因为蓝宝石基板的导热系数差，影响LED的发光功率。为了处理LED的散热难题，未来有可能将首要选用笔直结构LED的架构，促进LED工业的技能发展。关于笔直结构LED技能信任咱们都有所耳闻，下面仅从技能表层进行介绍，谨供参阅。
咱们知道，LED芯片有两种根本结构，横向结构(Lateral)和笔直结构(Vertical)。横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧，电流在n-和p-类型约束层中横向活动不等的间隔。笔直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两边，因为图形化电极和悉数的p-类型约束层作为第二电极，使得电流简直悉数笔直流过LED外延层，很少横向活动的电流，能够改进平面结构的电流散布问题，进步发光功率，也能够处理P极的遮光问题，进步LED的发光面积。
咱们先来了解下笔直结构LED的制作技能与根本办法：
制作笔直结构LED芯片技能首要有三种办法：
一、选用碳化硅基板成长GaN薄膜，长处是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，缺乏处是硅基板会吸光。
二、使用芯片黏合及剥离技能制作。长处是光衰少、寿命长，缺乏处是须对LED外表进行处理以进步发光功率。
三、是选用异质基板如硅基板成长氮化镓LED磊晶层，长处是散热好、易加工。
制作笔直结构LED芯片有两种根本办法：剥离成长衬底和不剥离成长衬底 。其间成长在砷化镓成长衬底上的笔直结构GaP基LED芯片有两种结构：
不剥离导电砷化镓成长衬底：在导电砷化镓成长衬底上层迭导电DBR反射层，成长 GaP 基LED外延层在导电DBR反射层上。
剥离砷化镓成长衬底：层迭反射层在GaP基LED外延层上，键合导电支撑衬底，剥离砷化镓衬底。导电支撑衬底包含，砷化镓衬底，磷化镓衬底，硅衬底，金属及合金等。
别的，成长在硅片上的笔直GaN基LED也有两种结构：
不剥离硅成长衬底：在导电硅成长衬底上层迭金属反射层或导电DBR反射层，成长氮化镓基LED外延层在金属反射层或导电DBR反射层上。
剥离硅成长衬底：层迭金属反射层在氮化镓基LED外延层上，在金属反射层上键合导电支撑衬底，剥离硅成长衬底。
再简略阐明制作笔直氮化镓基 LED 工艺流程：层迭反射层在氮化镓基 LED 外延层上，在反射层上键合导电支撑衬底，剥离蓝宝石成长衬底。导电支撑衬底包含，金属及合金衬底，硅衬底等。
无论是GaP基LED、GaN基LED，仍是ZnO基LED这一类通孔笔直结构LED，比较传统结构LED有着较大的优势，具体表现在：
1、现在，现有的一切色彩的笔直结构LED：红光LED、绿光LED、蓝光LED及紫外光LED，都能够制成通孔笔直结构LED有极大的使用商场。
2、一切的制作工艺都是在芯片( wafer )水平进行的。
3、因为无需打金线与外界电源相联合，选用通孔笔直结构的 LED 芯片的封装的厚度下降。因而，能够用于制作超薄型的器材，如背光源等。
