMI到达国际标准,生产工艺为无铅作业无污染作业。研读这两个最新的标准详细需求,转化功率和待机功耗是其间非常重要的两个量化目标,而要满意这两个数字目标的要求,对电源规划者及半导体厂商提出了严厉的技能要求。

  新能效提出新应战

  关于白金和钛金牌体系,会有两个“较新”的要求:(1)在现有负载点(20%、50%和100%)下具有更高的功率标准;(2)新的10%负载点下最低作业功率要求。为了满意这些标准的要求,必需考虑电源操控技能以及半导体元件。

  要取得更高的功率,便必需考虑结合LLC谐振半桥等谐振形式操控技能,以及次级端同步整流技能。在负载规模内不同操控技能的功率曲线也不相同。例如:双管反激式解决计划的均匀功率高于LLC谐振半桥计划(后者在满负载条件下具有超卓的功率)。更高的均匀功率意味着在一切负载点下更简单满意最小值标准要求。此外,必需考虑运用超级结MOSFET等具有低导通阻抗的半导体元件来下降开关损耗。最终,依然需求运用开关电源(SMPS)专有技能,最大极限地进步给定规划的功率。

  面临越来越严厉的能效等级,电源半导体产品面临着全新的技能需求应战,未来几年,面临越来越严厉的能效等级,新动力、照明、电信、智能电网、智能家电等商场都具有巨大的增加空间,智能化电源将会遭到越来越多的喜爱。别的,严厉的能效等级也会促进电源办理产品向高效、节能、环保的方向开展。怎么进步体系电源的功率是商场所关怀的问题之一,重视满载功率的一起,轻载功率,静态功耗也成为规划人员的关注点。

  安森美半导体电源商场全球出售及营销高档总监郑兆雄总结电源半导体产品的主体开展趋势体现在以下方面。

  1 高能效:进步从满负载到待机(空载)等完好负载规模内的能效,且要进步散热功用。

  2 减小尺度及进步功率密度:运用优化的开关拓扑结构规划更小电源、进步集成度、下降物料单(BOM)元件数量及本钱。

  3 全球法规及能效标准更趋严厉:要保证计划契合标准要求,合作功率因数校对(PFC)及待机能耗要求。

  电源办理与功率半导体是改善能效中非常重要的两个部分。在日常日子中,功率半导体运用于从移动通讯到航天电子的广泛电子运用之中。最遍及的功率运用是转化、办理和分配。这些运用的根本子体系包含AC-DC、DC-DC和DC-AC,一切三种子体系的首要开展推进力气是选用功用更高的开关和操控电路。开展趋势是在体系参加更多的功率电子内容,以便供给各种功用如更快捷的显现(用于消费电子产品的LED显现)、通讯(联网),以及体系监控和维护。为了投合体系开展趋势,功率半导体供货商正在推出具有高能效水平、高集成度和多电源轨的器材。  

           

  在功率分立器材方面,MOSFET正在从平面技能转向Super Junction (电荷平衡)技能,以期改善导通状况电阻率(Rds(on))并完成快速开关。至于IGBT技能,则运用沟槽技能来减小片上横向阻隔结构的尺度,有助于减小芯片面积,一起坚持功用。据报道,功率分立器材供货商简直到达了基底资料,硅资料的极限。因此,新资料半导体器材估计将会代替传统的硅半导体器材。宽能带隙(WBG)半导体器材如SiC和GaN开关正在出现,这些器材选用高本钱效益的工艺技能来到达规划经济效益,然后保证大批量生产率。大规划推出WBG半导体的速度取决于商场的需求。商场对高功率、高密度和高温度运用器材的需求不断增加,推进功率半导体供货商以较预期更快的速度投入WBG半导体产品的竞赛之中。

  即使商场需求更高效的产品,功率半导体客户也依然需求进步价值。例如,进一步改善大多数广泛运用的硅器材,比方IGBT需求下降Vceon的来削减功率损耗,缩小芯片面积来下降本钱,以及运用立异的芯片贴装技能来扩展温度规模并进步可靠性,这些都是今日的商场所需求的。美高森美功率产品部分战略事务开展总监Keith Westrum介绍,他们和客户正在探究运用更高的作业频率来削减什物的尺度和下降其产品的整体本钱。

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