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单片机操控大功率LED灯(解读)

中LM117217317(军工民),VREF=1212513V;输入输出电压最小差为3V1WLED功率:1WPCS电压:3-36V光通量100LM2N


LM117 217 317(军 工 民),VREF = 1.2 1.25 1.3V; 输入输出电压最小差为3V
1W LED功率:1W/PCS 电压:3-3.6V 光通量100 LM
2N7000
N沟道增强型MOSFET,在电路中像NPN三极管作业在饱和状态相同充任开关,单片机端口输出高电平时,G S间加正向电压大于敞开电压,沟道导通,D S 间电压很小(0.45v),3个串联LED上的压降缺乏,灯灭. 反之,端口为低电平时,LED灯亮.
场效应管有二大类, JFET和MOSFET( 增强型和耗尽型),都有N 沟道 P沟道, 但在工程实践中, 后者主要用增强型MOSFET, 且广泛用于数字电路中充任开关.

一般用单片机端口输出PWM操控灯的改变.
若添加灯的数量,需进步外电源(15v) 电压

输入电压 = 输入输出最小压差3V +1.25V + 3.6V(发光二极管压降)*n(个)
1.25/4=310mA , 三端电压调整片最好加散热片.
参阅:[30.Arduino.Projects.for.the.Evil.Genius].Simon.Monk

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