一般状况下遍及用于高端驱动的MOS,导通时需求是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.假如在同一个体系里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。许多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该挑选适宜的外接电容，以得到满足的短路电流去驱动MOS管。
MOS管是电压驱动，按理说只需栅极电压到到敞开电压就能导通DS,栅极串多大电阻均能导通。但假如要求开关频率较高时，栅对地或VCC能够看做是一个电容，关于一个电容来说，串的电阻越大，栅极到达导通电压时间越长，MOS处于半导通状况时间也越长，在半导通状况内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS,所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。下面咱们先来了解一下MOS管开关的基础知识。
1、MOS管品种和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，能够被制作成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4品种型，但实践运用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以一般说到NMOS,或许PMOS指的便是这两种。
至于为什么不运用耗尽型的MOS管，不主张寻根究底。
关于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS.原因是导通电阻小，且简略制作。所以开关电源和马达驱动的运用中，一般都用NMOS.下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是咱们需求的，而是因为制作工艺约束发生的。寄生电容的存在使得在规划或挑选驱动电路的时分要费事一些，但没有方法避免，后边再具体介绍。
在MOS管原理图上能够看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动理性负载(如马达)，这个二极管很重要。趁便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部一般是没有的。
2、MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开封闭合。
NMOS的特性，Vgs大于必定的值就会导通，合适用于源极接地时的状况(低端驱动)，只需栅极电压到达4V或10V就能够了。
PMOS的特性，Vgs小于必定的值就会导通，合适用于源极接VCC时的状况(高端驱动)。可是，尽管PMOS能够很方便地用作高端驱动，但因为导通电阻大，价格贵，替换品种少等原因，在高端驱动中，一般仍是运用NMOS.
3、MOS开关管丢失
不管是NMOS仍是PMOS,导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上耗费能量，这部分耗费的能量叫做导通损耗。挑选导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时分，必定不是在瞬间完结的。MOS两头的电压有一个下降的进程，流过的电流有一个上升的进程，在这段时间内，MOS管的丢失是电压和电流的乘积，叫做开关丢失。一般开关丢失比导通丢失大得多，并且开关频率越快，丢失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，形成的丢失也就很大。缩短开关时间，能够减小每次导通时的丢失;下降开关频率，能够减小单位时间内的开关次数。这两种方法都能够减小开关丢失。
4、MOS管驱动
跟双极性晶体管比较，一般认为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于必定的值，就能够了。这个很简略做到，可是，咱们还需求速度。
在MOS管的结构中能够看到，在GS,GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实践上便是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，因为对电容充电瞬间能够把电容当作短路，所以瞬间电流会比较大。挑选/规划MOS管驱动时榜首要留意的是可供给瞬间短路电流的巨细。
而在进行MOSFET的挑选时，因为MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率体系中，MOSFET可被当作电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。有必要清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因而，总是要在栅极加上一个电压。这便是后边介绍电路图中栅极所接电阻至地。假如栅极为悬空，器材将不能按规划目的作业，并可能在不恰当的时间导通或封闭，导致体系发生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关封闭，而电流中止经过器材。尽管这时器材现已封闭，但仍然有细小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS.
榜首步：选用N沟道仍是P沟道
为规划挑选正确器材的榜首步是决议选用N沟道仍是P沟道MOSFET.在典型的功率运用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应选用N沟道MOSFET,这是出于对封闭或导通器材所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。一般会在这个拓扑中选用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。
第二步：确认额定电流
第二步是挑选MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有状况下能够接受的最大电流。与电压的状况类似，规划人员有必要保证所选的MOSFET能接受这个额定电流，即便在体系发生尖峰电流时。两个考虑的电流状况是接连形式和脉冲尖峰。该参数以FDN304P管DATASHEET为参阅，参数如图所示：
在接连导通形式下，MOSFET处于稳态，此刻电流接连经过器材。脉冲尖峰是指有很多电涌(或尖峰电流)流过器材。一旦确认了这些条件下的最大电流，只需直接挑选能接受这个最大电流的器材便可。
选好额定电流后，还有必要核算导通损耗。在实践状况下，MOSFET并不是抱负的器材，因为在导电进程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器材的RDS(ON)所确认，并随温度而明显改变。器材的功率耗费可由Iload2×RDS(ON)核算，因为导通电阻随温度改变，因而功率耗费也会随之按份额改变。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高。对体系规划人员来说，这便是取决于体系电压而需求折中权衡的当地。对便携式规划来说，选用较低的电压比较简略(较为遍及)，而关于工业规划，可选用较高的电压。留意RDS(ON)电阻会跟着电流细微上升。关于RDS(ON)电阻的各种电气参数改变可在制作商供给的技术材料表中查到。
第三步：确认热要求
挑选MOSFET的下一步是核算体系的散热要求。规划人员有必要考虑两种不同的状况，即最坏状况和真实状况。主张选用针对最坏状况的核算成果，因为这个成果供给更大的安全余量，能保证体系不会失效。在MOSFET的材料表上还有一些需求留意的丈量数据;比方封装器材的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
器材的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。依据这个方程可解出体系的最大功率耗散，即按界说相等于I2×RDS(ON)。因为规划人员已确认即将经过器材的最大电流，因而能够核算出不同温度下的RDS(ON)。值得留意的是，在处理简略热模型时，规划人员还有必要考虑半导体结/器材外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会当即升温。
一般，一个PMOS管，会有寄生的二极管存在，该二极管的作用是避免源漏端反接，关于PMOS而言，比起NMOS的优势在于它的敞开电压能够为0,而DS电压之间电压相差不大，而NMOS的导通条件要求VGS要大于阈值，这将导致操控电压必定大于所需的电压，会呈现不必要的费事。选用PMOS作为操控开关，有下面两种运用：
